【課題】 銅上にすずめっき被膜を形成した後に、銅上へのすず再析出を生じさせることなくレジストを剥離することが可能なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 レジスト剥離剤を、少なくとも２−ベンズイミダゾールチオールを１０〜５００００ｐｐｍの範囲内で含有するアルカリ性水溶液とすることにより、レジスト剥離剤中に溶出した銅イオンが引き起こす銅上へのすず再析出を防止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における基板工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）におけるレジスト、反射防止膜の剥離は、従来は硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液（ＳＰＭ洗浄液）により行われてきたが、生産性が低く、コスト的にも不利であり、なおかつ濃厚で高温処理が必要であった。特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。
【解決手段】 アンモニア、アセトニトリルを含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステル類、アルコキシカルボン酸エステル類及び脂環式ケトン類から選ばれる少なくとも１種の溶剤及び鎖状アミド類、環状アミド類、含硫黄化合物及び環状エステル類から選ばれる少なくとも１種の溶剤、及び所望により、炭素数９以上の芳香族炭化水素類を含有する、顔料を含有する有色感光性組成物の除去のための感光性組成物除去液。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】アルキレングリコールモノアルキルエーテル類及び芳香族炭化水素類、及び所望により、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステル類、アルコキシカルボン酸エステル類、脂環式ケトン類及び酢酸エステル類から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有する、顔料を含有する感光性組成物の除去のための感光性組成物除去液。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 半導体回路素子の製造工程においてドライエッチング後に残留するフォトレジスト及びフォトレジスト変質層等の剥離性に優れ、かつ新しい配線材料や層間絶縁膜材料等に対してもアタックがないフォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離方法を提供する。
【解決手段】 アセチレンアルコール化合物及び有機スルホン酸化合物のうちの少なくとも１種と、多価アルコール及びその誘導体のうちの少なくとも１種とを含有する、フォトレジスト剥離液組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】配線間の電流リークが少なく、しかも配線へのダメージを少なくして、配線デバイスとしての信頼性を高めた配線を形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面にバリア膜を形成し、該バリア膜の表面に配線材料を形成して該配線材料を前記配線用凹部の内部に埋込んだ基板を用意し、基板表面に形成した余剰の配線材料及びバリア膜を除去して配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成し、基板上の汚染物質を、カルボン酸を含む雰囲気下でカルボン酸と加熱反応させて除去する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストストリッパー組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストストリッパー組成物はアセトンとイソプロピルアルコールとの混合溶液からなる。アセトン対イソプロピルアルコールとの体積比は約５０：５０〜約９５：５からなる。この方法は半導体基板上に被エッチング層を形成することを含む。被エッチング層上にフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記被エッチング層をエッチングする。半導体基板をアセトンとイソプロピルアルコールとの混合溶液からなるフォトレジストストリッパー組成物槽に浸してフォトレジストパターンを除去する。半導体基板をイソプロピルアルコール槽に移動させて洗浄する。半導体基板を脱イオン水槽に移動させて洗浄する。半導体基板を乾燥する。 （もっと読む）

【課題】 基板上のオーバーハング状のレジストパターンを短時間で剥離、除去でき、しかも金属膜を腐食させないリフトオフ用レジスト除去剤、及び、該除去剤を用いた電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 特定のグリコールモノアルキルエーテル２５〜７５重量％と、常圧、２３℃で液体である他の有機溶剤７５〜２５重量％とからなるリフトオフ用レジスト除去剤組成物。また、基板上にネガ型フォトレジスト組成物をのレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をパターン状に露光し、現像してレジストパターンを有する基板を得る工程と、レジストパターンを有する基板の上に金属膜を形成する工程と、上記除去剤組成物を用いてレジストパターンを基板から除去する工程とを有する電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面のレジストを高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。
【解決手段】基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理工程と、基板の処理面をγ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチン（グリセリンジアセテート）からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤１００重量部と、水５〜１００重量部との混合溶剤を用いて除去する混合溶剤処理工程とを有するレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を用いて基板表面のレジストを極めて高い効率、かつ、均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。
【解決手段】オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記ノズルと前記基板の処理面との間に見かけ上オゾン水の層が形成される程度に前記基板に近接させた状態で、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を用いて基板表面のレジストを極めて高い効率、かつ、均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。
【解決手段】オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】 ｉ線仕様、ＫｒＦ仕様、ＡｒＦ仕様の各種レジスト、ケイ素含有レジスト、化学増幅型ポジ型レジストなど多種多様の組成のレジストに対して一様に良好な洗浄性を示し、処理後の乾燥性が良く、洗浄によりレジストの特性がそこなわれることのないリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酢酸又はプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれた少なくとも１種と（Ｂ）炭素数５〜７の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれた少なくとも１種とを（Ａ）／（Ｂ）の質量比４／６ないし７／３の範囲で含有したリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離性に優れ、銅及び／又はアルミニウム或いはこれらの合金を含む配線材料への腐蝕がないレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ヒドロキシプロピル）エチレンジアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。さらに水及び／又は水溶性有機溶媒を含んでもよく、水溶性有機溶媒としては、スルホキシド類、スルホン類、ラクトン類、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、グリコール類、グリコールエーテル類が例示できる。Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ヒドロキシプロピル）エチレンジアミンは１〜９０重量％、水は０〜９０重量％、水溶性有機溶媒は０〜９０重量％が好ましい。 （もっと読む）

本発明の目的は、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供することである。 本発明は、基板表面のレジストを除去する方法であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を作用させる工程１と、処理面に有機溶剤を作用させる工程２とを有するレジスト除去方法である。
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【課題】 リブ材等の部材を痛めることなく短時間でフォトレジストを除去するフォトレジスト剥離液を提供する。
【解決手段】Ｎ（ＲＯＨ）_３（式中、Ｒは炭素数２〜４のアルキレン基である。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基であるものを除く。）で表されるアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）とを含有しているフォトレジスト剥離液。 （もっと読む）

【課題】環境に対する負荷が低く、低温で短時間の洗浄条件下においても、アッシング後に発生するレジスト残渣および金属配線由来の金属酸化生成物の剥離性に優れ、かつ、金属配線に対する防食性に優れる剥離剤組成物、該組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する方法、ならびに該洗浄方法を用いた洗浄工程を含む半導体基板または半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機アミン、有機ホスホン酸（有機リン酸）および水を含有する剥離剤組成物であって、有機アミンの含有量が0.2〜30重量％、有機ホスホン酸の含有量が0.05〜10重量％、水の含有量が60〜99.75重量％であり、20℃における該組成物のpHが9〜13である剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの無機物、有機物の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それら薬液の剥離、除去、エッチング、洗浄機能に悪影響することなく、金属アルミ又はアルミ合金を腐食しない防食用組成物を提供する。
【解決手段】フッ化物と環状アミン、特に２種以上の環状アミンの混合組成物、或いはフッ化物、環状アミン、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンの混合組成物では、他の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それらの薬液の機能を損なうこと無く、金属アルミ又はアルミ合金の腐食を著しく抑制することができる。環状アミンとしては、ピペラジン類、モルホリン類、ピロリジン類等が例示できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体上のレジストや被膜残渣を、残渣物なく高速に除去できる除去用組成物を提供する。
【解決手段】硫酸及び有機ニトリルと高圧流体を含んでなる除去用組成物用いる。さらにアルコール、ケトン及び／又はエステルを含んでも良い。高圧流体としては二酸化炭素（超臨界二酸化炭素）、有機ニトリルとしてはアセトニトリルが特に好ましく、ケトン及び／又はエステルとしては炭酸エステル、特に炭酸エチレンが好ましい。さらに金属防腐剤、金属キレート等を添加してもよい。 （もっと読む）

【課題】 基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制することができるレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。
【解決手段】 レジスト膜６を水１１の中に浸漬させた状態にし、密着界面に対して水１１を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。さらに、攪拌翼３０によって、剥離したレジスト膜６を水１１とともに内部空間２で回流させる。 （もっと読む）