【課題】量子ビット状態を記憶し操作するように構成されたメモリのコンポーネントを提供する。
【解決手段】コンポーネントは、量子ドット分子、励起子、第１電気接点１７、第２電気接点１９、電源２６及び電源コントローラー２１を含んでいる。量子ドット分子は、第１レイヤ１において提供される第１量子ドット３と、第２レイヤ５において提供される第２量子ドット７と、を含んでいる。励起子は量子ドット分子内に電子及び正孔の束縛状態を含んでいる。励起子のスピン状態は量子ビット状態を形成する。電場が量子ドット分子を横切って提供されることが可能になるために、第１電気接点１７は第１量子ドット３の下に提供され、第２電気接点１９は第２量子ドット７の上に提供される。電源コントローラー２１は、量子ドット分子内での励起子が直接配置と間接配置との間で切り換えられるように、量子ドット分子を横切って電場を調整するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】発生キャリアを光吸収層から効率的に引き抜くことができ、ゲート幅の裾引きを改善することが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、下部クラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、上部クラッド層１４が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が導波路構造の上方に形成される上部電極２２と、半導体基板１１の下方に形成される下部電極２３と、を備え、入力されるポンプ光の光強度に応じて光吸収層１３の吸収係数が変化する相互吸収飽和特性を利用して、光信号のサンプリングを行うために用いられる光ゲート素子であって、導波路構造の光の導波方向の少なくとも一方の側方に、ポンプ光または光信号により光吸収層１３内に発生したキャリアを一時的に蓄積するための容量領域を備える。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）

【課題】複数の部分導波路から成る光導波路を設けることで、合成した電磁波のメインローブが大きな略単一の指向性を有する電磁波発生素子等を提供する。
【解決手段】電磁波発生素子は、それぞれ誘電体１０、１１に挟まれ非線形光学結晶を含む複数の部分導波路１０１、１０４、１０７から成る光導波路を備える。複数の部分導波路１０１、１０４、１０７は、これらにおける光の伝播方向のなす角が２θ_ｃと略一致する様に構成される。ここで、非線形光学結晶の光に対する屈折率をn、誘電体１０、１１と部分導波路１０１、１０４、１０７との電磁波に対する実効的な比誘電率をε_effとして、θ_ｃ=cos^-1(n/√ε_eff)と定義される。 （もっと読む）

【課題】入力信号光パワーのダイナミックレンジを拡大した光波長変換装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体光増幅器と第２の半導体光増幅器からなる２つの半導体光増幅器が光導波路上に並列に配置されてなるマッハシェンダ干渉計を１つ以上搭載し、前記マッハシェンダ干渉計毎に、信号光を入射するために一端が前記マッハシェンダ干渉計に接続された透明導波路上に、信号光パワーの増幅及び減衰を行う第３の半導体光増幅器、および前記第３の半導体光増幅器よりも前記マッハシェンダ干渉計側に、信号光を透過させかつ前記第３の半導体光増幅器が増幅する他の光波長帯域の自然放出光を除去する光波長フィルタ素子を配置した光波長変換装置。 （もっと読む）

【課題】量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】
本発明の波長変換装置は、フォトニック結晶微小共振器と、量子ドットとを有する波長変換装置であって、前記フォトニック結晶微小共振器の共振器モード電場振幅は、最大値の略半分以上である領域に前記量子ドットが位置し、前記フォトニック結晶共振器は、少なくとも１つの直線偏光モードを有し、入力光は、前記量子ドットの光学遷移のうち、前記フォトニック結晶微小共振器と共鳴していない光学遷移の波長を持ち、出力光は、前記量子ドットの光学遷移のうち、前記フォトニック結晶微小共振器と共鳴し、かつ同一の直線偏光によって実現される光学遷移の波長を持つことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ジッタ特性に優れた能動モード同期動作をし得、波長確定精度の高い波長可変光源を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と波長分散を有する導波路とを共振器内に備えた発振波長を変化可能な第一の光源装置と、前記導波路に接続され変調光としてパルス光を前記第一の光源装置に導入する第二の光源装置と、を具備した波長可変光源装置であって、前記変調光により前記発振波長を相互利得変調による能動モード同期によって制御するとともに、前記変調光のパルス幅が、該変調光を発生させる駆動信号の半周期の時間幅よりも狭い時間幅を持つ波長可変光源装置。 （もっと読む）

【課題】光導波路が交差する領域ができないようにして、過剰損失を抑えることができるようにした光ハイブリッド回路、光受信機及び光受信方法を実現する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１を、８ＰＳＫ又はＤ８ＰＳＫ信号光を、一対の第１光信号、一対の第２光信号、一対の第３光信号及び一対の第４光信号に変換する多モード干渉カプラ２と、第１光信号、第２光信号、第３光信号及び第４光信号のうち、一の光信号を直交位相関係にある一対の第５光信号に変換する第１の２：２光カプラ３と、他の光信号を４５度位相関係にある一対の第６光信号に変換する第２の２：２光カプラ４と、他の光信号を１３５度位相関係にある一対の第７光信号に変換する第３の２：２光カプラ５と、第１光カプラ、第２光カプラ及び第３光カプラが接続される出力チャネルの少なくとも２つの一対の出力チャネルの一方又は両方に設けられた位相制御領域６〜８とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，外乱の影響を受けにくく，精度を保ちつつ小型で簡便に遅延量を制御できる光制御遅延器，及び分光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記の課題は，光を分波する分波器（５）と，分波器（５）により分波された一方の光が入射する第１の波長変換器（１）と，第１の波長変換器（１）により波長が変換されたパルス光が入力される光遅延器（２）と，光遅延器（２）により遅延が与えられたパルス光の波長を変換するための第２の波長変換器（３）とを具備し，光遅延器（２）は，入射光の波長により，入射光に与える遅延量が異なるものであり，分波器（５）により分波された残りの光と，第１の波長変換器（１）に入射され，光遅延器（２）及び第２の波長変換器（３）を経て出力された光との間の遅延時間を制御できる，光制御遅延器により解決される。 （もっと読む）

量子ドット（５１９）と、前記量子ドット（５１９）に電場を印加するように構成される電気的コンタクト（５３３、５３７）と、前記コンタクト（５３３、５３７）に結合される電源であって、双励起子又はより高次の励起子を形成するためにキャリアが前記量子ドット（５１９）に供給されるように、ポテンシャルを印加するように構成される電源と、を具備する光子源であって、前記光子源は、量子ドット（５１９）内の励起子の放射寿命より大きくなるように、キャリアが前記量子ドット（５１９）へ及び前記量子ドット（５１９）からトンネルする時間を増大するように構成される障壁（５２１）をさらに具備し、前記量子ドット（５１９）は、双励起子又はより高次の励起子の崩壊中にエンタングルされた光子の放射に適している、光子源。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールで構成することができ、しかも蓄積時における光損失を極力抑えることが可能な量子ドットを用いた光遅延器を提供する。
【解決手段】格納すべきデータに応じた光信号を入力用の量子ドット１２へ供給することにより、その波長に応じて励起された第１の励起子を遅延用の量子ドット１４へ注入させ、入力用の量子ドット１２から遅延用の量子ドット１４へ注入された第１の励起子を共鳴準位間で互いに伝送させることによりこれを格納させるとともに、光信号とは異なる波長からなる緩和防止用光信号を供給して下位準位へ更に第２の励起子を励起させることにより、共鳴準位間において伝送させている第１の励起子の上記下位準位を介した緩和を遅延させる。 （もっと読む）

【課題】高い測定精度で安定して測定できる吸光分析装置を提供する。
【解決手段】第１光カプラ１８と光検出器２０との間に負帰還増幅型半導体光増幅器３４が備えられ、その負帰還増幅型半導体光増幅器３４は、第１入力光Ｌinを負帰還増幅することにより、制御光Ｌc と同じ波長λ２を有し、且つ第１入力光Ｌinの第１周囲光Ｌs1により強度変調された出力光Ｌout を光検出器２０へ出力することから、その光検出器２０に検出される光( 信号) は、負帰還増幅によって波形の歪みが少なくＳ／Ｎ比が高められたものとなる。光導波器１４の閉鎖系伝播経路内での発振がなく、安定した吸光分析が可能となる。パルス状レーザ光Ｌの光強度が時間経過に伴って減衰する減衰波形のＳ／Ｎ比が高くその波形に含まれるノイズが少なくなることから、減衰曲線の減衰に対する測定精度が十分に得られる。 （もっと読む）

0.5から5THzの周波数範囲内の波動放出を有し、半導体ヘテロ構造を備えるレーザデバイスに関する。ヘテロ構造は、円柱形を有し、近赤外線スペクトルに属する少なくとも2つの光学ウィスパリングギャラリモードを放出することができる放出手段を含む第1の光学的非線形半導体材料層を備え、2つのウィスパリングギャラリモードが第１の層内に閉じ込められ、0.5から5THzの周波数を有する電磁気ウィスパリングギャラリモード（テラヘルツモード）内の放射の発生を第1の層内で可能にし、放射が2つのウィスパリングギャラリモードの周波数差によって得られ、前記ヘテロ構造の円柱形状が、近赤外線スペクトルに属する2つの光学ウィスパリングギャラリモードと、その周波数差からのテラヘルツモードとの間の位相同調を確実にする。ヘテロ構造は第2の半導体材料層および第3の半導体材料層をさらに備え、少なくとも1つの金属層がヘテロ構造の一方の端部に配置される。
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【課題】 光パケットにおいて、着目する光ビットを任意に抽出し、それ以外の光ビットをマスクするという方法を実現する。
【解決手段】 シリアルに入力される入力光信号を分岐させる分岐手段と、この分岐された入力光信号の１ビット以上のパルス幅を持つ第１のウィンドウ信号およびこの第１のウィンドウ信号を反転した第２のウィンドウ信号を発生させる信号発生手段と、もう一方の分岐された入力光信号を受け、この入力光信号の抽出したいビットに第１のウィンドウ信号の立ち上がりのタイミングを合わせ、第１のウィンドウ信号に応じた時間範囲の入力光信号を抽出する第１の抽出手段と、この第１の抽出手段から出力される信号を受け、第１のウィンドウ信号に対して入力光信号の１ビット相当の時間を遅延させた第２のウィンドウ信号が印加され、この第２のウィンドウ信号に応じた時間範囲の出力光信号を抽出する第２の抽出手段を備えた任意ビット抽出器であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の絶縁膜上の半導体層を利用して形成された光導波路を導波する光の検出を低コストで容易に達成することが可能なことはもとより、反射や放射による光の損失を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に絶縁膜１２を介して形成された半導体層１５と、半導体層が所定の経路に沿って所定厚とされて形成された光導波路６１と、光導波路６１に接続されたチャネルボディ７１およびチャネルボディ７１の表面側に形成されたチャネルを形成するためのゲートを持つＭＩＳＦＥＴを含む受光素子７０と、を有し、他のトランジスタとの電気的な分離を行う絶縁部領域７８が光導波路６１部分とは異なる領域に配置されている。 （もっと読む）

時間依存の複数のエンタングル光子の源と、前記複数のエンタングル光子のうちの１以上の放出時間に基づいて、前記複数のエンタングル光子のエンタングル状態を示すように構成されるタイミング手段と、具備する量子情報システム。
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レーザダイオードの波長選択区画が、Ｐ^＋型電流閉込層と、電流閉込層に重ねて形成された第１及び第２の櫛形ヒータ電極列とを有する半導体レーザ源が提供される。第１及び第２の櫛形ヒータ電極列の個々の櫛歯電極は、レーザダイオードの活性導波路層によって定められる光伝搬方向に沿って次々に交互する。第１の櫛形ヒータ電極列は、レーザダイオードカソードに対して、また第２の櫛形ヒータ電極列に対して、相対バイアスがＰ-Ｎ接合の順バイアス導通電圧より小さいか、またはＰ-Ｎ接合の逆バイアス降伏電圧より小さい絶対値を有するように、正または負にバイアスされる。
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