【課題】現像ラチチュード、画像形成性及び画像部強度のいずれにも優れ、且つ、像様露光後、現像処理に至るまでに経時した場合でも現像性の低下が抑制された赤外線感応性ポジ型画像形成材料、それを適用した画像形成性と画像部耐刷性とに優れた赤外線感応性ポジ型平版印刷版原版、並びに、該平版印刷版原版を使用した平版印刷版の製版方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に、カルボン酸基を側鎖に有し、該カルボン酸基の少なくとも一部が一価の塩基性化合物と塩構造を形成しているポリマー及び赤外線吸収剤を含む下層と、熱によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する上層とを、順次備える画像形成材料。 （もっと読む）

【解決手段】ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基含有繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基とカルボキシル基とを有する塩基発生剤とを含む第１ポジ型レジスト材料を基板上に塗布する第１レジスト膜形成工程、第１レジスト膜を露光、加熱処理、現像するパターン形成工程、これを加熱して塩基発生剤よりアミン化合物を発生させて酸に不活性化し、上記パターン上に該パターンを溶解させず第２ポジ型レジスト材料を塗布する第２レジスト膜形成工程、第２レジスト膜を露光、ＰＥＢ後、現像して第２レジストパターンを形成する工程を含むパターン形成方法。
【効果】第１レジストパターンが形成されていない部分に第２パターンを形成し、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工できる。 （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターンが得られるレジスト付き基体の製造方法、レジストパターン付き基体の製造方法、パターン付き基体の製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】基体上に化学増幅レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト塗布工程後、レジスト塗布基体に対してベークを行うパターン露光前ベーク工程と、を有し、前記パターン露光前ベーク工程後に形成されることになるパターン未露光のレジスト層に対して現像剤による減膜処理を行うとすると前記レジスト層の残膜率が９５％以上となる時間及び温度条件にて、前記パターン露光前ベーク工程を行う。 （もっと読む）

【課題】改良された分散性を有するカーボンブラックのような顔料を含む印刷版を提供すること。
【解決手段】ａ）基板およびｂ）放射線吸収層を含む印刷版であり、その放射線吸収層は少なくとも１つの有機イオン基および少なくとも１つの両親媒性対イオンを結合した顔料からなる少なくとも１つの修飾顔料生成物を含有し、該両親媒性対イオンは有機イオン基の電荷と反対の電荷を有することを特徴とする印刷版。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体２２上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２０を形成する工程（１）と、前記ポジ型レジストパターン２０が形成された前記支持体２２上に、露光により有機溶剤に対する溶解性が減少するネガ型現像用レジスト組成物を塗布してネガ型現像用レジスト膜２１を形成する工程（２）と、前記ネガ型現像用レジスト膜２１を露光し、前記有機溶剤を含有するネガ型現像液により現像して、前記ポジ型レジストパターン２０を除去するレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される１種又は２種以上の加水分解性ケイ素化合物と、下記一般式（２−１）で表される加水分解性ケイ素化合物及び下記一般式（２−２）で表される反応性化合物からなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物とを加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^１_ｍ１Ｓｉ（ＯＲ^２）_{（４−ｍ１）}（１）Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ^４）_{（４−ｍ３）}（２−１）Ｕ（ＯＲ^５）_ｍ５（ＯＲ^６）_ｍ６（Ｏ）_ｍ７／２（２−２）（Ｂ）特定の１種又は２種以上の熱架橋促進剤（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸（Ｄ）有機溶剤を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】露光波長に対して強い吸収を持ち、上層のレジスト膜とのインターミキシングを起こさず、さらに上層のレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するための組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）


（式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは直接結合又はフェニレン基を表し、Ａはナフチル基又はアントラセニル基を表す。）で表される構造単位を有するポリマー、少なくとも２つのビニルエーテル基を有する化合物、光酸発生剤及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】現像ラチチュード、溶解識別性及び耐刷性に優れ、且つ、像様露光後、現像処理に至るまでに経時した場合でも現像性の低下が抑制された赤外線レーザー用ポジ型平版印刷版原版、並びに、前記赤外線レーザー用ポジ型平版印刷版原版を使用した平版印刷版の製版方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、水不溶かつアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、赤外線吸収剤及び赤外線露光によりアルカリ水溶液への溶解性が向上するポリウレタンを含む上層と、を順次積層してなる画像形成材料である。該ポリウレタンは、熱や酸により分解して酸基となる官能基を側鎖に有するポリウレタンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、現像時において残膜率が大きく、残渣の発生が抑制され、且つ、硬化して得られた膜は透明性が高く、しかも熱で着色することがない膜を形成しうるポジ型感光性組成物の提供
【解決手段】下記一般式（１）で表される群および側鎖に環状アルコキシアルキル基を有する群からなる少なくとも１種のモノマー（Ａ１）と、酸基を有するモノマー（Ａ２）と、架橋性基を有するモノマー（Ａ３）とを共重合してなる樹脂（Ａ）、及び感放射線酸発生剤（Ｂ）を含み、且つ含水量が０．０２質量％以上１．２質量％以下であるポジ型感光性組成物。
（もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】比較的低ｐＨのアルカリ現像液を使用した場合であっても、現像性に優れ、経時的な現像カスの発生が抑制された平版印刷版の作製方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸解離性基を有する構成単位と、カルボキシル基もしくはフェノール性水酸基と反応して共有結合を形成しうる官能基を有する構成単位と、を含む樹脂、及び、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される酸発生剤を含有するポジ型感光性樹脂組成物。下記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、シアノ基、アリール基等を表し、Ｒ^２は、アルキル基又はアリール基を、Ｒ^３、Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基等を表す。Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−等を表す。
（もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の２回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による２回の現像によって１本のラインを２本に分割し、マスクパターンの２倍の解像力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（６）、一般式（７）または一般式（８）のいずれかで表される繰り返し単位を含む重合性単量体。


（Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ^２はメチル基、エチル基またはイソプロピル基を表し、Ａは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）または、当該カルボニル基が保護基によって保護されたアセタール構造をとる。） （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないパターンを形成することができるレジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタで濾過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ等のラフネス特性、孤立スペースパターン（トレンチパターン）のＤＯＦ、及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される酸分解性繰り返し単位及び下記一般式（ＩＩ）で表される非酸分解性繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び電気特性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位と、カルボキシル基又はフェノール性水酸基と反応して共有結合を形成しうる官能基を有する構成単位とを有する樹脂、及び、（成分Ｂ）式（１）又は式（２）で表される酸発生剤、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷はアルキル基又は芳香族基を表し、Ｒ⁸及びＲ⁹は芳香族基を表し、Ｘ^-はＢＹ₄^-、ＰＹ₆^-、ＡｓＹ₆^-、ＳｂＹ₆^-、又は、式（３）若しくは式（４）で表される一価のアニオンを表し、Ｙはハロゲン原子を表す。
（もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がフッ素原子を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）