【課題】簡単な構成で効率良く基板を研磨する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１は、プラテン２上に薄膜フィルム４が取り付けられ、薄膜フィルム４を覆うように研磨パッド５が固定されている。薄膜フィルム４の外径は研磨パッド５の外径より小さいので、プラテン２の上方には研磨パッド５の段差５Ａが形成される。研磨パッド５の上方には、基板６を保持する研磨ヘッド１０が回転及び往復移動可能に配置されている。基板６の研磨時に、基板６は段差５Ａに押し当てられる。薄膜フィルム４によって、プラテン２から研磨パッド５の上面までの距離が調整されることで、研磨レートが制御される。 （もっと読む）

【課題】ノズルを加工液供給部に対して簡単な操作で容易に着脱することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ間にワイヤを複数回周回させる。加工液供給部１５の一次側口金１６に対してノズル１４の二次側口金１７を着脱可能に接続して、加工液供給部１５からの加工液がノズル１４よりワイヤに供給されるようにする。一次側口金１６と二次側口金１７との間には、ノズル１４の二次側口金１７を加工液供給部１５の一次側口金１６に対して、接続口径方向の横位置を決める凹溝２０と係合部２１となる係合手段と、ノズル１４の装着に伴って二次側口金１７を一次側口金１６に対する接続方向及び上下方向に位置決めするカム構造２３を設ける。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、回転砥石による磁石切削又は研削加工において、ワックスによる接着固定が不要で、被切断物の着脱が容易で且つ切断中及び切断後の磁石のずれがなく精度よく加工可能となる磁石固定治具を提供する。
【効果】円板状又は円筒状の台金の外周部に砥石を固着した外周刃又は研削砥石を回転軸に取り付け希土類磁石を切削又は研削加工する際に使用する希土類磁石を固定するための磁石固定治具であって、磁石を挟む一対の固定治具は、金属からなる部品と円柱状のゴムから構成され、金属部品にはゴムの直径よりも浅い溝を設け、その溝の中にゴムをはめ込むと共に、溝の体積はゴムの体積以上の空間を持つようにして、ゴムの突き出しを設け、磁石に先ずゴムが接触しゴムとの摩擦力で横ずれが防止され、更にゴムが突き出し分変形して金属部と磁石が接触することで把持方向のずれがなくなり、強固に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソー用ワイヤの強度等は維持しつつ、そのコストの低廉化を図る。
【解決手段】０．６８〜０．７５質量％のＣと、０．１０〜０．５０質量％のＳｉと、０．３０〜０．９０質量％のＭｎと、０．０２５質量％以下のＰと、０．０２５質量％以下のＳと、０．２質量％以下のＣｕと、を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる線材をパテンティング処理および伸線処理することで、線径が０．１６ｍｍ以下であり、引張強さが３３００〜３８００ＭＰａであるワイヤソー用ワイヤを得る。従来の高炭素ワイヤに比べて炭素量が少ないため、原材料コストを抑えられる。炭素量が少なく加工性が向上しているため、伸線工程での断線が少なく歩留まりが向上するとともに、仕上げ伸線前のパテンティング処理を太径で長さの短い状態でおこなえるため、処理コストも抑えられる。 （もっと読む）

【課題】研削液に浸漬しても十分な接着力が維持され、且つ研削液による膨潤が十分に抑制される粘着剤層を備える研磨用構造体を提供する。
【解決手段】支持体と、研磨材と、これらを接合する粘着剤層と、を備える研磨用構造体であって、上記粘着剤層は、第一のモノマー５８〜８５質量％、第二のモノマー２〜７質量％及び第三のモノマー１０〜４０質量％を含むモノマーの重合体を含有し、上記第一のモノマーは、ガラス転移温度が０℃以下のホモポリマーを与える、炭素数８〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルであり、上記第二のモノマーは、ガラス転移温度が５０℃以上のホモポリマーを与える、極性モノマーであり、上記第三のモノマーは、ガラス転移温度が１０℃以上のホモポリマーを与える、炭素数４〜１８のアルキル基又は炭素数７〜１８のアラルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルである、研磨用構造体。 （もっと読む）

【課題】ワックスレス方式の研磨ヘッドにおいて、バッキングフィルムのライフ初期の外周部の反り上がりを抑制し、ワークの研磨前の形状に依らずにワークを高平坦に研磨可能な研磨ヘッド、研磨装置、及びワークの研磨方法を提供する。
【解決手段】ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する際に前記ワークを保持するための研磨ヘッドであって、少なくとも、前記ワークの裏面を保持するための、セラミックからなり、かつ、可撓性を有するワーク保持盤と、該ワーク保持盤の前記ワークを保持する側と反対の面上に形成された密閉空間と、該密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段とを有し、前記圧力制御手段で前記密閉空間内の圧力を制御することによって、前記可撓性を有するワーク保持盤の形状を中凸形状又は中凹形状に調整できるものであることを特徴とする研磨ヘッド。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥（ＣＯＰ）数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が０．０１以上０．３質量％未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が０．１以上１．２質量％以下であり、前記シリカの一次粒子径が１８ｎｍ以上である研磨剤を用いて、前記ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットの切断工程又は半導体インゴットから切削した半導体ウエハの加工工程で排出される使用済みの冷却液の循環再使用を可能とする冷却液の回収方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体インゴットの切断又は半導体インゴットから切断された半導体ウエハの加工装置２から排出される使用済みの冷却液を処理して固形粒子を粗除去する遠心分離機４と、遠心分離機４で固形粒子が粗除去された使用済みの冷却液を濾過する直径０．０２μｍ以上の粒子を濾別可能なフッ素系樹脂からなる膜分離装置５と、膜分離装置５を透過した使用済み冷却液を加工装置２に還流させる還流手段と、を有する使用済み冷却液の回収装置１。 （もっと読む）

【課題】研磨の処理が終了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】分割予定ラインの間隔が等間隔でないとともに平行でない被加工物の分割予定ラインを正確に迅速に検出可能な分割予定ライン検出方法を提供する。
【解決手段】分割予定ライン検出方法であって、撮像手段を分割予定ラインに沿って相対的に移動して、第１アライメントマークＰと、中間アライメントマークＲと、第２アライメントマークＱとの間隔に対応して各アライメントマークＰ、Ｒ、Ｑを撮像して記憶する往路アライメントマーク撮像工程と、撮像手段を隣接する分割予定ラインに移動し、各アライメントマークＰ，Ｒ，Ｑを撮像して記憶する復路アライメントマーク撮像工程と、該往路アライメントマーク撮像工程と該復路アライメントマーク撮像工程とを複数回繰り返して複数の分割予定ラインに関するアライメント情報を取得した後、位置情報から最小二乗法により、分割予定ラインを検出する分割予定ライン検出工程と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の被研磨面の中央部における研磨速度の低下を抑え、基板の被研磨面を全面にわたって均一に平坦化することができる研磨パッドのコンディショニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された薄膜に摺接して薄膜を研磨する研磨テーブル１上の研磨パッド２をドレッサ２２を用いてコンディショニングするコンディショニング方法であって、研磨パッド２の中心部と外周部との間を移動して研磨パッド２をドレッシングするドレッサ２２の移動速度を研磨パッド２の所定の領域Ａ２で標準移動レシピにおける所定の領域Ａ２の速度より大きくして研磨パッド２のコンディショニングを行い、研磨パッド２の所定の領域Ａ２に摺接して研磨される基板Ｗ上の薄膜の研磨速度を高めるようにした。 （もっと読む）

【課題】研磨ステップの終点が達成された時を決定するステップを提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用して、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定し、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた研磨レートで高い平坦性を維持することを実現するための研磨布及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均断面積４０〜４００μｍ²の極細繊維束を含む不織布と、不織布に含浸付与された架橋ポリウレタン弾性体とを含み、架橋ポリウレタン弾性体は、特定の研磨スラリーに対する質量膨潤率が０．２〜６質量％である、研磨布である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ走行時のワイヤの捩れによるワイヤ断線を防止してワークの歩留まりを向上させると共に、捩れに弱い細い高張力ワイヤを安定的に用いて精度のよい加工をする。
【解決手段】ワイヤ４の捩れをモニタリングし、モニタリングしたワイヤの捩れ状態に応じてワイヤ４の複数列を溝付きローラ２，３の軸方向に移動させてワイヤ４の捩れを緩和させるワイヤ捩れ緩和手段１９を有している。このワイヤ捩れ緩和手段１９は、２箇所で同一ワイヤ位置の側面映像を撮影するワイヤ側面撮影手段１９１，１９２と、ワイヤ側面撮影手段１９１，１９２で撮影した二つのワイヤ側面映像に基づいてワイヤ４の捩れ状態を検出するワイヤ捩れ検出手段１９３と、ワイヤの捩れ状態に応じてワイヤ列を溝付きローラ２，３の軸方向に移動調整してワイヤ４の捩れを緩和するワイヤ列調整手段１９４とを有している。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアと、前記センターギアを回転軸としつつ前記下定盤と向かい合うように配置される上定盤とから構成される研磨装置と、前記研磨装置を内部に配置し研磨で使用した前記溶液を溜める溶液漕と、所定の溶液内にナノバブルを生成するナノバブル発生装置と、前記ナノバブルを含む前記所定の溶液を攪拌する攪拌部と、この攪拌部から前記研磨装置の上定盤に前記ナノバブルを含む前記溶液を供給する第一のポンプと、前記溶液漕に溜まった前記溶液を前記攪拌部へ供給する第二のポンプと、から構成される循環系設備と、を備え、前記研磨装置と前記溶液漕と前記循環系設備との前記溶液が接触する表面に、フッ素樹脂を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ供給側（新線側）ワイヤの張力を低減してワイヤの撓み量をワイヤ供給側からワイヤ回収側に渡って一定に保持して、ワイヤの断線リスクを抑制すると共に、ワイヤ供給側とワイヤ回収側でワーク切断能力を均一にできて切断厚さのバラツキを低減する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数（ここでは二つ）の溝付きローラ２，３の外周溝に巻き付けられた切断用のワイヤ４を走行させてワイヤ４の複数列でワークである半導体インゴット７を切断するワイヤソー装置１において、溝付きローラ２，３間に張架されたワイヤ張力のうち、ワイヤ回収側のワイヤ張力を大きくし、ワイヤ供給側のワイヤ張力を小さくした張力制御手段１６を有している。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 固定台とこの固定台を囲み密閉空間を形成する箱型躯体とからなる加工装置と、溶液にナノバブルを発生するナノバブル発生装置と、溶液を高速で噴射する高速水流発生装置と、加工装置内の溶液を高速で排水する高速排水装置と、排水した溶液を安定させる攪拌部と、ナノバブル発生装置と高速水流発生装置とを接続する第一配管部と、高速水流発生装置と加工装置とを接続する第二配管部と、加工装置と高速排水装置とを接続する第三配管部と、高速排水装置と攪拌部とを接続する第四配管部と、攪拌部とナノバブル発生装置とを接続する第五配管部と、第二配管部の加工装置側の端部に設けられる噴射ノズルと、を備え、第二配管部の中心軸線と第三配管部の中心軸線とが同一直線上に位置し、噴射ノズルの噴射範囲内に加工装置の固定台が位置して構成されることを特徴とする。 （もっと読む）