【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はフッ素化１価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】ブロックポリマーを所望の位置に所望の配向でミクロ相分離させるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層の上に、第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを有するパターンを形成する工程と、層および第２の表面エネルギーを有するパターンの上に、ブロックポリマーを形成する工程と、ブロックポリマーをミクロ相分離させて、配列した複数のポリマーを含むラメラ構造またはシリンダー構造のいずれかのパターンを形成する工程と、を含む。層上で、ラメラ構造は、層の層面に対して垂直に配向し、シリンダー構造は、層の層面の垂線に平行な軸を有するように配向する。第２の表面エネルギーは、ブロックポリマーを構成する複数のポリマーのそれぞれの表面エネルギーのうちの最大値以上、または、最小値以下である。 （もっと読む）

【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
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【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつＥＬ、ＤＯＦ、ＣＤＵ及びＭＥＥＦに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、５．０以上３０．０以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数３〜７のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数３〜１０のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】未露光残膜率が高く、比誘電率が低く、ドライエッチング耐性に優れ、かつ、ＩＴＯスパッタ耐性にも優れたフォトレジスト用感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ｉ）酸不安定基を有するラジカル重合性化合物、および、（ｉｉ）一般式（１）で表される不飽和カルボン酸エステルを含むラジカル重合性化合物を共重合させて得られるフォトレジスト用共重合体において、主鎖末端に芳香族基を含む基を含む構造とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にするネガティブトーン現像のための改良されたフォトリソグラフィ方法の提供。
【解決手段】フォトレジスト上塗り組成物、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法。即ち（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体と、（ｂ）前記パターン形成される１以上の層上にフォトレジスト層を形成し、（ｃ）前記フォトレジスト層上にフォトレジスト上塗り組成物をコーティングし、前記上塗り組成物は塩基性クエンチャー、ポリマーおよび有機溶媒を含んでおり、（ｄ）前記層を化学線に露光し、並びに（ｅ）前記露光された膜を有機溶媒現像剤で現像することを含む。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１上にレジストパターンとなるレジスト膜２を形成する。レジスト膜２に第１の光６を照射してレジスト膜２に対してパターン露光を行う。前記レジストパターンを形成するために、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に対して現像を行う。前記現像を行う時における欠陥の発生を抑制するために、前記パターン露光を行った後、かつ、前記現像を行う前に、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に第２の光１０を照射してレジスト膜２の表面に対して改質処理を行う。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を有し、カルボン酸基を有さないポリマーを用い、かつ現像液にテトラ置換アンモニウムヒドロキシドを含む水溶液を用いてフォトレジストを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基を有し、カルボン酸基を有さないポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成る反応現像画像形成法であり、この現像液はテトラ置換アンモニウムヒドロキシド及び低分子アルコールを含む水溶液である。ポリマーの構造により、ポジ型又はネガ型のフォトレジストが得られる。 （もっと読む）

【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】浸漬フォトリソグラフィのための新規な組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程、（ｂ）適用したフォトレジスト組成物を流体組成物で処理する工程、並びに（ｃ）フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、ドライエッチング耐性及び表面硬度に優れた硬化膜を形成可能な感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位（ａ１）及びエポキシ基及又はオキセタニル基を有する構成単位（ａ２）を有し、かつ式（１）で表される構成単位を有しない共重合体、（成分Ｂ）光酸発生剤、（成分Ｃ）式（１）で表される構成単位を有する重合体、並びに、（成分Ｄ）溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。Ｒ¹は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ²は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、水酸基又は２，３−エポキシプロポキシメチル基を表し、ｎは１〜５の整数を表す。
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【課題】ＫｒＦ光、電子線及びＥＵＶ光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、（Ｃ）溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、現像寛容度及び硬化膜の透明性に優れる感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）式（１）又は式（２）で表されるオキシムスルホネート化合物、（成分Ｂ）酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、（成分Ｃ）溶剤、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。Ｒ¹はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ａｒ¹はｏ−アリーレン基又はｏ−ヘテロアリーレン基を表し、ＸはＯ、Ｓ又はＮＲ’基を表し、特定のヘテロ原子含有基を表し、Ｒ’はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、ｎは０又は１を表す。
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【課題】体積抵抗率及び絶縁破壊電圧が高く、電気的安定性の高い層間絶縁膜を形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）式（ａ１）で表される構成単位と、式（ａ２）で表される構成単位と、式（ａ３）で表される構成単位及び／又は式（ａ４）で表される構成単位とを有する共重合体、（成分Ｂ）発生酸のｐＫａが４以下である光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
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【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
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【課題】高感度であり、保存安定性及び硬化膜の透明性に優れ、現像寛容度が広い感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるオキシムスルホネート化合物、酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。Ｒ¹はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ａｒ¹はｏ−アリーレン基又はｏ−ヘテロアリーレン基を表し、ＸはＯ又はＳを表し、ｎは１又は２を表す。２以上存在するＲ²のうち、少なくとも１つはアルキル基、アリール基又はハロゲン原子である。
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