【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第１のＶ字溝及び第２のＶ字溝と、前記第１のＶ字溝と前記第２のＶ字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第１のＶ字溝の縦断面の面積が前記第２のＶ字溝の縦断面の面積より大きく、前記第１のＶ字溝同士の間のピッチと前記第２のＶ字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さＲａは０．０５μｍないし２μｍの範囲にあり、前記研磨面の幅は２０μｍないし１２０μｍの範囲にある金属研磨盤が提供される。 （もっと読む）

【課題】切削予定ライン同士が平行でない被加工物を、二つの加工手段を使用して加工する方法を提供する。
【解決手段】互いに平行ではない複数の加工予定ラインを有する加工方法であって、被加工物を保持する保持ステップと、保持テーブルを回転させて複数の加工予定ラインのうちの第１の加工予定ラインをＸ軸方向と平行に位置づける位置付けステップ（Ｓ１７）と、第１加工手段を第１の加工予定ラインに割り出し送りし、被加工物を一端から他端に向かって往路加工する往路加工ステップ（Ｓ１８）と、保持テーブルを僅かに回転させて第２の加工予定ラインをＸ軸方向と平行に位置付ける角度微調整ステップ（Ｓ１９）と、第２加工手段を第２の加工予定ラインに割り出し送りし、更に被加工物を第１の加工送り方向と反対の第２の加工送り方向に加工送りしながら、第２加工手段で被加工物を復路加工する復路加工ステップ（Ｓ２０）と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反りを抑制しながら、硬脆性材料のスライス時間を短縮可能な硬脆性材料のスライス方法を提供する。
【解決手段】スライス初期では、第１の固定砥粒による硬脆性材料の切断が進行し、これに伴い、電着固定砥粒ワイヤの走行モータの負荷電流が徐々に低下し、電着固定砥粒ワイヤに撓みが生じてくる。しかしながら、第１の固定砥粒の粒度が第２の固定砥粒の粒度に達した時、鋭角な角部を有した未使用の第２の固定砥粒が、硬脆性材料の切断溝の底部に当接し、それ以降、切断溝の底部の主な研削は第２の固定砥粒が引き継ぐ。これにより、走行モータの負荷電流の低下が徐々に回復し、撓みが徐々に減少する。その結果、一定の押し付け速度のままで硬脆性材料をスライス可能となる。よって、ウェーハの反りを抑制しながら、硬脆性材料のスライス時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを削減できる研磨パッド及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド４０は、第１のパッド部４０ａと、その周囲に配置される第２のパッド部４０ｂとを有し、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂはそれぞれ個別に交換することができる。ＣＭＰ装置に研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第２のパッド部４０ｂを交換用の第２のパッド部４０ｃに交換する。 （もっと読む）

【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク１３、下部加工ディスク２６、転動装置を含み、対称軸２８を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層２９を下部加工ディスク２６の表面上に、上部介在層１６を上部加工ディスク１３の表面上に取り付けるステップと、３つのトリミング装置によって両方の介在層１６、２９を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む１つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層１６、２９から材料除去をもたらし、下部加工層３２と上部加工層３９を下部介在層２９と上部介在層１６に取り付けるステップを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ラッピング装置、研削装置、または研磨装置の２つの加工盤の間での両面処理のために１つまたは複数の半導体ウェハを受け入れるのに好適な挿入キャリアに関する。
【解決手段】この挿入キャリアは、第１および第２の表面を有する第１の材料から構成されるコアを含み、第１および第２の表面の各々は第２の材料から構成されるコーティングを有し、コーティングは第１および第２の表面を完全にまたは部分的に覆い、挿入キャリアはさらに半導体ウェハを受け入れるための少なくとも１つの開口部を含み、コーティングにおいてコアから離れた側の表面は、凸部と凹部とからなる構造を有し、構造の凸部および凹部の相関長は０．５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内であり、構造の縦横比は０．０００４〜０．４の範囲内である。本発明はさらに、挿入キャリアが用いられる、半導体ウェハの同時両面材料除去処理のための方法にも関する。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】超砥粒が固定された固定砥粒ワイヤにおいて、スライス加工時に研削液を十分に取り込むことが可能な長寿命の固定砥粒ワイヤを得ること。
【解決手段】ワイヤ芯線２上に断面のアスペクト比が１．２〜１．６の超砥粒４および一般砥粒５を、断面の短辺側からバインダ３の表面に突き出させて固定した固定砥粒ワイヤ１であり、それぞれの突き出し高さを大きくした超砥粒４の間に一般砥粒５が配置され、超砥粒４と一般砥粒５との間に研削液を取り込むことが可能な間隙が形成されるため、この固定砥粒ワイヤ１を用いてスライス加工を行うと、超砥粒４の高い切削精度が得られるとともに、研削液が固定砥粒ワイヤ１の表面に保持されるので、研削面への研削液の供給が十分になされるようになり、固定砥粒ワイヤ１の寿命を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】ワークを精度よく研磨することのできる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】供給孔７６の一方の端部である、研磨布３４が貼付された定盤３６面側の開口縁がテーパー面７６ａに形成されて、当該部位の供給孔７６が定盤面に向けて広がる拡径孔に形成され、研磨布３４の、供給孔７６を覆う部分に、供給孔対応孔が形成され、該供給孔対応孔の開口縁が供給孔７６内に押し込まれると共に、一端部に、前記拡径孔のテーパー面７６ａに対向するフランジ部８４ａが形成された固定パイプ８４が供給孔７６に挿入された状態で定盤３６に固定され、前記供給孔対応孔の開口縁が、前記拡径孔のテーパー面７６ａと固定パイプ８４のフランジ部８４ａとの間で挟圧、保持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中にレベリング剤を添加することなく、砥粒のワイヤ本体への固着強度の向上及び砥粒による切削性能又は切断性能の向上を同時に図り得る固定砥粒ワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】メッキ液中において電極部材及びワイヤ本体を対向配置させた状態で前記電極部材が陽極となり且つ前記ワイヤ本体が陰極となるような正電解パルス電圧を印可し、その後に、前記電極部材が陰極となり且つ前記ワイヤ本体が陽極となるような逆電解パルス電圧を印可する処理を一周期とする反転パルス電圧の印可を繰り返すことで、砥粒群の少なくとも一部の砥粒の頂部が露出した状態で前記砥粒群を含む前記メッキ層を前記ワイヤ本体に電着させる。 （もっと読む）

【課題】一体のスラリー分配機構を備えた化学的機械研磨ヘッド及び方法を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨面１２５に表面を有した基板１０５を位置決めするための研磨ヘッドであって、底面を有したキャリア１５５を備え、該底面は、研磨工程中に基板を保持するようになっている下面を含み、キャリア１５５は、研磨工程中に研磨物質を研磨面に分配するために下面の周りの底面を貫通して延びている複数のポート３２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料からなる被加工物のワイヤーソーイング時の最適な冷却を保証しつつ、切削液（ソーイングスラリー、スラリー）の特性に影響を及ぼさない方法を開発する。
【解決手段】本発明は、ワイヤーソーイング時に、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素などの半導体材料からなる円筒形被加工物を冷却する方法に関し、切断時にノズルによって冷却液が半導体材料被加工物に塗布される。被加工物を支承するワイパーが、冷却液が切削液と混合するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に９〜２００のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなくても複数段のブロック状ワークの摺動状態又は保持状態が安定し、切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のブロック状ワークの端面同士を押し当てて重ねた集合体であるワークを同時に複数の片状ワークに切断する複数のワイヤを有するワーク切断部と、ワーク切断部のワイヤによる切断面に平行でワイヤとの位置関係が設定された位置決め用基準面を有する位置決め用基準板と、位置決め用基準面にワークを押し当てる状態で位置決め用基準面に直交する方向にずれないようにワークを位置決めする位置決め用保持部材と、を有するワーク位置決め体と、ワークを位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、を含み、位置決め用保持部材は、ワーク切断部により切断されているブロック状ワークに対して押圧可能な押圧部を有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることがなくてもワイヤの挙動が安定し、ワイヤの断線のおそれが低減され、ワークの切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のブロック状ワークの端面同士を押し当てて重ねた集合体であるワークを同時に複数の片状ワークに切断する複数のワイヤを有するワーク切断部と、ワークが保持され収納されるワーク収納部と、ワーク収納部に収納されたワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、片状ワークが載置され、片状ワークの落下高さを規制する落下高さ規制板を含む。 （もっと読む）

【課題】切削速度に優れたソーワイヤーを提供する。
【解決手段】互いに逆向きに突出する一対の頂部２，３からなる波形のくせが単一の平面上に連続するように、２次元にくせ付けられたソーワイヤー１によって上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなくても複数段のブロック状ワークの摺動状態又は保持状態が安定し、切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のワイヤを有するワーク切断部と、位置決め用基準面を有する位置決め用基準板と、位置決め用基準面にワークを押し当てる状態で位置決め用基準面に直交する方向にずれないようにワークを位置決めする位置決め用保持部材と、を有するワーク位置決め体と、位置決め用基準面に直交する挟持用基準面を有する挟持用基準板と、挟持用基準板に対向配置されて前記ワークが切断される方向の端部にスリットを有する挟持用保持部材を有し、ワイヤ長手方向に位置するワークの両端を挟持するワーク挟持体と、ワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、を含み、ワイヤがスリットを通過する。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いずに複数のブロック状ワークを複数段積み重ねて切断する場合に、切断精度の低下を抑制すること。
【解決手段】このワーク切断方法は、切断対象となる複数のブロック状ワークをワイヤで切断するにあたって、複数のブロック状ワークを複数段積み重ねる準備工程と（ステップＳ１１）、ワイヤで複数のブロック状ワークを切断する切断工程と（ステップＳ１３）、を含む。切断工程においては、第１のブロック状ワークの段を切断中に、第１のブロック状ワークの段に隣接して積み重ねられた第２のブロック状ワークの段の切断が開始されるように前記ワイヤの撓みが制御される。 （もっと読む）