【課題】 半導体基板の裏面研削砥石の寿命を低下させない保護フィルム貼付半導体基板を得るエッジ研磨装置の提供。
【解決手段】 回転軸４ａに軸承されたカム状フレーム４ｂに、ストップピン４ｃ、半導体基板のエッジ部に前記研磨テープＴの研磨面を当接するとともに供給リール２より供給された研磨テープを表面滑走させるシリコンゴムスポンジ製当て板４ｄ、この当て板を挟んで離間して設けた一対の第一研磨テープ送りローラ４ｅと第二研磨テープ送りローラ４ｆ、前記第一エンジニアリング樹脂製研磨テープ送りローラの背面に設けられ巻取リール３側に研磨テープを返送する第三研磨テープ送りローラ４ｇを設けた研磨ヘッド４を備える半導体基板のエッジ研磨装置１。 （もっと読む）

【課題】分散安定性、優れた研磨特性及び優れた研磨の平坦化特性を同時に備える半導体用研磨剤の提供。
【解決手段】酸化セリウム砥粒、多糖類、水溶性有機高分子及び陰イオン性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上および水を含む半導体用研磨剤。 （もっと読む）

【課題】 研磨層とクッション層が剥離し難い積層研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 貫通領域を持たない研磨層とクッション層とが接着部材を介して積層されている積層研磨パッドにおいて、前記研磨層の裏面側に、研磨層の中心領域から外周端まで連続する非接着領域Ｘが少なくとも１つ設けられている及び／又は前記接着部材に、接着部材の中心領域から外周端まで連続する非接着領域Ｙが少なくとも１つ設けられていることを特徴とする積層研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】マルチワイヤソーでの切断時に、分離プレートの挿入時やマウンティングプレートからの分離及び個別化時のウェハの損傷を回避する方法を提供する。
【解決手段】インゴットをギャング長さ（刃部の幅）Ｌ_Gを有するワイヤソーによって同時に多数のウェハに同時に切断する。工作物の長さをＬ_i、工作物間を識別する分離プレート挿入スペースなどを考慮した工作物間の最小間隔をＡ_minとすると、
［数１］


を満足し、かつ右辺ができるだけ大きくなるように同時に切断する工作物の組み合わせを選定する。次に工作物の間隔Ａ（Ａ≧Ａ_min）が下式を満たすように決めてマウンティングプレート１１に固定する。
［数２］
（もっと読む）

【課題】研磨屑の付着を抑制することができるウエーハの研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低減された砥粒濃度で、改善された除去速度を有して絶縁層をケミカルメカニカルポリッシングする組成物を提供する。
【解決手段】初期組成物として、水；砥粒；式（Ｉ）で示される、ジ第四級物質；特定式で示される、グアニジンの誘導体；および、場合により、第四級アンモニウム塩を含む、組成物。


［式中、各々のＸは、ＮおよびＰより独立に選択され；Ｒ^１は、飽和または不飽和Ｃ_１−Ｃ_１５アルキル基等、Ｒ^２〜Ｒ^７は、各々独立に、水素等より選択され；式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオンの＋２価とバランスする任意のアニオンまたはアニオンの組み合わせであることができる］ （もっと読む）

【課題】ワイヤの断線を抑制するとともに、加工速度の低下を抑制する、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、砥粒が固着されたワイヤＷを単数列または複数列用いてインゴット１を切断することにより半導体基板を製造する方法であって、インゴット１を準備する工程と、ワイヤＷの延在方向に対して交差する方向ｙにワイヤを回転させながら、インゴット１を切断する工程とを備えている。切断する工程では、ワイヤＷを往復運動することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スラリー洗浄が容易で且つ耐薬品性に優れたＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも１つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするＣＭＰ装置。 （もっと読む）

【課題】高精度な研磨を高効率よく低コストで行える研磨用組成物（研磨スラリー）を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒と該砥粒を分散させる分散媒とからなり、被研磨材の研磨に用いられる研磨用組成物であって、砥粒は、無機原料を破砕した体積平均粒径が０．０１〜５μｍの破砕粒子からなり、分散媒はアルカリ性分散媒であることを特徴とする。この研磨用組成物に用いる破砕粒子は、例えば、石英ガラスガラスを破砕した破砕シリカ粒子が好ましい。本発明の研磨スラリーを用いれば、表面粗さが小さく安定した良好な研磨を高い研磨レートで行うことができる。しかも本発明の研磨用組成物によれば、レアアース等を用いる必要がないので、砥粒の低コスト化ひいては研磨スラリーの低コスト化を図れる。 （もっと読む）

【課題】 一つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着して研削や研磨を実施する場合にも、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化可能な加工方法を提供することである。
【解決手段】 環状フレームＦに貼着された粘着テープＴの中心に第１ウエーハ１１を貼着し、複数の第２ウエーハ１３をその周りに貼着したウエーハユニット１５を形成する。チャックテーブル３６の回転軸から第２ウエーハ１３の最外周位置までの長さより大きい半径を有する研削ホイール２２の外周縁が第１ウエーハ１１の中心を通過するように、チャックテーブル３６と研削ホイール２２の位置関係を設定する。厚み測定器４６で第１ウエーハ１１の厚みを測定しながら第１及び第２ウエーハ１１，１３の研削を実施する。第１ウエーハ１１の厚みが所定厚みへ達した際に研削送りを停止することにより、全てのウエーハ１１，１３を所定の厚みへと研削することができる。 （もっと読む）

【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨する。
【解決手段】（Ａ）二価以上の無機酸と、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）保護膜形成剤と、（Ｄ）砥粒と、（Ｅ）酸化剤と、（Ｆ）水とを含み、（Ａ）成分の含有量が０．０８ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、（Ｂ）成分の含有量が０．２０ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、（Ｃ）成分の含有量が０．０２ｍｏｌ／ｋｇ以上であり、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。（ｉ）（Ｃ）成分の含有量に対する（Ａ）成分の含有量の比率が２．００以上である。（ｉｉ）（Ｇ）有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチを改善し、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントはシェルおよび５g/liter〜２００g/literの密度を有し、シェルは、ポリマー中に埋め込まれたシリケート粒子、外表面および直径５μm〜２００μmを有し、シリケート粒子は平均粒子サイズ０．０１〜３μmを有し、シリケート含有領域は前記ポリマーマイクロエレメントの外表面の５０％未満を被覆するように距離を保ち、かつ前記ポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満は、ｉ）５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ｉｉ）前記ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびｉｉｉ）シリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連する複数のポリマー粒子。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチが改善され、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントの供給流をガスジェットに吹き込み、コアンダブロックに隣接するガスジェット中に気体充填マイクロエレメントを通過させ、コアンダブロックの湾曲した壁から粗粒のポリマーマイクロエレメントを分離し、捕集されたポリマーマイクロエレメントは、５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびシリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連するポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満を含み、除去されたポリマーマイクロエレメントをポリマーマトリックスに挿入することで研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】レンズ、シリコンウェハ、ガラス基板等の研磨加工を行う際に使用される研磨材に対する一時的な保持力を改善することにより、セリウムのようなレアアース（希少金属）の使用量を軽減でき、研磨能率を向上させることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】繊維により構成された不織布の繊維基材２に、Ａ硬度が７０〜１００の範囲内であるエポキシ樹脂３を塗布又は含浸させるか、又は不織布の繊維基材２表面にエポキシ基が含有されてなる研磨パッド１。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶの研磨においてスループットの向上が可能な研磨用スラリーを提供する。
【解決手段】研磨用スラリーは、シリコン貫通ビアを構成するバリアメタル、銅および二酸化シリコンの研磨に用いられる研磨用スラリーであって、平均粒径が３０ｎｍであるコロイダルシリカと、平均粒径が８０ｎｍであるコロイダルシリカと、マロン酸と、Ｌ−アラニンと、ベンゾトリアゾールと、リン酸と、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムと、ジノニルスルホコハク酸ナトリウムとを含み、酸性である。 （もっと読む）

【課題】両面粘着テープを用いて研磨部材を定盤に固定する際に貼り直しを容易にする。
【解決手段】本発明のある実施の形態の両面粘着テープ１０は、定盤への粘着面となる第１の粘着剤層３０と、研磨部材への粘着面となる第２の粘着剤層４０と、第１の粘着剤層３０と第２の粘着剤層４０との間の基材２０とを含む。このような層構成の両面粘着テープ１０において、第１の粘着剤層３０のループタック粘着力が１６Ｎ／５０ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４のような絶縁体膜の調整可能な除去速度及び除去速度の選択比を示す、ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【解決手段】初期成分として、水；砥粒；式（Ｉ）によるハロゲン化第四級アンモニウム化合物；及び、場合により、特定式によるジ第四級物質を含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
（もっと読む）

【課題】硬脆性ウェーハの加工歪およびマイクロスクラッチを低減し、総平坦化加工時間を短縮でき、かつインゴットからのウェーハの取得枚数を増加可能な硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッドを提供する。
【解決手段】スライス後の硬脆性ウェーハの表面および裏面のうち、少なくとも表面に、高強度高弾性率繊維製の平坦化加工用パッドを押し付け、遊離砥粒を含む加工液を供給しながら硬脆性ウェーハを粗平坦化し、その後、ウェーハ表面を仕上げ研磨する。その結果、ウェーハの加工歪を減らしてマイクロスクラッチの発生数が低減でき、かつ総平坦化加工時間を短縮できるとともに、１本のインゴットからのウェーハの取得枚数も増加できる。 （もっと読む）

【課題】鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる切断体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る切断体の製造方法は、樹脂被覆ソーワイヤでワークを切断するにあたり、硬さを調節した樹脂で鋼線を被覆した樹脂被覆ソーワイヤに砥粒を吹き付け、切断面と樹脂被覆ソーワイヤとの間への砥粒の引き込みを前記樹脂によって抑制しつつ、前記ワークに対して前記被覆ソーワイヤが切り込む方向には、砥粒を引き込むことでワークを切断する方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰプロセス時に、研磨パッド洗浄プロセスを追加し、洗浄された研磨パッドを用いて研磨を実施する。研磨パッド洗浄プロセスは、半導体基板の研磨前に実施する。研磨パッド洗浄プロセスにおいて、有機酸濃度が０．５〜１０．０質量％のパッド洗浄液を用いる。 （もっと読む）