【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことを可能とする薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、有機膜パターン４の表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、からなる阻害層が形成されている。水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカノールアミン、炭素数が５以上の糖アルコール、酸及び酸性塩から選択される少なくとも１種、及び残部の水からなり、有機膜パターン４における阻害層以外の部分を溶解させる速度が、室温において、２０００Å／分以下である薬液を用いて、阻害層を除去する。 （もっと読む）

【課題】アクリル系カラーフィルターの製造ラインを構成する処理槽内に付着した当該カラーフィルター用樹脂組成物からなる樹脂汚れを、それが半硬化状態となっていても容易に除去することのできる水性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】カラーフィルターの製造ラインを構成する処理槽内に付着した当該カラーフィルター用樹脂組成物からなる樹脂汚れを、該処理槽内から除去するための水性洗浄剤組成物は、成分（Ａ）アルカリ剤０．１〜１０重量％、成分（Ｂ）有機溶剤３０〜５０重量％、成分（Ｃ）キレート剤１〜１０重量％、成分（Ｄ）界面活性剤０．０１〜１重量％、及び成分（Ｅ）水 残部を含有する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】少なくともホスホン酸（Ｈ_２ＰＨＯ_３）と水溶性有機溶媒とを含有する水溶液であるレジスト用剥離剤組成物を提供する。そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

イオン注入された領域を有する基材から汚染を除去するための方法について記載されている。本方法は、基材にフッ素化溶媒と共溶媒とを含む組成物を、その基材からの汚染の除去を助けるのに十分な量で適用する工程を含む。汚染が除去されても、基材上の金属パターン又は他の所望の特徴は残存する。加えて、汚染を除去するための組成物は、使用者又は基材に対して有害ではない（すなわち、不燃性及び／又は非腐食性である）。
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【課題】使用温度で液体であり、銅等の金属が腐食され難く、且つ濾過が容易で再利用し易いレジスト剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明のレジスト剥離剤組成物は、３〜６員環を有する環状エステル（炭酸エチレン、炭酸プロピレン等）、低級アルキル基を有するケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、及び特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテル類（エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）のうちの１種と、特定の環状アミド類（Ｎ−メチル−２−ピロリドン等）又は特定の直鎖状アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等）との混合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ製造工程において、Ａｌ又はＡｌ合金配線を腐食することなく、かつ、Ｃｕ又はＣｕ合金配線を腐食することなく、フォトレジストを剥離できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。
【解決の手段】マルトール、２，６−ジメチルガンマピロン、４−ヒドロキシ−６−メチル−２−ピロン、４−ヒドロキシクマリン、２，４−ジヒドロキシキノリン、２−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン、２−アミノ−４−ヒドロキシ−６−メチルピリミジン、４，６−ジメチル−２−ヒドロキシピリミジン、ウラシル及び６−メチルウラシルからなる群から選択される少なくとも１種の複素環式化合物０．０５〜１０重量%、一級若しくは二級のアルカノールアミン又はアルキルアミン５〜４５重量%、極性有機溶剤３０〜９４．８５重量％、糖アルコール０．１〜１０重量％含有するフォトレジスト剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光において要求される撥水性が十分に高く、膜剥がれ抑制効果の大きいレジストパターンの形成方法と、その方法により製造した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明のある実施形態によれば、被加工膜が形成された半導体デバイスの基板上に対物レンズを配置し、対物レンズと基板の間に液膜を形成して露光する液浸露光によるレジストパターンの形成方法であって、少なくとも撥水化剤と溶剤とからなる撥水化剤薬液で処理した基板を露光することを特徴とするレジストパターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

本方法において、スズまたはスズ混合物のための使用済みの剥離液は処理されて、溶解または懸濁した金属化合物を沈殿させる。一方において再生使用のための化学物質が、他方において、銅、スズ、鉛および／または鉄などの金属が廃液流から回収される。沈殿効率は、上昇温度にて剥離液の加熱と、沈殿試薬の添加とにより改善される。沈殿物が除去されると、残存液は、通常新しい溶液と混合されてリサイクル可能となる。少なくとも１つの無機酸、第二鉄イオン、少なくとも１つの有機酸および少なくとも１つの有機添加剤を含む再生されたスズ剥離液の製造方法において、剥離液は上昇温度にて加熱され、沈殿試薬が添加され、沈殿物が分離および除去され、前述の１つまたは複数の酸または添加剤が、所望のスズ剥離能力の回復のために添加される。 （もっと読む）

【課題】優れた剥離性、安全性及び防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表される２−アルコキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び水を含み、前記２−アルコキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び水の重量比が３０：７０〜１００：０であるレジスト剥離剤。


（式中、Ｒ^１はアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】環状オレフィン系重合体を含有してなる組成物に対し非常に優れた除去性を発揮し、絶縁基板を充分に洗浄することができるシンナー組成物を提供すること。
【解決手段】１−メトキシ−２−プロパノール及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有してなる、環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物。 （もっと読む）

【課題】
環状オレフィン系重合体を含有する組成物に対し優れた溶解性を有し、かつ乾燥性にも優れるシンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
２種のアルコールエーテルと２種のアルコールエステルを含有してなることを特徴とする環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭノズル５からウエハＷの表面にＳＰＭが供給される。また、ＳＰＭの供給終了後は、超音波振動が付与された約２００℃の硫酸が超音波硫酸ノズル６からウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面にＳＰＭが供給されると、硬化層に形成された多数の微細孔を通って、ＳＰＭが硬化層の内部に浸透する。硬化層の内側の生レジスト（未硬化のレジスト）が除去され、ウエハＷの表面には、空洞化した硬化層だけが残存する。超音波振動が付与された硫酸がウエハＷの表面に供給されると、超音波振動の物理的なエネルギーによって、ウエハＷの表面上に残存するレジストの硬化層は、粉砕されて、ウエハＷの表面から除去される。 （もっと読む）