【課題】
半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法を提供する。
【解決手段】
フッ素化合物、硝酸、リン含有化合物、水溶性有機溶剤および残部を水とすることを特徴とするフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤのための配線基板製造工程において、基板上に形成されたＣｕ又はＣｕ合金配線を腐食させることなくフォトレジストを剥離する事ができるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。
【解決の手段】マルトール、２，６−ジメチルガンマピロン、４−ヒドロキシ−６−メチル−２−ピロン、４−ヒドロキシクマリン、２，４−ジヒドロキシキノリン、２−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン、２−アミノ−４−ヒドロキシ−６−メチルピリミジン、４，６−ジメチル−２−ヒドロキシピリミジン、ウラシル及び６−メチルウラシルからなる群から選択される少なくとも１種の複素環式化合物を０．０５〜１０重量%、一級又は二級のアルカノールアミンを５〜４５重量%、並びに、極性有機溶剤及び／又は水を５０〜９４．９５重量%含有するフォトレジスト剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンとして、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ビス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン等の１種以上を用いる。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。
【解決手段】
(1)15重量％〜20重量％の過酸化水素、(2)0.1重量％〜10重量％の四級アンモニウム水酸化物、(3)0.05〜5重量％の無機酸、(4)0.0001重量％〜0.1重量％の過酸化水素の安定剤を含有し、pHが8〜9である残渣除去用組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】 炭酸アルキレンを含有する有機被膜の剥離液をオゾン処理したときに剥離液中に生成する酸化性物質濃度を低減する技術を提供する。
【解決手段】 炭酸アルキレンを含有する剥離液を使用して基体表面上の有機被膜を除去する工程１、上記工程１において生成した有機被膜に由来する成分を含有する剥離液にオゾン含有ガスを接触させる工程２、および上記工程２において生成したオゾン含有ガスに接触した剥離液に活性エネルギー線を照射する工程３を含む基体表面上の有機被膜の除去方法。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

本発明は、ケイ素に基づく反射防止膜／ハードマスク層を除去するための組成物及び方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、上記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。好ましくは１〜１５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム、１〜５質量％のトリルトリアゾール、５〜１５質量％のプロピレングリコール、１〜１０質量％の２−アミノベンゾチアゾール、２０〜４５質量％のジプロピレングリコールモノメチルエーテル、残余水を含む。本発明はフォトレジスト、エッチ残留物、ＢＡＲＣ及びそれらの組合せからなる群から選択した材料を基材から除去する方法であって、材料を基材から除去するために、上記に記載された、配合物を基材に適用することを含む方法でもある。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有し平坦性に優れたカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に設けた第１の着色層上に、エッチングストッパー層を形成し、第２の着色層を形成すべき領域に対応する第１の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第２の着色層を形成し、次いで、第３の着色層を形成すべき領域に対応する第１及び第２の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第３の着色層を形成し、着色層上に積層された着色層をエッチングストッパー層が露出するまで除去するカラーフィルタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を低温、短時間で除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物、並びにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約３重量％未満であり、および／または、乾燥係数が少なくとも約１である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して良好に洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】薬液ユニット１０は、基板Ｗの薬液処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、薬液ユニット１０により薬液が供給された基板Ｗにマイクロバブル水を供給して、マイクロバブル水による洗浄処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、主として、複数の上側ノズル６１と、複数の下側ノズル６２と、液ナイフ６６と、貯留槽２０と、マイクロバブル発生部２１と、を備えている。これにより、薬液処理後の基板Ｗにマイクロバブル水を供給することができる。そのため、薬液処理において基板に付着した薬液をマイクロバブル水により迅速に置換することができ、洗浄処理に使用される処理液の量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストが除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸及びポリリン酸を含む組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストを除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 基板工程において砒素がドープされたレジストを除去する際にエチレンジアミンを含む組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】非水溶性の有機溶媒を用いることなく、感光剤を含まないポリイミドのパターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体層を形成する工程、（Ｂ）前記ポリイミド前駆体層上にポジ型フォトレジスト層を形成する工程、（Ｃ）前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に露光する工程、（Ｄ）前記ポジ型フォトレジスト層の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体層を選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層の全面を露光する工程、（Ｆ）前記パターン化されたポリイミド前駆体層を少なくとも部分的にイミド化することにより塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質に対する溶解性を低下させる工程、（Ｇ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層を塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質によって剥離する工程を有するポリイミドパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】アルコキシシランの縮合物を含む感光性組成物を基板上に塗布し、感光性組成物を硬化させて得られた膜を基板から剥離する方法であって、酸やアルカリ、又は有機溶剤等の特殊な液を用いることなく、膜を基板から剥離することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、活性エネルギー線の照射によりアルコキシシランの縮合物を架橋させる物質（Ｂ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、活性エネルギー線を照射することにより感光性組成物１を硬化させて得られた膜１Ｃを基板２から剥離する方法であって、８０〜１００℃の水中で超音波を膜１Ｃにあてることにより膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。 （もっと読む）

【課題】有機被膜の剥離性が低下することを抑止して、効率的に基体上の有機被膜を除去する方法を提供する。
【解決手段】基体に付着した有機被膜を、有機溶剤からなり、かつ、オゾン処理による再生処理を施した剥離液と接触させて除去するに際して、該剥離液中のカルボン酸成分及びそのエステル成分の合計を３０質量％以下に維持しつつ有機被膜を剥離液と接触させる。
剥離液として、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の炭酸アルキレンを用いる。 （もっと読む）