【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにする。
【解決手段】 まず、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる配線形成用メッキレジスト膜２３をそのまま残存させた状態で、電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の第１の開口部２６内の配線８の接続パッド部上に柱状電極９を形成する。次に、両メッキレジスト膜２３、２５をモノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて同時に剥離する。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５は、ダイシングライン２２に対応する部分に形成された第２の開口部２７の存在により、平面的な剥離面積が小さくなり、且つ、レジスト剥離液に浸される表面積が大きくなるので、剥離されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルターの不良基板または配向膜塗布後のガラス基板からカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、配向膜およびホトレジストを除去するための洗浄剤組成物、洗浄方法および洗浄された電子部品を提供する。
【解決手段】式（１）で示される化合物および多価カルボン酸塩から選ばれる１種以上、親水性有機溶剤、並びにアルカリ成分を含有する洗浄剤組成物。
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【課題】本発明は半導体基材から不要な有機及び無機の残渣及び汚染物質を除去するために使用する、水系洗浄組成物に関する。
【解決手段】洗浄組成物は、基材からの有機残渣除去を主に担う成分として、例えばジメチル尿素のような尿素誘導体を含む。本発明の洗浄組成物にはフッ化物イオン源も含まれ、基材からの無機残渣除去を主に担う。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境に許容されうるものである。 （もっと読む）

【課題】いろいろな特化されたアミン化合物を含む剥離液を使用する剥離工程といろいろな種類のレジストと剥離液が使用される場合に発生したレジスト剥離廃液を経済性良く再生するに特に適したレジスト剥離廃液再生方法および再生装置を提供する。
【解決手段】本発明は、水、レジスト、アミン化合物、有機溶媒を含むレジスト剥離廃液を再生する方法であって、（ａ）レジスト剥離廃液のアミン化合物と反応して剥離廃液からアミン化合物をアミン−酸化合物として析出させる酸を添加する工程；（ｂ）前記（ａ）工程で析出されたアミン−酸化合物を剥離廃液からフィルタリングする工程；および（ｃ）前記（ｂ）工程のアミンが除去された剥離廃液を分別蒸留させて有機溶媒のみを収得する工程を含むことを特徴とするレジスト剥離廃液の再生方法及びこれに適した再生装置に関する。 （もっと読む）

【課題】いろいろな特化されたアミン化合物を含む剥離液を使用する剥離工程といろいろな種類のレジストと剥離液が使用される場合に発生したレジスト剥離廃液を経済性良く再生することに特に適したレジスト剥離廃液再生方法および再生装置を提供する。
【解決手段】本発明は、水、レジスト、アミン化合物、有機溶媒を含むレジスト剥離廃液を再生する方法であって、（ａ）レジスト剥離廃液のアミン化合物と反応し、アミン化合物が有機溶媒蒸留時に蒸留されないアミン−酸化合物を形成する酸を添加する工程；および（ｂ）前記（ａ）工程の反応物を分別蒸留させて有機溶媒のみを収得する工程を含むことを特徴とするレジスト剥離廃液の再生方法及びこれに適した再生装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、第一に、炭酸エチレンを主成分とする剥離剤の簡易、迅速で且つ安全な溶解方法を提供することであり、第二に、該溶解方法を組み込んだ基体表面上の有機被膜成分の除去方法を提供することであり、第三に、該方法による除去装置を提供することである。
【解決手段】 炭酸エチレンを主成分とする有機被膜成分の剥離剤であって、２５℃で固体状である剥離剤を、マイクロ波を用いて溶解することを特徴とする剥離剤の溶解方法。
並びに、一時保管及び／又は貯蔵した固体状の剥離剤をマイクロ波を用いて溶解することを特徴とする基体表面上の有機被膜成分の除去方法および除去装置を提供。
本発明によれは、固体状の該剥離剤を短期間に安全に溶解できる結果、有機被膜成分を表面上に有する基体を処理する場合に、必要な枚数を除去するまでの時間が短縮でき、生産性が向上した除去方法および除去装置が提案できる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト剥離処理後にシード層の上に残渣物が残っている場合はシード層をエッチングする工程にて所定領域のシード層が除去されずパターン回路が相互に短絡する。また隣接するパターンの間隔が狭くなる等の欠陥となる。
【解決手段】 パターンの形成方法において、下地金属層上にパターンに対応したレジスト層を形成し、該パターンにメッキにより導体回路を設け、前記レジスト層をアルカリ性のレジスト剥離液により剥離し、剥離した後に残る残渣物である2 、2'- ビス(o- クロロフェニル)-4 、4'、 5、5'- テトラフェニル-1、2'- ビイミダゾールを酢酸 、クエン酸、蟻酸、乳酸の内の少なくとも１つを含む有機酸とベンゾトリアゾール、2-エチルベンゾイミダゾール、3-ヒドロキシ-2- ピロンの内の少なくとも１つとを含む含窒素化合物を含有する除去液で前記残渣物を除去する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理終了から時間が経っても、基板の表面にパーティクルカウンタの計数対象となるパーティクルが発生するおそれのない基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】まず、基板の表面にＳＰＭが供給されることにより、基板の表面の不要なレジストが除去される。その後、基板の表面に純水が供給されることにより、基板の表面からＳＰＭが洗い流される。そして、基板に付着している純水が一旦除去された後、基板の表面に純水が再び供給される。たとえ純水によるＳＰＭ除去後の基板の表面に硫酸成分が残留していても、その純水が一旦除去されたときに、基板の表面に残留している硫酸成分が乾燥する。乾燥した硫酸成分は、水分を急速に吸い込むことにより、粒径が一気に成長し、基板の表面から剥がれやすくなる。そのため、基板の表面に純水が再び供給されると、基板の表面に残留する硫酸成分が容易に排除される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を良好に剥離する。
【解決手段】レジスト等を剥離するための薬液としてアミン化合物とＴＭＡＦとを含有する剥離用組成物と純水とがＳＣＦと混合されて処理流体が調製され、この処理流体が処理チャンバーに供給される（ステップＳ４）。これにより処理流体（ＳＣＦ＋薬液＋純水）が処理チャンバー内で基板の表面に接触し、レジスト等が基板から剥離除去される。 （もっと読む）

超小型電子デバイスを洗浄するための非水性剥離洗浄組成物であって、この組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および有害な副反応を阻害する少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤を含む。この組成物には、例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属錯化剤または金属キレート剤、および腐食防止剤などの他の任意の成分もまた含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】未硬化の感光性組成物の除去に用いられる除去液。テルペン系炭化水素を１〜８０質量％、テルペン系炭化水素以外の溶剤を２０〜９９質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質有機シロキサン膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造方法において、フォトレジスト膜をマスクにして多孔質有機シロキサン膜をパタン加工した後、多孔質有機シロキサン膜を劣化させずに、かつ簡便にフォトレジスト膜を除去する。
【解決手段】 炭素量／シリコン量が０．３以上０．７以下で比誘電率が２．４以上２．６以下或いは炭素量／シリコン量が０．４以上０．６以下で比誘電率が２．２以上２．６以下の多孔質有機シロキサン膜を製膜し、その上方にパタンを有するフォトレジスト膜を成膜し、これをマスクとして多孔質有機シロキサン膜をドライエッチング加工し、しかる後にアミン系剥離液でフォトレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジストの除去方法、特に最表層にレジスト変性層が形成されている場合であっても高効率に基板からレジストを除去することができるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】基板からレジストを除去する方法であって、基板の表面にピロリドン類を含有する溶剤を供給する有機溶剤処理工程を有するレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】 金属膜の上部に残留するレジストを除去する力が優れ、高温で揮発による組成変化及び薬液疲労度が微細であって、金属膜の腐食を最小化できるレジスト除去用組成物。
【解決手段】 下記の化学式に示される化合物からなる群より選択されるラクトン系化合物を含むレジスト除去用組成物。


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【課題】フォトレジスト等の残渣、および／又はエッチング／アッシング後の残渣等の残渣が除去できる。
【解決手段】残渣クリーニング組成物は以下を含む:(a)水;(b)フッ化物;(c)有機酸および塩基を含むｐＨバッファー系。有機酸はアミノアルキルスルホン酸および／又はアミノアルキルカルボン酸であることが可能である。塩基は、アミンおよび又はアルキル水酸化第四級アンモニウムである可能性がある。組成物は、実質的には加えられた有機溶媒からフリーであり、且つ約５〜約１２の範囲のｐＨを有する。基材から残渣を除去する方法は、残渣とクリーニング組成物との接触を含む。バターンの規定方法は、フォトレジストを通した基材へのパターンのエッチング、フォトレジストが灰化するのに充分な温度にパターン化された基材を熱すること、および該クリーニング組成物と残渣が接触することによる除去を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はレジスト膜の除去力が優れており、薬液疲労度が少ないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト除去用組成物に関し、より詳しくは酸素二重結合を有する環状化合物、グリコール系化合物、及びカーボネート系化合物で構成される群より選択される化合物を利用するレジスト除去用組成物に関する。本発明のレジスト除去用組成物はラクトン系化合物、アミン又は有機酸、酸化剤、又はこれらの混合物をさらに含むことができる。本発明のレジスト除去用組成物は電子回路又は表示素子の金属配線をパターンするレジスト除去に使用されて、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去力が優れており、高温で揮発に応じた組成変化及び薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐食を最少化できる。 （もっと読む）

【課題】組成が単純で、作業者及び環境に有害な有機溶媒を含有せず、且つ、半導体集積回路又は液晶ディスプレイのフォトプロセスに使用されるフォトレジスト、或いはフォトレジストコーティング装置及び現像液配管系統のフォトレジスト残渣に対して優れた溶解能を有する水性フォトレジスト洗浄組成物を提供する。
【解決手段】水性アルカリフォトレジスト洗浄組成物であって、該組成物の総重量に対し、少なくとも一種のアルカリ化合物を１〜５０重量％、少なくとも一種のジアミン化合物を０．１〜２０重量％、水を３０〜９８．９重量％含み、ｐＨが１２超である組成物。フォトレジスト洗浄組成物は、使用前に実際のプロセス条件に応じて加熱及び／又は希釈することができる。更に、本発明の組成物は有機溶媒を含有しないので、通常の作業環境で安全に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】前処理を工夫することにより、アッシングを行うことなく、高ドーズの膜をウエット処理で剥離除去することが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】加熱ユニット１にて、酸素雰囲気中でウエハＷに加熱処理を行ってフォトレジスト膜Ｆをある程度灰化しておき、除去ユニット５にて、ウエハＷに処理液を供給することにより、ウエハＷに被着されたフォトレジスト膜Ｆが高ドーズのものであっても容易に剥離して、完全に除去することができる。その結果、ウエハＷのパターンにダメージを与えることが防止できるので、歩留まり向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来品に較べ少量で洗浄効果を発揮し、かつ顔料の凝集・沈降が起きにくい、顔料分散型感光性樹脂を除去するための洗浄剤を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのアルキル基を有する芳香族化合物を２種類以上含有し、該芳香族化合物における全アルキル基の炭素の総数が３〜５であり、更に、該芳香化合物の全洗浄剤に対する含有量が１０〜４０質量％で、該芳香化合物が１〜３個のアルキル基をもつ単環化合物であり、該芳香化合物以外の溶剤を含有することを特徴とする洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】 剥離液中の剥離剤の濃度を正確に計測すること。
【解決手段】 溶媒に溶解された少なくとも剥離剤を含む複数の溶質の各濃度を測定する剥離液濃度測定装置であって、温度検出器の出力と、特定物性量検出器の出力と、速度演算部の出力から、各溶質の濃度を演算する濃度演算部と、濃度演算部の変換結果を出力する出力装置とを有してなるもの。 （もっと読む）