【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンとオクチル酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅をほとんど腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種である。芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】吸着工程では、レジスト剥離液成分含有水（原水）が原水供給ライン１１から吸着材充填塔１内に供給され、該原水中のレジスト剥離液成分が吸着材１ａに吸着される。レジスト剥離液成分が吸着された処理水は、処理水抜出ライン１２から抜き出されて系外に排出される。脱離工程では、過熱水蒸気が過熱水蒸気供給ライン１３ａから吸着材充填塔１内に供給され、吸着材１ａに吸着されたレジスト剥離液成分が脱離される。この脱離したレジスト剥離液成分と過熱水蒸気との混合流体（気体）が、混合流体抜出ライン１４ａから抜き出され、蒸留塔２に供給される。この蒸留塔２内において、レジスト剥離液成分（アルカノールアミン、有機溶媒等）と水蒸気とが分留される（蒸留工程）。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性化合物、（成分ｄ）有機酸、並びに、０．１重量％以上、０．５重量％未満の（成分ｅ）無機酸及び／又はその塩、を含み、ｐＨが６〜８であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入フォトレジストを剥離する際に有用である、少なくとも１つの酸性官能基を含有する水溶性ポリマーおよび少なくとも１つのランタニド金属含有酸化剤の水溶液を含むスピンオン配合物を提供する。
【解決手段】このスピンオン配合物をイオン注入フォトレジストに塗布し、ベークして、改質フォトレジストを形成する。改質フォトレジストは、水性、酸性、または有機溶剤に溶ける。このため、上述の溶剤の１つを用いて、イオン注入フォトレジストおよび存在し得るいずれかのフォトレジスト残留物を完全に剥離することができる。改質フォトレジストを剥離した後、水洗いステップを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供すること。
【解決手段】 基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法とする。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも１つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも１つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび／またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 （もっと読む）

本発明は、フォトレジストストリッパー組成物に関するものである。より具体的に、本発明によるフォトレジストストリッパー組成物は、化学式１で示される化合物を含むことによって、フォトレジストの剥離能力が優れていて、フォトレジスト下部膜にモリブデン（Ｍｏ）が含まれる場合にもフォトレジスト下部膜に対する腐蝕防止力が優れている。
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本発明の非水系レジスト剥離液組成物は、（ａ）塩基性化合物、（ｂ）アミド化合物、（ｃ）極性溶媒、及び（ｄ）アルカノールアミン塩を含むことを特徴とする。
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【課題】
優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、更にこれらの異種金属間のガルバニック腐食も抑制するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】
２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール、尿素及び水を含んでなるレジスト剥離剤では、優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、さらに銅−モリブデン間のガルバニック腐食も抑制できる。２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールは０．１重量％以上８０重量％以下、尿素は０．１重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅系配線の形成のためのレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明のレジスト除去用組成物は、剥離剤として、スルホン及び／又はスルフィン及び／又はエステル基を含む化合物を使用することを特徴とする。前記レジスト除去用組成物は、中間洗浄液としてのイソプロパノールを使用しなくても、レジストの下部に位置する銅又は銅合金配線などの導電性金属膜、及び酸化ケイ素膜や窒化ケイ素膜などの絶縁膜に対する腐食を効果的に防止することができ、低温でも変質及び／又は硬化したレジストを短時間内に綺麗に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ基板の製造工程で発生する不良基板からカラーレジストを効率よく除去することが可能なカラーフィルタ基板再生用レジスト剥離液組成物、およびそれを用いたカラーフィルタ基板の再生方法を提供する。
【解決手段】（ａ）無機アルカリ水酸化物および／または第４級アンモニウム水酸化物、（ｂ）アミン化合物、（ｃ）有機溶剤、（ｄ）有機酸およびその塩、（ｅ）残量の水を含む組成とする。
無機アルカリ水酸化物として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および水酸化リチウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
第４級アンモニウム水酸化物として、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリメチルベンジルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。 （もっと読む）

本発明は、ＬＣＤ製造の全プロセス用のフォトレジスト剥離組成物に関し、より具体的には、第三級アルカノールアミン、水、および有機溶媒を含む弱塩基性複合体のような統合水系フォトレジスト剥離組成物に関する。本発明の組成物は、ＬＣＤ製造プロセスにおいてＡｌおよびＣｕの金属配線の腐食を防止し、フォトレジストを除去する性能が高く、Ａｌプロセス、Ｃｕプロセス、有機膜プロセス、およびＣＯＡプロセスの全てに用いられる。
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【課題】再生済の剥離液が所望の剥離性能を有し、かつ再生済の剥離液で基板表面から有機樹脂成分を剥離する際に、基板及び基板上の膜に対しダメージが与えられたり残渣が残ることを抑制可能な剥離液の再生方法を提供する。
【解決手段】
水溶性カルボニル化合物を含む剥離液を用いて基板表面の有機樹脂成分を溶解剥離した後、該剥離液に溶解している有機樹脂成分をオゾンガスにより分解し、さらにイオン交換樹脂で処理する剥離液の再生方法であって、
前記剥離液が水を含み、
前記イオン交換樹脂による処理が、イオン交換樹脂を使用して前記有機樹脂成分を分解することによって生じた生成物を除去する処理であることを特徴とする剥離液の再生方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）