【課題】フォトレジスト剥離剤組成物、これを用いる配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト剥離剤組成物は、ブチルジグリコール５０重量％以上７０重量％以下、アルキルピロリドン２０重量％以上４０重量％以下、有機アミン化合物１重量％以上１０重量％以下、アミノプロピルモルホリン１重量％以上５重量％以下及びメルカプト化合物０．０１重量％以上０．５重量％以下を含む。これにより、フォトレジスト剥離能力に優れ、フォトレジスト膜が残留フォトレジストなしに完全に除去され、銅導電膜の酸化及び腐蝕が抑制されることによって、配線の信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去用組成物及びこれを使用したレジストの除去及び分解方法に関し、より詳細には、カーバメート系化合物を含むレジスト除去用組成物に関する。本発明のレジスト除去用組成物は、オゾンによる工程中にレジストの除去によって発生するレジスト残留物を選択的に分解して、処理枚数を飛躍的に向上させて、金属配線または酸化膜の腐食を防止する効果がある。
【解決手段】（ａ）環状ラクトン系化合物及び（ｂ）アミド系化合物、カーバメート系化合物、またはこれらの混合物を含むレジスト除去用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたは銀を含む金属層の形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）界面活性剤を１質量％以上３０質量％以下、（Ｂ）防食剤を０．０５質量％以上１０質量％以下、（Ｃ）水を５質量％以上６０質量％以下、および（Ｄ）水溶性有機溶剤を３０質量％以上９５質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】少なくとも導電性金属膜としてタンタルを含む金属層が形成された基板上のフォトレジスト膜の残留物及びエッチング残渣物を効果的に除去することが可能なフォトレジスト用剥離液、及びこれを用いた基板の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトレジスト用剥離液は、（ａ）４級アミン水酸化物を０．５重量％以上２０重量％以下、（ｂ）水溶性有機溶剤を１０重量％以上８０重量％以下、及び（ｃ）水を１５重量％以上８０重量％以下含有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む金属層の形成された基板に対して、さらにはその他の金属を含む金属層が形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）糖アルコールを０．１質量％以上１０質量％以下、（Ｂ）アルカノールアミンを３質量％以上２０質量％以下、（Ｃ）水を５質量％以上４０質量％以下、および（Ｄ）水溶性有機溶剤を６０質量％以上９５質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離の性能に優れるレジスト剥離剤及び優れた溶解力を有する溶剤及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】下記式で表されるレブリン酸アミド類、又はこのレブリン酸アミド類と水を含むレジスト剥離剤。
ＣＨ_３−ＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯ−ＮＲ^１Ｒ^２
（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、さらに互いに結合して環構造を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】超臨界流体を用いた処理により、表面に硬化層が形成されたレジストパターンを完全に除去することが可能なレジストパターンの除去方法を提供する。
【解決手段】表面が硬化層Ａで覆われたレジストパターン１０１を基板１００上から除去する方法である。先ず第１工程では、硬化層Ａで覆われたレジスト成分１０１ａを溶出させずに硬化層Ａと基板１００とが接する部分において硬化層Ａと基板１００との密着性を弱める作用を有する転化剤を含む超臨界流体を用いた処理を行う。次の第２工程では、レジスト成分１０１ａを溶解する有機溶剤を含む超臨界流体を用いた処理を行うことにより、硬化層Ａを基板１００上からリフトオフ除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子回路または表示素子をパターニングするレジスト除去用組成物のうち、配線金属の腐蝕を防止することができるレジスト除去用組成物に関する。本発明によるレジスト除去用組成物は、フォトレジストを除去する工程時間に配線金属を腐蝕させず、除去力が非常に優れている。
【解決手段】本発明は、ａ）ジアミン化合物を１〜２０重量％、及びｂ）グリコールエーテル化合物を残部で含むレジスト除去用組成物を提供する。前記組成物は極性溶媒をさらに含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における基板工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）におけるレジスト、反射防止膜の剥離は、従来は硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液（ＳＰＭ洗浄液）により行われてきたが、生産性が低く、コスト的にも不利であり、なおかつ濃厚で高温処理が必要であった。特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド及び水を含んでなるレジスト剥離用組成物では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属層の形成された基板に対して、さらにはその他の金属を含む金属層が形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを０．５質量％以上２０質量％以下、（Ｂ）アルカノールアミンを１０質量％以上９０質量％以下、および（Ｃ）水溶性有機溶剤を１０質量％以上９０質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストが除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸及び可溶性ケイ素化合物を含んでなる組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】低温短時間の剥離条件下において残渣（例えば、Ａｌ、ＣｕおよびＴｉを含む酸化生成物）を好適に剥離でき、配線（特にＡｌを含む金属配線）等に対する腐食抑制効果が高く、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水と含み、２０℃におけるｐＨが９〜１３である剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
本発明はフォトレジスト用ストリッパー組成物に関するものである。本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ（Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもフォトレジスト下部の導電性膜または絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れる。 （もっと読む）

【課題】剥離液濃度を常時一定範囲に維持でき、新液交換時期の延長とランニングコストの低減化が可能な水系レジスト剥離液の管理方法とその管理装置を提供する。
【解決手段】まず、水系フォトレジスト剥離液に含まれる複数成分の濃度変化を、予めこの変化に対応する導電率および超音波伝播速度変化の相対関係として記憶する（ステップＳ１）。次に、レジスト剥離に際して、剥離液中の複数成分のうちの特定成分を、剥離液の代表成分として選択する（ステップＳ２）。代表成分の導電率と超音波伝播速度とを測定し（ステップＳ３）、両測定値が予め記憶した代表成分の相対関係の管理範囲内にあるか判断し（ステップＳ４）、範囲内にある場合は終了するがない場合は偏差値が解消するまで制御する（ステップＳ５〜Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】レジスト由来のアッシング残渣、Ｓｉ系材料由来のエッチング残渣、銅等の配線材料由来のエッチング残渣、および酸化銅からなる自然酸化膜からなる種々の残渣を十分に除去することができ、かつ半導体を形成する銅等の配線材料、絶縁膜、および低誘電層間絶縁膜を腐食させない基板洗浄液を提供する。
【解決手段】フッ化物塩、下記一般式（Ｉ）で表されるチオール化合物、防食剤および水を含有する基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｒ^１は水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基であり、Ｒ^２はＣＯＯＲ^３（Ｒ^３は、水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基である。）である。） （もっと読む）

【課題】配線等の腐食抑制効果が高く、低温短時間の剥離条件下における金属含有残渣等に対する剥離性能が高く、かつ、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、およびこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、水と、フッ化アンモニウムと、グルコン酸およびグルコン酸非金属塩からなる群から選択される少なくとも１つとを含み、２５℃におけるｐＨが４．５〜５．８である剥離剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン原子を含まないイオン性液体の提供。
【解決手段】アニオン（Ｂ）とカチオン（Ｃ）からなるイオン性液体（Ａ）であり、アニオン（Ｂ）が式（３）で表されるアニオンなどからなる群より選ばれる、少なくとも１種であるイオン性液体（Ａ）からなる、イオン性液体。（Ｒ^９〜Ｒ^１２は各々、水素原子、又は水酸基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、エーテル基、アルデヒド基を有してよい、炭素数が１〜５の炭化水素基であり、同じでも異なっていてもよい。）
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【課題】 有機溶剤溶液から形成されるレジスト、反射防止膜あるいはフォトスペーサなどに対して良好な溶解性、剥離性を有するリソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤を提供する。
【解決手段】 リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤は、置換基を有していてもよいシクロアルカノールアセテートを含むことを特徴とする。さらに、有機溶剤として、モノプロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、モノプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、１，３−ブタンジオールアルキルエーテル、１，３−ブタンジオールアルキルエーテルアセテート、グリセリンアルキルエーテル及びグリセリンアルキルエーテルアセテート等を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】
洗浄力が優れており、金属膜質の腐蝕を防止し、引火性物質であるアルコール類化学物質に代わって使用でき、効果的に基板上の有機異物及び埃などの無機異物を洗浄することができるレジストッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【解決手段】
ａ）有機アミン系化合物０．０５乃至１０重量部、ｂ）有機溶剤０．０５乃至３０重量部、ｃ）トリアゾール系腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、ｄ）ヒドロキシフェノール類、アルキルガレート類、及び還元剤類からなる群より選択される腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、及びｅ）残量の水を含むケミカルリンス組成物。 （もっと読む）