酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法
【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供すること。
【解決手段】 基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法とする。
【解決手段】 基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関し、より詳しくは、ホトリソグラフィにおける現像あるいはホトレジスト剥離の夫々の処理において、導電性や可視光透過性を損なわない薄膜のパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やタッチパネル等に使用される導電性薄膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が多用されている。しかしながら、電子デバイスの需要増大により希少金属であるインジウムの枯渇が懸念されるため、導電性と可視光透過性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）がＩＴＯの代替材料として有望視されている。
【０００３】
しかし、酸化亜鉛薄膜にホトリソグラフィを用いてパターン形成すると、導電性や可視光透過性が低下するという問題があった。
これは、パターニング過程における現像、エッチング、ホトレジスト剥離等の夫々の処理で使用される薬液が強酸性又は強アルカリ性であるため、両性酸化物である酸化亜鉛が溶解することに起因していた。
【０００４】
下記特許文献１及び２には、酸化亜鉛を含有する薄膜におけるパターニング方法が開示されており、現像あるいはホトレジスト剥離の夫々の処理条件について検討がなされている。
【０００５】
特許文献１には、現像とエッチング処理を同時に行うパターニング方法が開示されている。
特許文献１の開示技術は、現像液にｐＨ１３〜１４の水酸化カリウム溶液を用いて現像とエッチング処理を同時に行うものである。この技術を用いると、処理工程数を減らして効率的にパターニングを行うことができる。
しかし、ｐＨ１３〜１４の水酸化カリウム溶液を用い、液温調節や処理時間調節がなされていないため、やはり酸化亜鉛が溶解する虞があり、導電特性や可視光透過性が低下するという問題を解決できるものではなかった。
【０００６】
一方、特許文献２には、現像液に水酸化テトラメチルアンモニウム、エッチング液に硝酸、塩酸、水の混合液、ホトレジスト剥離液にエタノールアミンを用いる酸化亜鉛と酸化スズからなる薄膜のパターンニング方法が開示されている。
特許文献２の開示技術を用いると、８０％前後の可視光透過率と１０−３〜１０−２Ωｃｍの導電特性を有し、且つテーパー形状も良好な薄膜を得ることができる。
特許文献２に記載のパターニング方法では、現像液、剥離液の夫々の薬液濃度が調整されて各処理に供される。しかし、薬液の液温は調節されておらず、また夫々の処理時間についても調節されていないため、過剰な現像処理や剥離処理を防止できるものではなかった。従って、薄膜の溶解を防止することができず、導電特性や可視光透過性の低下を招く虞があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２２７３００号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであって、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１０】
請求項２に係る発明は、前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記剥離液がアミン系化合物であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１４】
請求項６に係る発明は、前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１５】
請求項７に係る発明は、前記酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に係る発明によれば、基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることにより、酸化亜鉛系結晶が溶解する虞がないため膜厚が減少せず、良好なパターン形状が得られるとともに、導電特性及び可視光透過性の変動範囲を１０％未満とすることができる。
【００１７】
請求項２に係る発明によれば、前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることにより、効率的に現像処理を施すことができるため、酸化亜鉛結晶からなる薄膜の溶解を防止することができる。
【００１８】
請求項３に係る発明によれば、前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことにより、現像及び剥離処理を確実に施すことができるとともに、酸化亜鉛結晶からなる薄膜を溶解することなく良好なパターン形状とすることができる。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることにより、レジストパターンの溶解を防止することができ、レジストの現像不良を生じる虞がない。
【００２０】
請求項５に係る発明によれば、前記剥離液がアミン系化合物であることにより、レジストパターンのみを剥離することができるため、薄膜が著しく溶解する虞がない。
【００２１】
請求項６に係る発明によれば、前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることにより、電子デバイス等に汎用可能な薄膜とすることができる。
【００２２】
請求項７に係る発明によれば、酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有するため、結晶性を損なうことなく導電性の向上した薄膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るパターニング方法における夫々の処理工程を示す模式図であって、（ａ）は成膜工程、（ｂ）はホトレジスト形成工程、（ｃ）は露光工程、（ｄ）は現像工程、（ｅ）はエッチング工程、（ｆ）はホトレジスト剥離工程を示す図である。
【図２】ＧＺＯ膜における可視光透過率の現像液浸漬時間依存性を示す図であって、（ａ）は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）濃度が２ｗｔ％、３ｗｔ％、５ｗｔ％の結果、（ｂ）はＴＭＡＨ濃度が１０ｗｔ％、２０ｗｔ％の結果を示す図である。
【図３】ＧＺＯ膜における抵抗及び膜厚の剥離液浸漬時間依存性を示す図である。
【図４】ＧＺＯ膜におけるキャリア濃度及び電子移動度の剥離液浸漬時間依存性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法について詳述する。
図１は、本発明に係るパターニング方法における夫々の処理工程を示す模式図である。
基板（１）に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）を成膜し、薄膜（２）の表面にホトレジスト（３）を形成した後にホトレジスト（３）上にパターンマスク（４）を載置する。パターンマスク（４）を介して紫外光を照射して露光した後に、ホトレジスト（３）の露光部（５）を現像液により現像する。現像処理の後、残存したホトレジスト（３）を介してエッチング処理を施して薄膜（２）をエッチングし、剥離液によってホトレジスト（３）を剥離する。
【００２５】
先ず、基板（１）に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）が成膜される（図１（ａ）参照）。
酸化亜鉛系結晶の結晶構造は六方晶系ウルツァイト構造である。ウルツァイト構造は、結晶の単位格子内において亜鉛原子面、酸素原子面が存在し、結晶格子の垂直方向に対してこれらの面が交互に重なって結晶を構成している。
本発明では、単結晶、多結晶のいずれであってもよい。
【００２６】
酸化亜鉛結晶に亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）以外の元素を添加することなく成膜して電子デバイスに利用することができる。
しかし酸化亜鉛（ＺｎＯ）は３．４ｅＶのワイドギャップ半導体であり、その抵抗率は１０−２Ω・ｃｍ〜１０５Ω・ｃｍであるため、その導電性の向上、あるいはバンドギャップ制御のために周期律表の第２族、第４族、第７族、第１３族、第１４族元素などの種々の元素を添加してもよい。
本発明においては酸化亜鉛にアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上の元素を添加することができる。前記元素の添加量は１〜６重量％であることが好ましく、３〜５重量％であることがより好ましい。１重量％未満であると導電性付与の効果が顕著でなく、６重量％を超えると固溶体が形成されず異相の析出が見られるようになり、結晶性の低下や抵抗率の増大が生じ、更に、透明薄膜を得ようとする場合は低透過率となるためいずれの場合も好ましくない。
【００２７】
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の成膜方法は公知の方法を用いることができ、その一つとしてスパッタリング法が挙げられる。
本発明における成膜方法としては、具体的には例えば、上記したスパッタリング法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法（プラズマ蒸着法）、ＤＣスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦ重畳ＤＣスパッタ法、レーザーアブレーション法、分子線堆積法（ＭＢ）、原子線堆積法（ＡＬＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）等が用いられる。これらの中でも結晶性の良い薄膜を得ることができるため、イオンプレーティング法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦ重畳ＤＣスパッタ法が好適に用いられる。
【００２８】
薄膜が形成される基板には、ガラス、単結晶、セラミックス、樹脂等を用いることができる。例えば、無アルカリガラス、シリコン単結晶（Ｓｉ）、シリコン多結晶（Ｓｉ）、サファイア単結晶（α−Ａｌ２Ｏ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、環状ポリオレフィン樹脂等が用いられるが、これらに限定されない。また、薄膜を形成する基板は１層に限らず、前記基板上に、例えばアモルファス層を形成し、その上に薄膜を形成することもできる。
【００２９】
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）を基板（１）上に成膜した後、薄膜（２）表面にはホトレジスト（３）が形成される（図１（ｂ）参照）。
ホトレジスト（３）は感光性の樹脂であれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。
【００３０】
ホトレジスト（３）を形成した後に、ホトレジスト（３）上にパターンマスク（４）が載置され、このパターンマスク（４）を介して紫外線が照射され露光される（図１（ｃ）参照）。
パターンマスク（４）のパターン形状は所望の配線パターンとされる。
【００３１】
パターンマスク（４）を介してホトレジスト（３）を露光した後、現像液によりホトレジスト（３）の露光部（５）が現像される。即ち、パターンマスク（４）によりマスクされていない部分のホトレジスト（３）が除去されることとなる（図１（ｄ）参照）。
【００３２】
使用される現像液のｐＨは１０．５〜１３．５であり、ｐＨ１２．０〜１３．０であることがより好ましい。加えて、現像液の液温は１５〜５０℃の範囲に設定され、２５〜５０℃の範囲であることがより好ましい。
ｐＨが１０．５未満であると現像処理が不十分となり、一方、ｐＨが１３．５を超えるとレジストパターンのパターン形状が悪くなるとともに、薄膜（２）の溶解が顕著になる虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
また、現像液の液温が１５℃未満であると現像速度が遅くなって処理効率が低下し、一方、５０℃を超えると現像速度が速くなり過ぎるため、ホトレジスト（３）のパターンも除去する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３３】
現像処理時間は１５〜１００秒の間であることが好ましく、２０〜６０秒の間であることがより好ましい。
現像処理時間を１５〜１００秒とすることにより、確実に現像処理を施して露光されたホトレジスト（３）を除去することができるとともに、過剰な現像を防止して薄膜（２）を溶解する虞がない。
現像処理時間が１５秒未満であると現像が不十分となり、一方、１００秒を超えて処理を施すと露光部（５）のホトレジスト（３）のみが除去されるだけでなく、薄膜（２）まで溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３４】
現像に用いられる現像液は特に限定されず、公知の現像液を使用できるが、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）のいずれかから選択されることが好ましい。これらの水溶液を用いることで露光部（５）のホトレジスト（３）を確実に除去することができるとともに、レジストパターンを溶解する虞がない。
上記した現像液のうち、有機アルカリ系水溶液であるＴＭＡＨが好適に用いられる。ＴＭＡＨを用いることで現像処理による残渣の発生を略なくすことができる。
【００３５】
現像処理後、残存したホトレジスト（３）を介して薄膜（２）がエッチングされる（図１（ｅ）参照）。エッチング方法としてはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれであってもよい。
【００３６】
ウェットエッチングを施す場合、使用するエッチング液は酸性であることが望ましく、強酸、弱酸ともに使用することができるが、弱酸を使用することが好ましい。また、有機酸、無機酸のいずれであってもよいが、有機酸を使用することが好ましい。
具体的なエッチング液としては、例えば酢酸、プロピオン酸等のカルボキシル基を１乃至複数有するカルボン酸やアンモニウム塩でｐＨ調整された硝酸等が使用される。
【００３７】
ドライエッチングを施す場合、その方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができるが、反応性ガスプラズマを利用したプラズマエッチングによりエッチングすることが望ましい。そうすることで、良好なパターン形状が得られるとともに基板（１）を損傷する虞がない。
【００３８】
薄膜（２）にエッチング処理を施した後に、残存するホトレジスト（３）は剥離液により剥離される（図１（ｆ）参照）。
使用される剥離液のｐＨは１０．５〜１３．５である。加えて、剥離液の液温は１５〜５０℃の範囲に設定される。
ｐＨが１０．５未満であると剥離処理が不十分となり、一方、ｐＨが１３．５を超えると薄膜（２）を溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
また、剥離液の液温が１５℃未満であると剥離速度が遅くなって処理効率が低下するとともに残渣が発生する虞があり、一方、５０℃を超えると剥離速度が速くなり過ぎるため、薄膜（２）も除去する虞があり、またパターン形状も悪くなるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３９】
ホトレジスト（３）の剥離処理時間は１５〜１００秒の間であることが好ましく、２０〜６０秒の間であることがより好ましい。
剥離処理時間を１５〜１００秒とすることにより、確実に剥離処理を施して残存したホトレジスト（３）を除去することができるとともに、薄膜（２）の溶解を防止することができる。
剥離処理時間が１５秒未満であるとホトレジスト（３）の剥離が不十分となり、一方、１００秒を超えて処理を施すとホトレジスト（３）のみが除去されるだけでなく、薄膜（２）まで溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００４０】
ホトレジスト（３）の剥離に用いられる剥離液は特に限定されず、公知の剥離液を使用できるが、アミン系化合物を用いることが好ましい。アミン系化合物を剥離液とすることで残存したホトレジスト（３）のみを剥離することが可能となる。
剥離液として使用されるアミン系化合物として、アルカノールアミン等が例示されるが、アルカノールアミン、特にジエタノールアミンが好適であり、薄膜（２）を溶解する虞がなく、また、パターン形状を良好とすることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明に係るパターニング方法に関する実施例を示すことにより、本発明の効果をより明確なものとする。
但し、本発明は下記実施例には限定されない。
【００４２】
＜イオンプレーティング法（プラズマ蒸着法）による成膜＞
ターゲットとして酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を３．５〜４．５重量％含む酸化亜鉛結晶タブレットを用い、基板としてガラスを用いた。
成膜時の基板加熱温度を１８０℃、導入ガス（アルゴン及び酸素）のガス圧を０．４〜０．６Ｐａ、成膜速度を１５０〜１７０ｎｍ／ｍｉｎ、プラズマ放電電流１４０〜１５０Ａとして成膜し、膜厚５０ｎｍ又は１００ｎｍのガリウム含有酸化亜鉛結晶からなる薄膜（以下、ＧＺＯ膜という）を得た。
【００４３】
（試験例１）
＜ＧＺＯ膜における抵抗及び可視光透過率の現像液浸漬時間依存性＞
上記の成膜方法により膜厚１００ｎｍのＧＺＯ膜を作製した。パターンマスクを介して露光した後、現像液にＴＭＡＨを用い、ＧＺＯ膜をＴＭＡＨに浸漬して現像した。
現像液のｐＨは１２．５〜１３．５、液温を２７℃とし、ＴＭＡＨの濃度を２ｗｔ％、３ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、２０ｗｔ％として夫々の現像液にＧＺＯ膜を１０〜３００秒浸漬し、シート抵抗及び可視光透過率の変化率を評価した。
可視光透過率を図２に示す。
【００４４】
図２（ａ）において、◆は２ｗｔ％、●は３ｗｔ％、▲は５ｗｔ％の結果であり、
図２（ｂ）において、■は１０ｗｔ％、＊は２０ｗｔ％の結果である。
いずれのＴＭＡＨ濃度においてもＧＺＯ膜の可視光透過率は約８５〜８７％と、高
い透過率を維持することができた。また、ＧＺＯ膜の抵抗増加率を１０％未満に抑制
できることがわかった。
浸漬後のＧＺＯ膜の膜厚は変化しておらず、成膜当初の膜厚と略変わらないことが
わかった。
【００４５】
（試験例２）
＜ＧＺＯ膜における抵抗及びキャリア濃度の剥離液浸漬時間依存性＞
上記の成膜方法により膜厚５０ｎｍのＧＺＯ膜を作製した。パターンマスクを介して露光した後、現像、エッチング処理を施し、剥離液にジエタノールアミンを用い、ＧＺＯ膜を１０〜６００秒浸漬してホトレジストを剥離した。
剥離液のｐＨは１１．５、液温を２５℃とし、シート抵抗及びキャリア濃度の変化率を評価した。
尚、現像液に３ｗｔ％のＴＭＡＨを使用し、液温３９℃、ｐＨ１２．７に調整して、３０秒現像処理を施した。
シート抵抗を図３、キャリア濃度を図４に示す。
【００４６】
図３において、■はシート抵抗、●は膜厚のプロットである。
また、図４において、■は電子移動度、◆はキャリア濃度のプロットである。
抵抗の変化率を１０％未満とすることができ、膜厚の減少も見られないことがわかった。
また、図４より、キャリア濃度も略減少しないことが確認され、高い電子移動度を有することが明らかとなった。
【００４７】
以上の結果より、本発明に係るパターニング方法を用いて酸化亜鉛系結晶からなる薄膜をパターニングすると、薄膜が溶解せず、良好な導電特性と可視光透過性を有する薄膜が得られることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明に係るパターニング方法は、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜において、液晶ディスプレイのＴＦＴ基板側の透明電極のような微細加工を要する電子デバイス、太陽電池や薄膜トランジスタ等に用いられる半導体及び電極、発光ダイオードのような発光素子等の微細加工に利用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１ 基板
２ 薄膜
３ ホトレジスト
４ パターンマスク
５ 露光部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関し、より詳しくは、ホトリソグラフィにおける現像あるいはホトレジスト剥離の夫々の処理において、導電性や可視光透過性を損なわない薄膜のパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やタッチパネル等に使用される導電性薄膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が多用されている。しかしながら、電子デバイスの需要増大により希少金属であるインジウムの枯渇が懸念されるため、導電性と可視光透過性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）がＩＴＯの代替材料として有望視されている。
【０００３】
しかし、酸化亜鉛薄膜にホトリソグラフィを用いてパターン形成すると、導電性や可視光透過性が低下するという問題があった。
これは、パターニング過程における現像、エッチング、ホトレジスト剥離等の夫々の処理で使用される薬液が強酸性又は強アルカリ性であるため、両性酸化物である酸化亜鉛が溶解することに起因していた。
【０００４】
下記特許文献１及び２には、酸化亜鉛を含有する薄膜におけるパターニング方法が開示されており、現像あるいはホトレジスト剥離の夫々の処理条件について検討がなされている。
【０００５】
特許文献１には、現像とエッチング処理を同時に行うパターニング方法が開示されている。
特許文献１の開示技術は、現像液にｐＨ１３〜１４の水酸化カリウム溶液を用いて現像とエッチング処理を同時に行うものである。この技術を用いると、処理工程数を減らして効率的にパターニングを行うことができる。
しかし、ｐＨ１３〜１４の水酸化カリウム溶液を用い、液温調節や処理時間調節がなされていないため、やはり酸化亜鉛が溶解する虞があり、導電特性や可視光透過性が低下するという問題を解決できるものではなかった。
【０００６】
一方、特許文献２には、現像液に水酸化テトラメチルアンモニウム、エッチング液に硝酸、塩酸、水の混合液、ホトレジスト剥離液にエタノールアミンを用いる酸化亜鉛と酸化スズからなる薄膜のパターンニング方法が開示されている。
特許文献２の開示技術を用いると、８０％前後の可視光透過率と１０−３〜１０−２Ωｃｍの導電特性を有し、且つテーパー形状も良好な薄膜を得ることができる。
特許文献２に記載のパターニング方法では、現像液、剥離液の夫々の薬液濃度が調整されて各処理に供される。しかし、薬液の液温は調節されておらず、また夫々の処理時間についても調節されていないため、過剰な現像処理や剥離処理を防止できるものではなかった。従って、薄膜の溶解を防止することができず、導電特性や可視光透過性の低下を招く虞があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２２７３００号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであって、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１０】
請求項２に係る発明は、前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記剥離液がアミン系化合物であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１４】
請求項６に係る発明は、前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【００１５】
請求項７に係る発明は、前記酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法に関する。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に係る発明によれば、基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることにより、酸化亜鉛系結晶が溶解する虞がないため膜厚が減少せず、良好なパターン形状が得られるとともに、導電特性及び可視光透過性の変動範囲を１０％未満とすることができる。
【００１７】
請求項２に係る発明によれば、前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることにより、効率的に現像処理を施すことができるため、酸化亜鉛結晶からなる薄膜の溶解を防止することができる。
【００１８】
請求項３に係る発明によれば、前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことにより、現像及び剥離処理を確実に施すことができるとともに、酸化亜鉛結晶からなる薄膜を溶解することなく良好なパターン形状とすることができる。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることにより、レジストパターンの溶解を防止することができ、レジストの現像不良を生じる虞がない。
【００２０】
請求項５に係る発明によれば、前記剥離液がアミン系化合物であることにより、レジストパターンのみを剥離することができるため、薄膜が著しく溶解する虞がない。
【００２１】
請求項６に係る発明によれば、前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることにより、電子デバイス等に汎用可能な薄膜とすることができる。
【００２２】
請求項７に係る発明によれば、酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有するため、結晶性を損なうことなく導電性の向上した薄膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るパターニング方法における夫々の処理工程を示す模式図であって、（ａ）は成膜工程、（ｂ）はホトレジスト形成工程、（ｃ）は露光工程、（ｄ）は現像工程、（ｅ）はエッチング工程、（ｆ）はホトレジスト剥離工程を示す図である。
【図２】ＧＺＯ膜における可視光透過率の現像液浸漬時間依存性を示す図であって、（ａ）は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）濃度が２ｗｔ％、３ｗｔ％、５ｗｔ％の結果、（ｂ）はＴＭＡＨ濃度が１０ｗｔ％、２０ｗｔ％の結果を示す図である。
【図３】ＧＺＯ膜における抵抗及び膜厚の剥離液浸漬時間依存性を示す図である。
【図４】ＧＺＯ膜におけるキャリア濃度及び電子移動度の剥離液浸漬時間依存性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法について詳述する。
図１は、本発明に係るパターニング方法における夫々の処理工程を示す模式図である。
基板（１）に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）を成膜し、薄膜（２）の表面にホトレジスト（３）を形成した後にホトレジスト（３）上にパターンマスク（４）を載置する。パターンマスク（４）を介して紫外光を照射して露光した後に、ホトレジスト（３）の露光部（５）を現像液により現像する。現像処理の後、残存したホトレジスト（３）を介してエッチング処理を施して薄膜（２）をエッチングし、剥離液によってホトレジスト（３）を剥離する。
【００２５】
先ず、基板（１）に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）が成膜される（図１（ａ）参照）。
酸化亜鉛系結晶の結晶構造は六方晶系ウルツァイト構造である。ウルツァイト構造は、結晶の単位格子内において亜鉛原子面、酸素原子面が存在し、結晶格子の垂直方向に対してこれらの面が交互に重なって結晶を構成している。
本発明では、単結晶、多結晶のいずれであってもよい。
【００２６】
酸化亜鉛結晶に亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）以外の元素を添加することなく成膜して電子デバイスに利用することができる。
しかし酸化亜鉛（ＺｎＯ）は３．４ｅＶのワイドギャップ半導体であり、その抵抗率は１０−２Ω・ｃｍ〜１０５Ω・ｃｍであるため、その導電性の向上、あるいはバンドギャップ制御のために周期律表の第２族、第４族、第７族、第１３族、第１４族元素などの種々の元素を添加してもよい。
本発明においては酸化亜鉛にアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上の元素を添加することができる。前記元素の添加量は１〜６重量％であることが好ましく、３〜５重量％であることがより好ましい。１重量％未満であると導電性付与の効果が顕著でなく、６重量％を超えると固溶体が形成されず異相の析出が見られるようになり、結晶性の低下や抵抗率の増大が生じ、更に、透明薄膜を得ようとする場合は低透過率となるためいずれの場合も好ましくない。
【００２７】
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の成膜方法は公知の方法を用いることができ、その一つとしてスパッタリング法が挙げられる。
本発明における成膜方法としては、具体的には例えば、上記したスパッタリング法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法（プラズマ蒸着法）、ＤＣスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦ重畳ＤＣスパッタ法、レーザーアブレーション法、分子線堆積法（ＭＢ）、原子線堆積法（ＡＬＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）等が用いられる。これらの中でも結晶性の良い薄膜を得ることができるため、イオンプレーティング法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦ重畳ＤＣスパッタ法が好適に用いられる。
【００２８】
薄膜が形成される基板には、ガラス、単結晶、セラミックス、樹脂等を用いることができる。例えば、無アルカリガラス、シリコン単結晶（Ｓｉ）、シリコン多結晶（Ｓｉ）、サファイア単結晶（α−Ａｌ２Ｏ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、環状ポリオレフィン樹脂等が用いられるが、これらに限定されない。また、薄膜を形成する基板は１層に限らず、前記基板上に、例えばアモルファス層を形成し、その上に薄膜を形成することもできる。
【００２９】
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜（２）を基板（１）上に成膜した後、薄膜（２）表面にはホトレジスト（３）が形成される（図１（ｂ）参照）。
ホトレジスト（３）は感光性の樹脂であれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。
【００３０】
ホトレジスト（３）を形成した後に、ホトレジスト（３）上にパターンマスク（４）が載置され、このパターンマスク（４）を介して紫外線が照射され露光される（図１（ｃ）参照）。
パターンマスク（４）のパターン形状は所望の配線パターンとされる。
【００３１】
パターンマスク（４）を介してホトレジスト（３）を露光した後、現像液によりホトレジスト（３）の露光部（５）が現像される。即ち、パターンマスク（４）によりマスクされていない部分のホトレジスト（３）が除去されることとなる（図１（ｄ）参照）。
【００３２】
使用される現像液のｐＨは１０．５〜１３．５であり、ｐＨ１２．０〜１３．０であることがより好ましい。加えて、現像液の液温は１５〜５０℃の範囲に設定され、２５〜５０℃の範囲であることがより好ましい。
ｐＨが１０．５未満であると現像処理が不十分となり、一方、ｐＨが１３．５を超えるとレジストパターンのパターン形状が悪くなるとともに、薄膜（２）の溶解が顕著になる虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
また、現像液の液温が１５℃未満であると現像速度が遅くなって処理効率が低下し、一方、５０℃を超えると現像速度が速くなり過ぎるため、ホトレジスト（３）のパターンも除去する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３３】
現像処理時間は１５〜１００秒の間であることが好ましく、２０〜６０秒の間であることがより好ましい。
現像処理時間を１５〜１００秒とすることにより、確実に現像処理を施して露光されたホトレジスト（３）を除去することができるとともに、過剰な現像を防止して薄膜（２）を溶解する虞がない。
現像処理時間が１５秒未満であると現像が不十分となり、一方、１００秒を超えて処理を施すと露光部（５）のホトレジスト（３）のみが除去されるだけでなく、薄膜（２）まで溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３４】
現像に用いられる現像液は特に限定されず、公知の現像液を使用できるが、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）のいずれかから選択されることが好ましい。これらの水溶液を用いることで露光部（５）のホトレジスト（３）を確実に除去することができるとともに、レジストパターンを溶解する虞がない。
上記した現像液のうち、有機アルカリ系水溶液であるＴＭＡＨが好適に用いられる。ＴＭＡＨを用いることで現像処理による残渣の発生を略なくすことができる。
【００３５】
現像処理後、残存したホトレジスト（３）を介して薄膜（２）がエッチングされる（図１（ｅ）参照）。エッチング方法としてはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれであってもよい。
【００３６】
ウェットエッチングを施す場合、使用するエッチング液は酸性であることが望ましく、強酸、弱酸ともに使用することができるが、弱酸を使用することが好ましい。また、有機酸、無機酸のいずれであってもよいが、有機酸を使用することが好ましい。
具体的なエッチング液としては、例えば酢酸、プロピオン酸等のカルボキシル基を１乃至複数有するカルボン酸やアンモニウム塩でｐＨ調整された硝酸等が使用される。
【００３７】
ドライエッチングを施す場合、その方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができるが、反応性ガスプラズマを利用したプラズマエッチングによりエッチングすることが望ましい。そうすることで、良好なパターン形状が得られるとともに基板（１）を損傷する虞がない。
【００３８】
薄膜（２）にエッチング処理を施した後に、残存するホトレジスト（３）は剥離液により剥離される（図１（ｆ）参照）。
使用される剥離液のｐＨは１０．５〜１３．５である。加えて、剥離液の液温は１５〜５０℃の範囲に設定される。
ｐＨが１０．５未満であると剥離処理が不十分となり、一方、ｐＨが１３．５を超えると薄膜（２）を溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
また、剥離液の液温が１５℃未満であると剥離速度が遅くなって処理効率が低下するとともに残渣が発生する虞があり、一方、５０℃を超えると剥離速度が速くなり過ぎるため、薄膜（２）も除去する虞があり、またパターン形状も悪くなるため、いずれの場合も好ましくない。
【００３９】
ホトレジスト（３）の剥離処理時間は１５〜１００秒の間であることが好ましく、２０〜６０秒の間であることがより好ましい。
剥離処理時間を１５〜１００秒とすることにより、確実に剥離処理を施して残存したホトレジスト（３）を除去することができるとともに、薄膜（２）の溶解を防止することができる。
剥離処理時間が１５秒未満であるとホトレジスト（３）の剥離が不十分となり、一方、１００秒を超えて処理を施すとホトレジスト（３）のみが除去されるだけでなく、薄膜（２）まで溶解する虞があるため、いずれの場合も好ましくない。
【００４０】
ホトレジスト（３）の剥離に用いられる剥離液は特に限定されず、公知の剥離液を使用できるが、アミン系化合物を用いることが好ましい。アミン系化合物を剥離液とすることで残存したホトレジスト（３）のみを剥離することが可能となる。
剥離液として使用されるアミン系化合物として、アルカノールアミン等が例示されるが、アルカノールアミン、特にジエタノールアミンが好適であり、薄膜（２）を溶解する虞がなく、また、パターン形状を良好とすることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明に係るパターニング方法に関する実施例を示すことにより、本発明の効果をより明確なものとする。
但し、本発明は下記実施例には限定されない。
【００４２】
＜イオンプレーティング法（プラズマ蒸着法）による成膜＞
ターゲットとして酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を３．５〜４．５重量％含む酸化亜鉛結晶タブレットを用い、基板としてガラスを用いた。
成膜時の基板加熱温度を１８０℃、導入ガス（アルゴン及び酸素）のガス圧を０．４〜０．６Ｐａ、成膜速度を１５０〜１７０ｎｍ／ｍｉｎ、プラズマ放電電流１４０〜１５０Ａとして成膜し、膜厚５０ｎｍ又は１００ｎｍのガリウム含有酸化亜鉛結晶からなる薄膜（以下、ＧＺＯ膜という）を得た。
【００４３】
（試験例１）
＜ＧＺＯ膜における抵抗及び可視光透過率の現像液浸漬時間依存性＞
上記の成膜方法により膜厚１００ｎｍのＧＺＯ膜を作製した。パターンマスクを介して露光した後、現像液にＴＭＡＨを用い、ＧＺＯ膜をＴＭＡＨに浸漬して現像した。
現像液のｐＨは１２．５〜１３．５、液温を２７℃とし、ＴＭＡＨの濃度を２ｗｔ％、３ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、２０ｗｔ％として夫々の現像液にＧＺＯ膜を１０〜３００秒浸漬し、シート抵抗及び可視光透過率の変化率を評価した。
可視光透過率を図２に示す。
【００４４】
図２（ａ）において、◆は２ｗｔ％、●は３ｗｔ％、▲は５ｗｔ％の結果であり、
図２（ｂ）において、■は１０ｗｔ％、＊は２０ｗｔ％の結果である。
いずれのＴＭＡＨ濃度においてもＧＺＯ膜の可視光透過率は約８５〜８７％と、高
い透過率を維持することができた。また、ＧＺＯ膜の抵抗増加率を１０％未満に抑制
できることがわかった。
浸漬後のＧＺＯ膜の膜厚は変化しておらず、成膜当初の膜厚と略変わらないことが
わかった。
【００４５】
（試験例２）
＜ＧＺＯ膜における抵抗及びキャリア濃度の剥離液浸漬時間依存性＞
上記の成膜方法により膜厚５０ｎｍのＧＺＯ膜を作製した。パターンマスクを介して露光した後、現像、エッチング処理を施し、剥離液にジエタノールアミンを用い、ＧＺＯ膜を１０〜６００秒浸漬してホトレジストを剥離した。
剥離液のｐＨは１１．５、液温を２５℃とし、シート抵抗及びキャリア濃度の変化率を評価した。
尚、現像液に３ｗｔ％のＴＭＡＨを使用し、液温３９℃、ｐＨ１２．７に調整して、３０秒現像処理を施した。
シート抵抗を図３、キャリア濃度を図４に示す。
【００４６】
図３において、■はシート抵抗、●は膜厚のプロットである。
また、図４において、■は電子移動度、◆はキャリア濃度のプロットである。
抵抗の変化率を１０％未満とすることができ、膜厚の減少も見られないことがわかった。
また、図４より、キャリア濃度も略減少しないことが確認され、高い電子移動度を有することが明らかとなった。
【００４７】
以上の結果より、本発明に係るパターニング方法を用いて酸化亜鉛系結晶からなる薄膜をパターニングすると、薄膜が溶解せず、良好な導電特性と可視光透過性を有する薄膜が得られることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明に係るパターニング方法は、酸化亜鉛系結晶からなる薄膜において、液晶ディスプレイのＴＦＴ基板側の透明電極のような微細加工を要する電子デバイス、太陽電池や薄膜トランジスタ等に用いられる半導体及び電極、発光ダイオードのような発光素子等の微細加工に利用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１ 基板
２ 薄膜
３ ホトレジスト
４ パターンマスク
５ 露光部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、
前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項２】
前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項３】
前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項４】
前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項５】
前記剥離液がアミン系化合物であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項６】
前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項７】
前記酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項１】
基板上に酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を成膜し、該薄膜表面にホトレジストを形成した後にパターンマスクを介して露光し、前記ホトレジストの露光部を現像液により現像処理を施して前記露光部のホトレジストを除去し、残存した前記ホトレジストを介して前記薄膜にエッチングを施した後に剥離液により前記ホトレジストを剥離処理するパターニング方法であって、
前記現像液及び前記剥離液のｐＨが１０．５〜１３．５であり、且つ液温が１５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項２】
前記現像液のｐＨが１２．０〜１３．０であり、且つ液温が２５〜５０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項３】
前記現像処理及び前記剥離処理を夫々１５〜１００秒の間で行うことを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項４】
前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムのいずれかから選択されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項５】
前記剥離液がアミン系化合物であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項６】
前記酸化亜鉛系結晶が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【請求項７】
前記酸化亜鉛系結晶がアルミニウム、ガリウム、マグネシウム、マンガン、インジウムのうち１種以上を１〜６重量％含有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のパターニング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１３４４９５（Ｐ２０１１−１３４４９５Ａ）
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９１２７５（Ｐ２００９−２９１２７５）
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（５０９０９３０２６）公立大学法人高知工科大学 (95)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（５０９０９３０２６）公立大学法人高知工科大学 (95)
【Ｆターム（参考）】
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