【課題】ガラスセラミックチップのチッピング及び飛散を抑制することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラスセラミックチップを具備するセラミック電子部品の製造方法であって、台座２に貼り付けた粘着シート４上に固定したガラスセラミック基板６の片面のみに、刃先がテーパー状である第一ダイシングブレード８を用いてＶ字形の溝１２を形成する工程と、刃幅が溝の幅よりも小さい第二ダイシングブレードを、粘着シート４上に固定されたガラスセラミック基板６の溝１２内に当接させて、ガラスセラミック基板６を完全に切断して、ガラスセラミックチップを形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率を向上できるとともに、割れや欠け等の発生を抑えて歩留まりを向上できるウエハ外周面の研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】一対の研削テーブル２０５によりウエハＷを厚さ方向両面側から挟持するウエハセット工程と、研磨部材２０２を、長手方向がウエハＷの厚さ方向に沿うように配置して、ウエハＷの外周面Ｗ１に当接させる当接工程と、研削テーブル２０５によりウエハＷを回転させつつ、研磨部材２０２を長手方向に沿って往復走行させ、ウエハＷを研磨する研磨工程と、を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の縁を洗浄するための改良された方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレーム５０２と、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と５１０、を備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の傷及び研磨量を抑制してそのドーパント揮散防止用保護膜としての品質を保ちつつ、高平坦度を有するシリコンウェーハを製造できるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】原料シリコンウェーハの片面に化学気相成長法により酸化膜を成長させた後に、酸化膜表面側に、ウレタン樹脂を塗布後に湿式凝固させて発泡させたスウェード系研磨布又は不織布にウレタン樹脂を含浸させたベロア系研磨布で、かつアスカーＣゴム硬度が５０°以上９０°未満の研磨布を用い、酸化膜を成長させていない表面を研磨する側に、ウレタン単発泡体研磨布又は不織布にウレタン樹脂を含浸させたベロア系研磨布で、かつアスカーＣゴム硬度が９０°以上の研磨布を用いて原料シリコンウェーハを両面研磨する工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワーク支持部に対するワークの装着のたびに、ワイヤに対するワークの姿勢を調節する必要がなく、作業性を良くして加工能率を向上させることができる測定用治具及びワイヤソーを提供する。
【解決手段】ワイヤソーには、上下方向に延びる軸線を中心に位置調節可能なワーク支持部２７と、位置決め機能を有する複数のクランプ金具３０を介してワーク支持部２７に着脱可能に装着されるワーク用治具とを備える。ワーク用治具に代えて、ワーク支持部２７にクランプ金具３０を介して着脱可能に装着される測定用治具４２を設ける。測定用治具４２には、ワイヤソーのメインローラ間のワイヤ２５の位置を検出するためのカメラ４４を設ける。カメラ４４によるワイヤ２５の位置検出に基づいてワーク支持部２７の位置を調節して、クランプ金具３０をワイヤ２５に対して所定位置に位置設定する。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される研磨液の提供。該研磨液を用いた基板の研磨方法の提供。
【解決手段】コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、ｐＨが４以下であり、前記金属防食剤は、３−ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−オキソ−１，２，４−トリアジン、３Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン−３−オール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、３−ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】被研磨面へのダメージが少なく、鏡面に仕上げることができる研磨テープを提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨テープは、基材テープ２と、基材テープ２の上に形成された研磨層３とを有する。基材テープ２は、液体透過構造を有している。研磨層３は、バインダ樹脂４と、バインダ樹脂４中に分散する平均直径０．０２μｍ〜５μｍの研磨粒子５とを有する。この研磨粒子５はシリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、ｐＨが３以下であり、酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び絶縁層を優れた研磨速度で研磨することが可能な半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液は、セリア粒子及びシリカ粒子を含む砥粒と、第１酸解離定数が７以下である化合物と、塩基性化合物と、を含有する。本発明の一実施形態に係る半導体基板の研磨方法は、表面１ａのみに開口した中空部３ａが形成された基板本体１と、中空部３ａ内に配置された、ＴＳＶ（貫通電極）７ａとなるべき導電部材７と、中空部３ａ内において基板本体１及び導電部材７の間に配置された絶縁層５と、を備える半導体基板４００の基板本体１及び絶縁層５を、前記半導体基板用研磨液を用いて裏面１ｂ側から研磨して導電部材７を裏面１ｂ側に露出させ、ＴＳＶ７ａを有する貫通電極構造を形成する研磨工程を備える。 （もっと読む）

【課題】研磨レートの向上とスクラッチの低減とを可能とした研磨パッドを提供すること。
【解決手段】研磨面２に開口した孔４を有する研磨パッド１において、孔４の開口のエッジ部５にその全周にわたり傾斜を付けた構成。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおけるドレッシング時の耐久性を向上させると共に、研磨欠陥（スクラッチ）の発生を低減できる化学機械研磨パッドを提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は、化学機械研磨パッドの研磨層を形成するための組成物であって、（Ａ）ポリイソシアネートと、（Ｂ）ポリオールと、（Ｃ）フィラーと、を含有し、前記（Ｃ）フィラーが−ＮＨ_２、−ＮＨ−、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−ＮＨＣＯＮＨ_２、−ＣＯＯＨおよび−ＳＨからなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物の表面を高精度に平坦化する。
【解決手段】研磨面が、回転中心位置を含み、Ｌ_（ｘ）＝０を満たす第１領域と、第１領域と前記研磨面の外周線との間で、かつ第１領域と接する、０．６≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）０．６≦１を満たす第２領域と、第２領域と前記外周線との間で、かつ第２領域と接する、０．４≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）＜０．６を満たす第３領域と、第３領域と外周線との間で、かつ外周線と接する、０．８≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）≦１を満たす第４領域とを備える研磨用工具を提供する。 （もっと読む）

【課題】圧力損失の増大や、膜の閉塞による回収率の大幅な低下を抑制しながら、研磨剤が高濃度に濃縮されたスラリーを回収可能な研磨剤の回収装置および研磨剤の回収方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ工程で使用された使用済み研磨スラリーから研磨剤を回収する装置であって、前記使用済み研磨スラリーが導入される孔道が円筒状で、かつ有効濾過部の長さが０．８ｍ以下である分離膜４１を有しており、前記使用済み研磨スラリーの研磨剤濃度を、１０質量％以上の濃度に濃縮する研磨剤の回収装置１。 （もっと読む）

【課題】速やかに研磨パッドの表面温度を目標温度にまで上昇させることができる改良されたパッド接触部材を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】パッド温度調整機構は、研磨パッド３の表面に接触するパッド接触部材１１と、温度調整された液体をパッド接触部材１１に供給する液体供給システム３０とを有する。パッド接触部材１１は、その内部に第１の液体流路２１と第２の液体流路２２を有し、これらは直列に接続されている。第１の液体流路２１と第２の液体流路２２には、研磨テーブル２の半径方向に対して略垂直に延びる複数のバッフル２５がそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立可能なＣＭＰ技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ装置は、水溶性粒子を含んだ研磨パッド１２の表面部にスラリーを供給する供給部１５と、被研磨物１４を保持した状態で被研磨物１４を研磨パッド１２の表面部に接触させる保持部１３と、研磨パッド１２の表面部に配置され、研磨パッド１２の表面部の温度を設定する温度設定部１７と、供給部１５、保持部１３及び温度設定部１７の動作を制御する制御部１８とを備える。制御部１８は、研磨パッド１２の表面部の温度を第１の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第１の研磨工程を実行した後に、研磨パッド１２の表面部の温度を第２の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第２の研磨工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】加工効率が高く、加工面の面粗度も良好なワイヤ工具を提供する。
【解決手段】ワイヤ工具１０は、ワイヤ１１の外周面を覆う鍍金層１２で固着されたバックアップ用の粒状体１３と、鍍金層１２を覆う合成樹脂層１４で固着された砥粒１５とを備えている。鍍金層１２と砥粒１５との間には、砥粒１５を含まない緩衝樹脂層１６が設けられている。ワイヤ１１の長手方向に隣り合う粒状体１３と砥粒１５との隙間１７は砥粒１５の外径より小さく、ほぼゼロに設定されている。ワイヤ１１はピアノ線であり、鍍金層１２はニッケル鍍金で形成され、合成樹脂層１４は熱硬化性樹脂で形成され、粒状体１３及び砥粒１５はダイヤモンド粒である。 （もっと読む）

【課題】ブレードの位置検出を精度良く行いブレードの摩耗状態を正しく把握するとともに、装置の小型化を図る。
【解決手段】ワークに対して相対的にＹ方向にインデックス送りとＺ方向に切り込み送りとがされる回転ブレードと、前記ワークを載置して前記回転ブレードに対し相対的にＸ方向の切削送りがされるワーク加工テーブルを有し、前記回転ブレードにより前記ワークの切削加工を行うダイシング装置において、前記ワーク加工テーブルに関して前記回転ブレードとは反対側で、前記ワーク加工テーブルが駆動しても干渉しない位置にその検出部が位置するように、前記回転ブレードを保持するスピンドルと同じ支持部材に取り付けられた、前記回転ブレードの先端位置を検出するブレード位置検出器を備えたことを特徴とするダイシング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第１のＶ字溝及び第２のＶ字溝と、前記第１のＶ字溝と前記第２のＶ字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第１のＶ字溝の縦断面の面積が前記第２のＶ字溝の縦断面の面積より大きく、前記第１のＶ字溝同士の間のピッチと前記第２のＶ字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さＲａは０．０５μｍないし２μｍの範囲にあり、前記研磨面の幅は２０μｍないし１２０μｍの範囲にある金属研磨盤が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。
【解決手段】ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ_２絶縁膜を形成させたＳｉウエハを、酸化セリウム粒子、分子量５０００〜２００００のポリアクリル酸アンモニウム塩および水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤で研磨する。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、ｐＨ調整剤と、砥粒と、下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤とを含む。ｐＨ調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも１つを更に含んでいてもよい。
【化１】
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