【課題】ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、フッ化アンモニウム、フッ化アミン、フッ化テトラアルキルアンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩；フッ化物塩以外のアンモニウム塩、フッ化物塩以外のアミン塩、フッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩以外の塩；並びに水を含み、フッ化物塩の濃度が５重量％以上、フッ化物塩以外の塩の濃度が３重量％以上、フッ化テトラアルキルアンモニウム及びフッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩の合計濃度が１５重量％未満であり、ｐＨが７〜９である残渣除去液。 （もっと読む）

有機構造体のフォトリソグラフィーパターニングのための直交方法を開示する。該開示された方法は、有機導体及び半導体の性能が他の攻撃的な溶媒によって不利な影響を受けないように、フッ素化溶媒又は超臨界CO₂を溶媒として利用する。一つの開示された方法では、フッ素化フォトレジストをHFE溶媒と一緒に利用することもできるが、他のフッ素化溶媒を使用することもできる。一実施態様において、該フッ素化フォトレジストはレゾルシンアレーンであるが、様々なフッ素化ポリマーフォトレジスト及びフッ素化分子ガラスフォトレジストを同様に使用することができる。例えば、ペルフルオロデシルメタクリラート（FDMA）と2-ニトロベンジルメタクリラート（NBMA）との共重合体は、フォトリソグラフィー処理において、フッ素化溶媒及び超臨界二酸化炭素とともに使用するのに適した直交フッ素化フォトレジストである。フッ素化フォトレジストとフッ素化溶媒との組合せは、当業者に公知の方法又はデバイスではまだ達成されていない、強固な直交方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト被膜の除去性を低下させないで、長期間に渡る剥離液の繰返し再使用が可能であるばかりか、導電性高分子の表面抵抗や導電性高分子と基材との密着性も悪化さず、さらに、経済性や安全性にも優れており、廃棄物が少なくできるため環境にも悪影響を及ぼさない導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法を提供。
【解決手段】レジスト被膜を除去後の剥離液を、細孔径２〜５ｎｍであって、分画分子量が１０００〜４０００のセラミックフィルターを用いて膜濾過することにより、レジスト被膜を該剥離液から取り除き、導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去に再使用する。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び／又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、少なくとも１種の鉱酸及び少なくとも１種の酸化剤を含む。低ｐＨ組成物は、下のケイ素含有層（複数可）を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性、環境性能及び剥離性能を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド化合物。


（式中、Ｒはメチル基又はエチル基である。）ジメチルアクリルアミド及びメトキシエタノール、又はジメチルアクリルアミド及びエトキシエタノールを塩基性触媒存在下で反応させることにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。
【解決手段】脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含むストリッパー調合物。および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。
【解決手段】ヒドロキシルアミンと、水と、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリジン、ジメチルアセトアミド、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、モノエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される溶媒と、水酸化コリン、モノエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、アミノエチルエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される塩基と、カテコール、没食子酸、乳酸、ベンゾトリアゾール及びそれらの混合物からなる群より選択される金属腐食防止剤と、グリセリン、プロピレングリコール及びそれらの混合物からなる群より選択される浴寿命延長剤とを含むフォトレジスト剥離剤配合物が提供される。さらに、上記配合物を使用する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの剥離性が良好で、レジストパターンのスソ浮き発生性が少なく、メッキ銅剥がれが少ない感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性樹脂積層体を提供する。
【解決手段】（ａ）酸当量１００〜６００であるアルカリ可溶性樹脂：３５〜７０質量％、（ｂ）光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物：２５〜６０質量％、（ｃ）光重合開始剤：０．１〜７質量％、及び（ｄ）特定のメルカプトトリアジン化合物：０．０３〜０．０９質量％、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に形成したレジスト層４０に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層４０を現像し、レジスト層４０に開口部（抜きパターン４２）を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層４０を処理し、レジスト層４０の開口部（抜きパターン４２）の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像液と剥離液との溶質を同一材料とすることを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板上に水溶性の感光性樹脂を形成する工程と、感光性樹脂を露光する工程と、感光性樹脂を現像液を用いて現像する現像工程と、現像工程の後に基板上に残った感光性樹脂を剥離液を用いて剥離する剥離工程と、膜パターンの材料を堆積する堆積工程と、を有する膜パターンの形成方法であって、剥離液と現像液とが同一の溶質からなり、剥離液の溶質の濃度が、現像液の溶質の濃度よりも高いことを特徴とする膜パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）フッ化物イオンを提供する少なくとも１種のフッ化物化合物、（ｂ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも１種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および（ｃ）水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）少なくとも１種の極性、水混和性有機溶媒、（ｅ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、１種またはそれ以上の（ｆ）多価アルコール、および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である、少なくとも１種の「黄変」または「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、（ｂ）少なくとも１種の遊離アミン、および、（ｃ）少なくとも１種の有機溶媒または少なくとも１種の有機溶媒および水を含有する、フッ化物不含の有機溶媒をベースとする洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終生成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、（ｅ）多価アルコール、（ｆ）金属キレート化剤および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】変質、硬化したレジストを短時間に効率よく除去する。
【解決手段】図１に示す洗浄方法は、基板の表面に形成された硬化した不要なレジストを除去するため、一枚毎に洗浄する枚葉装置を用いた洗浄方法である。この洗浄方法は、以下の工程を有する。被洗浄物にレジスト剥離剤を供給する（ステップＳ１）。その後、被洗浄物にエッチング液を供給する（ステップＳ２）。その後、ステップＳ１およびステップＳ２を少なくとも２回繰り返したか否かを判断する（ステップＳ３）。少なくとも２回繰り返していない場合（ステップＳ３のＮｏ）、ステップＳ１に移行してステップＳ１以降の処理を引き続き行う。一方、少なくとも２回繰り返した場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、次工程に移行する。または処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物。
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【課題】金属（特にアルミニウム）の腐食を抑えつつ、金属イオンを含まない、優れたカラーレジスト剥離性を有するカラーレジスト用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、第４級アンモニウム水酸化物［Ｂ］、アルカノールアミン［Ｃ］、３〜８価の多価アルコール［Ｄ］、及び、下記一般式（１）で表わされるシラン系化合物［Ａ］を含有し、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤［Ｅ］を含有しないか、又は、３０重量％未満の量で含有し、かつ、前記［Ｂ］成分の含有量の上限が１０重量％であるカラーレジスト用剥離剤。
[（Ｘ_２Ｎ−（ＣＨ_２）_ｌ−）_ｍＮＨ_２−ｍ−（ＣＨ_２）_ｋ−]_ｎＳｉ（ＯＲ）_４−ｎ （１）
［但し、式中ｋ、ｌは１〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素又は炭素１〜４のアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離するのに好適な剥離用組成物を提供する。
【解決手段】化合物群Ｘから選ばれる１種以上からなる溶剤Ａを主成分とすることを特徴とする剥離用組成物。化合物群Ｘは、誘電率が７以上である環状エーテル系化合物、誘電率が７以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が７以上であるアミド系化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】電子工業用で使用可能な純度の高価な剥離液の補充を少なくし、剥離液廃液から従来より高い回収率で精製剥離液を再生することのできる新規な剥離液の高収率再生方法および装置の提供。
【解決手段】液晶ディスプレイパネルの製造工程から排出されるレジストを含有する剥離液廃液からレジストを分離除去し、剥離液を再生する方法において、剥離液廃液中のレジスト重量に対し０．０１〜０．２倍重量のアルカリを添加することを特徴とする剥離液の再生方法および装置。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】アルカノールアミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト除去能力が十分でなく、特に有機溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシアルキル）エチレンジアミンを含んでなるレジスト除去用組成物では、レジスト除去能が高く、なおかつ有機溶媒を分解せず、半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージがない。Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシアルキル）エチレンジアミンとしては、Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（２−シアノエチル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−（２−メチル−２−シアノエチル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン等が好ましい。 （もっと読む）