【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

【課題】レジストパターンの微細化に有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるパターン微細化処理剤の提供。
【解決手段】支持体上に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（１）と、該レジストパターンに、パターン微細化処理剤を塗布する工程（２）と、該パターン微細化処理剤が塗布されたレジストパターンにベーク処理を行う工程（３）と、該ベーク処理後のレジストパターンをアルカリ現像する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、前記パターン微細化処理剤は、酸発生剤成分と、前記工程（１）で形成されるレジストパターンを溶解しない有機溶剤とを含有することを特徴とするレジストパターン形成方法、及びパターン微細化処理剤。 （もっと読む）

【課題】撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト保護膜材料、更にはこの材料を用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、側鎖にヘキサフルオロヒドロキシプロピル基を有する（メタ）アクリレート単位、側鎖にフッ素含有環状エーテル構造含有基を有する（メタ）アクリレート単位、及び側鎖にスルホン酸基を有するビニルモノマー単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲内である高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト保護膜材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程数が少なく、高精度かつ高アライメント精度で微細パターンを形成できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）基板の上に、感光性樹脂からなる第一の樹脂層を形成する工程と、（２）前記第一の樹脂層の上に、第２級または第３級アルキニルアルコールと光酸発生剤とベース樹脂とを含有する第二の樹脂層を形成する工程と、（３）前記第二の樹脂層をパターン露光する工程と、（４）前記第二の樹脂層において前記パターン露光した部分をマスクとして、第一の樹脂層を露光する工程と、（５）前記第二の樹脂層及び第一の樹脂層を除去する工程と、を有する微細パターンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）とを有し、第一のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分が酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 煩雑なエッチング工程等を施すことなく、簡便に多層構造が形成できる、絶縁パターン形成方法及び樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 〔Ｉ〕基板上に有機パターンを形成する工程と、
〔II〕前記有機パターンのパターン間に絶縁材料を埋め込む工程と、
〔III〕前記有機パターンを除去し、前記絶縁材料からなる反転パターンを得る工程と、
〔IV〕得られた反転パターンを硬化させる工程と、
を有することを特徴とする、絶縁パターン形成方法と、ダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更にサイズが微細化した構造であって、広範囲に亘って規則性に優れ、欠陥の少ない構造を有する高分子薄膜、パターン媒体、及びこれらの製造方法、並びにこれらの製造方法に使用する表面改質材料を提供する。
【解決手段】基板２０１上で高分子ブロック共重合体をミクロ相分離させて、連続相２０４中で複数のミクロドメイン２０３を規則的に配列させる高分子薄膜の製造方法において、前記連続相に対応するように前記基板にシルセスキオキサングラフト膜を形成すると共に、前記ミクロドメイン２０３の配列に対応するように前記シルセスキオキサングラフト膜とは化学的性質の相違するパターン部を形成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水等の液浸露光用液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに好適に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターンを提供する。
【解決手段】本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、式［Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ］で表されるシラン化合物、及び式［ＳｉＸ_４］で表されるシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を加水分解縮合させて得られる構造を有し、且つＧＰＣによる重量平均分子量が１０００〜２０００００であるケイ素含有重合体と、フッ素含有重合体と、酸発生剤と、溶剤とを含有する〔尚、各式におけるＲ^１はフッ素原子、アルキルカルボニルオキシ基、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは塩素原子、臭素原子又はＯＲ（Ｒ：１価の有機基）を示し、ａは１〜３の整数を示す。〕。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ１）を有する第一の重合体を含む重合体成分と、（Ｂ）溶剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


（一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は、相互に独立に、炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基等を示す。Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子を有するともに、ＣＯＯＲ^４で表される基を有する有機基等を示す。） （もっと読む）

【課題】表面硬度及び耐溶剤性に優れ、充分な透過率及び電圧保持率も有する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］同一又は異なる重合体分子中にアセタール基を含む構造単位（１）とエポキシ基含有構造単位と下記式（ＩＩ）で表される構造が窒素原子に結合した基を含む構造単位（２）とを有する重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有するポジ型感放射線性組成物である。
（もっと読む）

【課題】一般的な要求特性である透明性、表面硬度、耐溶剤性、及び電圧保持率を満足する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ放射線感度に優れ、十分な保存安定性を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］同一又は異なる重合体分子中にアセタール基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、及び［Ｂ］下記式（２）で表される酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン形成における液浸露光プロセスに好適で、かつ有機溶剤による現像にも適している感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】有機溶剤（Ｘ）で現像を行うレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、重合体（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）とを含有し、上記重合体（Ａ）は、側鎖にラクトン構造もしくはカーボネート構造を有する特定のアクリル系繰り返し単位を含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつアルカリ現像時における親水性を向上させることができ、未露光部の現像欠陥を抑制し得ることに加えて、現像後のパターン形状に優れるレジスト塗膜を与えることが可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】酸解離性基を有する重合体（Ａ）と、放射線照射により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（ｘ）で表される官能基及びフッ素原子を有する重合体（Ｃ）と、を含有し、前記重合体（Ｃ）は、前記重合体（Ａ）よりもフッ素原子含有量が高い重合体である感放射線性樹脂組成物。


［一般式（ｘ）中、Ｒ^１はアルカリ解離性基、Ａは酸素原子（但し、芳香環、カルボニル基及びスルホキシル基に直結するものを除く。）、イミノ基、−ＣＯ−Ｏ−＊又は−ＳＯ_２−Ｏ−＊（「＊」はＲ^１に結合する結合手を示す。）を示す。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、経時でｐＨが安定かつ膜形成性に優れた現像液、水洗工程を必要としない１液１工程の簡易処理によっても、現像性及び現像カス分散性に優れ、非画像部の汚れが抑制された平版印刷版を作製できる平版印刷版の作製方法、及び、この平版印刷版の作製方法を用いて印刷を行う印刷方法を提供する。
【解決手段】２つ以上の単糖が結合した非還元性糖類を有し、ｐＨが６以上１４以下であることを特徴とする平版印刷版原版処理用の現像液、並びに、これを用いた平版印刷版の作製方法及び印刷方法。 （もっと読む）

【課題】良好な焦点深度をはじめとする良好な解像度を提供する新規のフォトレジストシステムの提供。
【解決手段】樹脂、光活性成分、およびフェノール系成分；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びにイオンを前記基体に適用する；ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）下記（Ａ）〜（Ｃ）成分含有の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布しレジスト層を形成する工程、
（Ａ）ヒドロキシスチレン単位、およびｐ-アミロキシスチレン化合物単位、および/又はスチレン化合物単位、および/又はアルキル（メタ）アクリレート単、のの繰り返し単位を有するＭｗ１，０００〜５００，０００の高分子化合物、
（Ｂ）光酸発生剤、
（Ｃ）アゾベンゼン構造含有化合物、
（ｉｉ）加熱処理後、フォトマスクを介して放射線又は電子線で露光する工程、
（ｉｉｉ）加熱処理後、現像する工程、を有し、現像後の断面パターン形状においてパターン側壁が基板面に対し７０°以上８７°未満の角度面を有すレジストパターン形成方法。
【効果】保存安定性が高く、プロセス適応性を有し、パターン側壁角度の制御性能に優れ、高解像度で電解メッキ耐性を与えるレジストパターンを形成し得る。 （もっと読む）

【課題】高い溶解度及びｉ線、ｇ線透過率を有しながら最終的なポリベンズオキサゾール樹脂の耐熱性及び機械特性を損わないポリベンズオキサゾールの前駆体を使用したレリーフパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）下記一般式［Ｉ］


で表されるポリアミドを光酸発生剤と共に有機溶媒に溶解して溶液を調製し、この溶液をキャストしてポリアミドフィルムを得、得られたポリアミドフィルムを活性光線でパターン露光し、次いでアルカリ溶液で現像して露光部分を除去し、さらにこのポリアミドフィルムを加熱してフィルム中のポリアミドをポリベンズオキサゾールに変換する工程を含むレリーフパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】現像性が改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する樹脂（Ｂ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。


（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙは、電子求引性基を表す。Ｒｆは、構成炭素上の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を表す。ｎは、０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】レジストパターンを形成するために、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。
【解決手段】基板１上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含みかつフッ素を含有しないレジスト層３を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、非溶解部の溶解速度が１時間あたり約０．５Å未満であるフルオロカーボンを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する現像工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト層における未露光部については高残膜率を維持でき、かつ、露光部については現像後において未露光部に対して高いパターンコントラストを得る。
【解決手段】化学増幅型レジスト層を基体上に形成する工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光前ベークを行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して所定のパターン露光を行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光後ベークを行う工程と、を有し、前記露光前ベーク時間の方が、前記露光後ベーク時間よりも長くする。 （もっと読む）