【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に、効率良く除去する。
【解決手段】 ケイ酸類と炭酸塩とを含有し、界面活性剤を含まず、ｐＨが７以上であるレジスト除去剤であり、さらに、アルコール類、アミン類の少なくとも一種を含有することができる。特に、アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に除去できるうえ、半導体基板上のレジスト除去にも適用できる。ケイ酸類と炭酸塩を必須成分とし、酸性液ではないため装置の腐食の恐れがなく、また、界面活性剤を含まないため、除去作業時の発泡を防止できる。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。第２処理ステップにて、予め定められたマスキング露光１３をフォトレジスト層９に施す。第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第６処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット３３を作用させ、それにて犠牲層領域２５を覆うコーティング２９の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜とその下層となる被膜とを同時に剥離することができる、レジスト剥離液を提供すること。
【解決手段】基板上に直接、又は他の層を介して形成される無機系レジスト下層膜と、前記無機系レジスト下層膜上に形成されるレジスト膜と、を有する多層レジスト積層体において、前記無機系レジスト下層膜及び前記レジスト膜を除去するために用いられる多層レジスト積層体用剥離液であって、（Ａ）４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）水溶性有機溶剤、及び（Ｃ）水を含む多層レジスト積層体用剥離液。 （もっと読む）

電子デバイス基板、例えばマイクロエレクトロニクスウエハー及びフラットパネルディスプレイの基板から有機物質を除去するのに有用な組成物及び方法を提供する。無機基板に塗膜として最小限容量の組成物を適用し、そのため十分な熱が加えられ、完全に除去するためにすぐに水で濯がれる方法を提供する。これらの組成物及び方法は、電子デバイスから、ポジ型及びネガ型種類のフォトレジスト並びに熱硬化性ポリマーを除去し、完全に溶解するのに特に好適である。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】酸性及びアルカリ性条件におけるエッチング耐性を有し、かつエッチング工程終了後にアルカリ性の剥離液によって剥離することが可能な樹脂パターンをマスクとした被エッチング基体の製造方法等を提供する。
【解決手段】基体上に感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を選択的に露光、現像して樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンをマスクとし、４５℃以下の酸性又はアルカリ性のエッチング液を用いて前記基体を選択的にエッチングする工程と、５０〜８０℃のアルカリ性の剥離液を用いて前記樹脂パターンを剥離する工程と、を含み、前記感光性樹脂組成物が、酸基含有アクリル系樹脂と脂環式エポキシ基含有不飽和化合物との反応により生成したアルカリ可溶性樹脂と、３官能以上の多官能モノマーと、光重合開始剤とを含有する被エッチング基体の製造方法を使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライ剥離でないと除去することができなかったケイ素含有膜を、剥離液による剥離（以後、ウェット剥）工程で除去できるようにする工程を提供することにある。
【解決手段】リソグラフィーで用いられるケイ素含有膜材料を基板上に塗布して得られた塗布型ケイ素含有膜を、剥離して除去する塗布型ケイ素含有膜剥離方法であって、少なくとも、硫酸イオン及び/またはフッ素イオンを含有する酸性剥離液で処理する第１工程と、窒素化合物を含有するアルカリ性剥離液で処理する第２工程とを含むことを特徴とする塗布型ケイ素含有膜剥離方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするインドール化合物を用いた防食剤及び当該化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、インドール化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするビアリール化合物を用いた防食剤及び当該化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、ビアリール化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするオフェニルジケトン誘導体を用いた防食剤及び当該誘導体と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、フェニルジケトン誘導体化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物、該組成物を使用したフォトレジストパターンを形成する方法、パターン化樹脂組成物及びフォトリソグラフィーの形成方法を提供する
【解決手段】 エチレン性不飽和二重結合を有する重合性水溶性化合物Ａ、エポキシ基含有不飽和化合物Ｂ及び下記一般式（１）


で示される化合物Ｃを重合して得られるポリマー、並びに溶媒を含むフォトレジスト組成物であって、モノマー成分の合計量中、化合物Ａの割合が０〜９０重量％、化合物Ｂの割合が０〜５０重量％及び化合物Ｃの割合が１５〜１００重量％であるフォトレジスト組成物 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

エッチングレジスト灰化プロセスに代わる剥離プロセスにおいて用いることができる配線工程（ＢＥＯＬ）の剥離剤溶液が提供される。この剥離剤溶液は、良好な効率性及び低く許容できる金属エッチング速度で、半導体集積回路のための半導体デバイス上に回路を製造及び／又は電極を形成するのに有用である。好ましい剥離剤は、極性で非プロトン性の溶媒、水、アミン、及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない第４級水酸化物を含む。更に、これらの方法にしたがって製造される集積回路デバイス及び電子相互接続構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン酸化物を腐食させることなく、レジスト除去ができる剥離液を提供する。
【解決手段】 Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンと有機溶媒をを含んでなる成分の組合せによるレジスト剥離液はモリブデン酸化物を腐食させることなく用いることができる。剥離液全体に対して、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンが１〜８０重量％の範囲、有機溶媒が２０〜９９重量％の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】溶媒として水を含み、水又は希アルカリ性溶液で現像可能な被膜を形成することができ、且つ充分に高い可撓性、離型性、並びに基板に対する密着性を併せ持つ乾燥被膜及び硬化被膜を形成することができ、特にレジストインクとして有用な水系感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合性不飽和結合を有するカルボキシル基含有樹脂、（Ｂ）重量平均分子量１０００００〜１０００００００の、重合性不飽和結合を有しないカルボキシル基含有樹脂、（Ｃ）アミン化合物、（Ｄ）重合性不飽和化合物、（Ｅ）光重合開始剤及び（Ｆ）水を含有する。前記カルボキシル基含有樹脂（Ａ）の含有量が組成物全量に対して１０〜６０質量％であり、前記カルボキシル基含有樹脂（Ｂ）の含有量が組成物全量に対して０．１〜１０質量％である。 （もっと読む）

【課題】溶媒として水を含み、水又は希アルカリ性溶液で現像可能な被膜を形成することができ、且つ充分に高い表面平滑性と可撓性と併せ持つ乾燥被膜及び硬化被膜を形成することができ、特にレジストインクとして有用な水系感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】水系感光性樹脂組成物に、（Ａ）重合性不飽和結合を有するカルボキシル基含有樹脂、（Ｂ）アミン化合物、（Ｃ）重合性不飽和化合物、（Ｄ）光重合開始剤、（Ｅ）ポリエーテル変性アクリル基含有ポリジメチルシロキサン、及び（Ｆ）水を含有させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段２により昇温速度６．０〜１０．０℃／秒で６０〜９０℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 （もっと読む）