【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、ｐＨが酸性領域にあるＣＭＰ研磨液であって、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機械的発泡法により得られるポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、イソシアネート成分、高分子量ポリオール、及び下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーと、鎖延長剤とを含むポリウレタン原料組成物の反応硬化体であり、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン原料組成物中に１〜５重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】 本発明は、スラリー漏れを防止することができ、かつ光学的検知精度に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されており、研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１であるＧａＮ結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】ダマシン法においてバリア膜を研磨するためのＣＭＰ研磨液であって、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して１〜１０重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】ポリシングパッドの表面凹凸の加工に寄与している周波数成分や振幅を反映した構造を選択的に形成させることで、研磨性能の向上を図る。
【解決手段】ポリシングパッドは、基材層と、該基材層の表面に設けられ、かつ、該基材層の表面側から先端側に傾斜面を有する複数の突起を、ピーク材によって一体に形成する。この複数の突起は、基材層の表面において縦及び横方向にそれぞれ所定間隔を開けて配置する。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物を用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウエハの製造方法は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有する研磨用組成物を使用した予備研磨工程と、仕上げ研磨工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学機械的研磨の終点を正確に決定する方法を提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用し、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定でき、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し、真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、ウエハ上の絶縁膜に形成された孔または溝に銅または銅合金を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰の銅または銅合金を除去することによって配線を形成する手法に用いる化学機械研磨用水系分散体であって、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカと、水と、過酸化水素と、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも１種と、を含有し、前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび前記ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの合計量が０．００２質量％以上１質量％未満であり、ｐＨが７．５以上９．０以下である （もっと読む）

【課題】シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足さする化学機械研磨用分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）Ｎ−ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、ｐＨが２以上８以下である。 （もっと読む）

【課題】 ニードルパンチ方式に比べて短時間で製造できるとともに短繊維で研磨面を形成可能な研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ等の板状物を研磨する研磨パッドであって、基材と、基材上に繊維が静電植毛によって配設された研磨層とから構成される。好ましくは、繊維は親水性繊維から構成され、繊維の長さは１ｍｍ以下の短繊維である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するＣＭＰ技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基、−ＯＳＯ_３Ｈ基、−ＰＯ_４Ｍ_２基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基（式中、ＭはＨ、ＮＨ_４、Ｎａ及びＫから選択されるいずれか一種、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示す。）から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、ｐＨが４．５〜７．０であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して０．０１〜０．３０質量％であるＣＭＰ研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】切断加工の前後にワークの接着や剥離の作業を行う必要がなく、加工能率の向上及び製造コストの低減を図ることができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ１１間にワイヤ１２を複数回周回させる。ワイヤ１２の周回域の上方には、ワークＷを横方向から弾性的に挟持する挟持機構１３と、その挟持機構１３に挟持されたワークＷをワイヤ１２に向かって押し下げる押下機構２５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。
【解決手段】銅を含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること；研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層の腐食抑制性に優れる研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】フタル酸化合物、イソフタル酸化合物及び下記一般式（Ｉ）で表されるアルキルジカルボン酸化合物並びにこれらの塩及び酸無水物からなる群より選択される少なくとも１種からなるカルボン酸誘導体と、金属防食剤と、水とを含有し、ｐＨが４．０以下である、コバルト元素を含む層を研磨するための研磨剤である。一般式（Ｉ）中、Ｒは炭素数が４〜１０であるアルキレン基を示す。
ＨＯＯＣ−Ｒ−ＣＯＯＨ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】
高研磨圧を要せずに、シリコン酸化膜やポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比を十分に大きくすることができると共に、貯蔵安定性が良好な化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤とを含有し、ｐＨが、２以上７以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表裏両面を同時に加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、製品となるウェーハを用いて表裏両面の取代をそれぞれ別々に短時間で簡便に評価でき、それによって表裏取代がそれぞれ調整されたウェーハの製造を可能にする取代の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】外周が面取りされたウェーハの表裏両面を加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、加工後の前記ウェーハの取代を評価する取代の評価方法であって、加工前後の前記ウェーハの表裏面それぞれの面取り幅の変化量に基づいて前記ウェーハの表裏面それぞれの取代を算出して評価することを特徴とする取代の評価方法。 （もっと読む）

【課題】より良いトポグラフィー性能を達成するためのタングステンバフィング配合物として使用するための、新しいケミカルメカニカルポリッシング組成物及び方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物と、研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に、被処理膜１３，１６，２１を形成する工程と、前記被処理膜の表面をＣＭＰ法により研磨する工程と、を具備し、前記ＣＭＰ法は、回転する研磨パッド３１を第１温度から前記第１温度よりも高い第２温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第２温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 （もっと読む）