【課題】他のレジストパターンへの影響、及び、塗布欠陥を低減できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）が、プロピレングリコールエーテル（但し、プロピレングリコールアルキルエーテルの場合、アルキル基の炭素数は３以上）、及び、炭素数３以上の水酸基を有するアルカンから選ばれる１種以上の溶剤（Ｓ１）と、プロピレングリコールアルキルエーテルカルボキシレート（Ｓ２）と、酢酸アルキルエステル及びジアルキルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤（Ｓ３）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物の提供をする。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする平均分子量が３０００〜５００００である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数７〜９のエーテル化合物及び／又は総炭素数６〜９のアルキルアルコール化合物とを含有する間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィーにおいて、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたＥＵＶ用レジスト組成物、該ＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法、および該ＥＵＶ用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きいことを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物。２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きくなるように前記レジスト組成物を調製する工程を有することを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法。支持体上に、前記ＥＵＶ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物からなる非イオン性含フッ素界面活性剤及びパーフルオロポリエーテル基を含有し且つポリオキシアルキレン型ポリエーテル結合を有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれる少なくとも１種の非イオン性含フッ素化合物
を含有する波長１５０ｎｍ以上の紫外線を露光光源とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】本発明によれば、スカムを形成しないレジスト材料であって、塗布均一性に優れ、基板周辺部で膜厚が極端に厚くなる現象であるＥｄｇｅ Ｃｒｏｗｎを抑えることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含有するポジ型である化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を得る工程と、パターン露光する工程と、現像する工程と、更に現像により得られたパターンの線幅を１０％以上変化させない範囲で加熱によるパターン形状補正を行う工程を含むパターン形成方法において、上記組成物は、酸不安定基で保護された酸性官能基を有する分子量８００以下の軟化促進剤を２．５〜２０質量％で含有する組成物であるレジストパターン形成方法。
【効果】本発明のレジストパターン形成方法では、現像により得られたパターンを熱変形させて、パターンの線幅を１０％以上変化させない範囲でレジストパターン形状の微細な荒れの修正を安定して行える。 （もっと読む）

【課題】半導体工程のフォトレジストのコンタクトホールパターンの大きさを効率よく減少することによって、微細なフォトレジストパターンを形成することのできる水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（式１）のように表示される水溶性重合体および第１水溶性溶媒を含み、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって、前記コンタクトホールの大きさを減少させる水溶性樹脂組成物。
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【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、メチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、アルコール溶媒Ａと、メチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供すること。
【解決手段】解離性基が解離することで、カルボキシル基を生じる特定のアクリル酸系構成単位とカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物、及び、波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いメチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ性能を向上するためにフォトレジストパターンを被覆するための組成物、並びに基材上に像を形成するためにこのような被覆用組成物を使用する方法を提供する。
【解決手段】ポジ型化学増幅型レジスト中のフォトレジストパターンを被覆するための水性被覆用組成物であって、前記水性被覆用組成物は、第一級アミン（−ＮＨ２）を含むポリマーを含み、前記水性被覆用組成物は、塩基性でありかつ架橋性化合物を含まず、更に、フォトレジストは、前記アミノ基と反応できるラクトンまたは酸無水物官能基を含むフォトレジストポリマーを含み、更に水性被覆用組成物は、フォトレジストパターンの厚さを増大させるものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】１）樹脂、２）光活性成分、および３）多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】高感度で火膨れが生じにくい、すなわちラチチュードの広い直描型水なし平版印刷版原版を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくとも感熱層およびシリコーンゴム層をこの順に有する直描型水なし平版印刷版原版であって、前記感熱層に膜厚が０．１μｍ以下に縮小された膜厚縮小領域を有し、かつ、前記膜厚縮小領域の感熱層表面に対する面積率が１面積％以上であることを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】 膨潤率に優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 樹脂（Ａ）および感放射線酸発生剤（Ｂ）を含み、樹脂（Ａ）の少なくとも１種が、一般式（１）で表される、酸解離性基により保護された酸基を有する構造単位（Ａ１）を含み、かつ、架橋性基を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
一般式（１）
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【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）