【課題】基板にダメージを与えることなく、基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を良好に剥離する。
【解決手段】レジスト等を剥離するための第１薬液としてアミン化合物とフッ化水素と炭酸エステルと極性有機溶媒とを含有する第１剥離用組成物がＳＣＦと混合されて第１処理流体が調製され、この第１処理流体が処理チャンバーに供給される（ステップＳ４）。続いて、レジスト等を剥離するための第２薬液としてメタノールを含有する第２剥離用組成物がＳＣＦと混合されて第２処理流体が調製され、この第２処理流体が処理チャンバーに供給される（ステップＳ７）。これにより、処理流体（ＳＣＦ＋第１、第２薬液）が処理チャンバー内で基板の表面に接触し、レジスト等が基板から剥離除去される。 （もっと読む）

物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。
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【課題】フォトリソグラフィー工程後のワーク表面に残存するフォトレジストを除去する際に用いる洗浄除去剤であって、導電性膜の腐食が起こらず、高温で使用しても不溶物を析出することがなく、しかも安全性及びレジスト除去性が高い洗浄剤を提供することを目的とする。導電性膜を腐食させることなく、かつ、レジストに対する洗浄力が高く、操作性も容易で、人体や環境への悪影響も少ない洗浄剤を提供する。
【解決手段】ジメチルスルホキシド４０〜８０質量％及び、ε-カプロラクトン及び又は炭酸プロピレンのような特定の環状化合物６０〜２０質量％からなる混合物、又は該混合物を主成分とする組成物をレジスト洗浄除去剤として用いる。 （もっと読む）

【課題】エッチ後及び／又は灰化後のフォトレジスト、プラズマエッチング、灰化によって生じる残留物、及びそれらの混合物を基材から除去するための組成物及び方法を提供する。
【解決手段】水、水酸化第四級アンモニウム化合物、フッ化物含有化合物、及び任意選択で腐食防止剤を含み、添加される有機溶媒がなくかつ９よりも大きなｐＨを有する組成物、並びに当該組成物を基材と接触させる工程を含む方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスからのエッチ後残留物の除去のための組成物及び方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスのような基体からポリマー物質を除去するために有用な組成物及び方法が提供される。フッ化物源、多価アルコール及びエーテル、水、並びに、炭酸を含むポリカルボン酸と有機アミンからなるＰＨ調節剤、を含む組成物。この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。 （もっと読む）

【課題】金属配線の防食性、ホトレジストの剥離性に優れ、さらには使用済みの剥離液を高率で回収・再生し、循環使用（リサイクル）することができるホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】（ａ）多価アルコール（例えば、プロピレングリコール等）を２〜２０質量％、（ｂ）アルカノールアミン（例えば、モノイソプロパノールアミン等）を５〜２０質量％、（ｃ）水を５〜６０質量％、および（ｄ）グリコールエーテル（例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）を２０〜９０質量％含有し、さらに所望により（ｅ）防食剤を含有するホトレジスト用剥離液。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾燥剥離溶液を提供する。本剥離溶液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、およびアルカノールアミン、任意に第二の溶媒、約３重量％未満の水を含み、および／または少なくとも約１の乾燥係数を有する。さらに、このような改善された乾燥剥離溶液の製造方法およびその使用を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポストアッシュ及び／又はポストエッチフォトレジストに限定されないが、これらのような残渣を基材から除去するための水系組成物、及びそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】ある態様における、残渣を除去するための組成物は、（ａ）水、（ｂ）ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩化合物及びこれらの混合物から選択される少なくとも１種のもの、並びに（ｃ）水溶性有機酸を含まないという条件付の腐食防止剤を含み、添加された有機溶剤を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】不要画線部、傷の上に塗設して印刷汚れを修正する平版印刷版用の修正液を提供する。特に、親水性層が破壊され、支持体が露出した場合に発生する傷を修正することが可能な平版印刷版用の修正液、ドライヤー等による乾燥を必要としない短時間で作業が終了する平版印刷版用の修正液、フリンジ汚れ（周辺部汚れ）の発生のない平版印刷版用の修正液を提供する。
【解決手段】平版印刷版に塗布定着させて、印刷汚れの修正を行う平版印刷版用の修正液であって、該平版印刷版用の修正液が少なくとも１種の疎水性樹脂、および少なくとも１種の親水性樹脂を含有することを特徴とする平版印刷版用の修正液。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 銅及び銅を主成分とする銅合金、各種の低誘電率膜を有する半導体装置の製造工程において、ドライエッチング及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びアッシング残渣を除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物を提供する。
【解決手段】 配線材料として銅又は銅合金を有する半導体回路素子の製造工程において、ドライエッチング及びアッシング処理後の半導体基板に残留する残渣を除去する除去液であって、フッ化水素酸を含有し、無機フッ素化合物以外の無機アルカリ、有機アルカリ、および水溶性有機アミンを含有しない、前記除去液。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、そのコンタクト抵抗値の増加や接合不良を生じさせることのない、表示デバイスの製造技術を提案する。
【解決手段】 基板上に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、前記レジストを剥離する剥離液は、非水系溶液を用いるものとし、この非水系溶液は、極性溶剤および／または有機アミンを含有する。 （もっと読む）

【課題】 レジスト、反射防止膜等の溶解性、剥離性に優れるリソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤を提供する。
【解決手段】 リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤は、（a1）プロピレングリコール−１−アルキルエーテルアセテート、（a2）１，３−ブタンジオール−３−アルキルエーテルアセテート及び（a3）酢酸アルキルエステルからなる群より選ばれた少なくとも１種の溶剤Ａと、（b1）プロピレングリコール−１−アルキルエーテル及び（b2）１，３−ブタンジオール−３−アルキルエーテルからなる群より選ばれた少なくとも１種の溶剤Ｂとからなり、等容量の水と混合した場合に均質な溶液を形成しうるものである。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく、基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を良好に剥離する。
【解決手段】 レジストおよびレジスト残渣を剥離するための薬液としてアミン化合物と、０．００１〜０．０５重量％のフッ化水素とを含有する剥離用組成物が準備される。そして、この薬液がＳＣＦと混合されて処理流体が調製される（ステップＳ４）。そして、この処理流体を処理チャンバーに供給する。これにより、処理流体（ＳＣＦ＋薬液）が処理チャンバー１１内で基板の表面に接触し、基板に付着しているレジスト、レジスト残渣などの不要物質が剥離除去される。 （もっと読む）

【課題】 過硫酸の供給装置において、過硫酸濃度を十分に高くして繰り返し再生利用することを可能にするとともに、溶液寿命を判定可能にする。
【解決手段】 過硫酸溶液２を洗浄液として被洗浄材３０を洗浄する洗浄槽１と、該洗浄槽から排出した洗浄液を電解して該洗浄液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成して過硫酸溶液を製造する電解反応槽１０ａ、１０ｂと、洗浄槽１と電解反応槽１０ａ、１０ｂとの間で、過硫酸溶液を循環させる循環ライン４、４ａ、５、５ａを備える。さらに、前記洗浄に伴って前記過硫酸溶液中に蓄積される不純物量を測定する不純物量測定手段１６、１７ａ〜１７ｃ、１８を設ける。硫酸溶液を繰り返し利用して過硫酸溶液を電解反応装置によってオンサイトで再生して洗浄に使用でき、また、過硫酸溶液の寿命を的確に判定して洗浄作用の低下を回避できる。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】脂環式ケトン類、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類および／またはアルコール類および所望により酢酸エステル類を含有する、顔料を含有する感光性組成物の除去のための感光性組成物除去液。 （もっと読む）

【課題】 過硫酸の供給装置において、過硫酸濃度を十分に高くして繰り返し再生利用することを可能にするとともに、安全性を高めた動作を可能にする。
【解決手段】 過硫酸溶液２を洗浄液として被洗浄材３０を洗浄する洗浄槽１と、電解反応により、溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成して過硫酸溶液を製造する電解反応槽１０ａ、１０ｂと、洗浄槽１と電解反応槽１０ａ、１０ｂとの間で、過硫酸溶液を循環させる循環ライン４、４ａ、５を備える。さらに、前記電解反応槽等における異常動作時に異常値を示す動作物性量を測定する測定手段２１、２２、２３を設ける。また、前記異常動作時に、前記電解反応槽等に対する保安動作を行う安全装置２５ａ、２５ｂ、２６を設ける。過硫酸溶液を電解反応装置に再生して供給する。的確な安全管理、異常時の保安動作を確実にする。 （もっと読む）

本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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【課題】 これまでの洗浄液では、十分な洗浄を行うことができなかったＡｒＦ仕様のレジストに対して一様に良好な洗浄性を示し、処理後の乾燥性がよく、しかも洗浄によりレジストの特性がそこなわれることのない洗浄液を提供する。
【解決手段】 アルコキシカルボン酸アルキルエステル単独又はこれとアルコキシベンゼンとの混合溶剤からなるリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜等由来のエッチング残渣、銅等の配線材料由来のエッチング残渣、およびレジスト由来のアッシング残渣からなる種々の残渣を十分に除去することができ、かつ半導体を形成する銅等の配線材料、絶縁膜、および低誘電層間絶縁膜を腐食させない基板洗浄液を提供する。
【解決手段】 フッ化物塩、下記一般式（Ｉ）で表されるチオール化合物および水を含有する基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、水素原子、炭素数が１〜３のアルキル基、あるいはＣＯＯＲ^４（Ｒ^４は、水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基である。）であり、Ｒ^３は、水素原子、ＮＨ_２、またはＮＨ（ＣＯ）Ｒ^５（Ｒ^５は、炭素数が１〜３のアルキル基である。）である。） （もっと読む）

【課題】半導体製造時洗浄工程において、ウェハー表面上のフォトレジスト残留物、他の残留物及び不純物が完全に除去されない場合がある。
【解決手段】システムは超臨界処理チャンバーに連結されたメトロロジーモジュールを含み、本願の方法はメトロロジーチャンバー内の基板ホルダ上に基板を配置し、基板の少なくとも一つのフィーチャー内の残留物を測定し、測定された残留物に基づき超臨界洗浄プロセス処方を決定し、メトロロジーチャンバーに連結された超臨界処理チャンバー内の基板ホルダ上に基板を配置し、決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて超臨界流体で基板を洗浄し、超臨界処理チャンバーから基板を取り出すことを含む。前記方法は、メトロロジーチャンバー内での基板の再配置、及び基板の少なくとも一つのフィーチャー内に残存する残留物の測定をさらに含む。 （もっと読む）