【課題】ウェーハの表裏両面を同時に加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、製品となるウェーハを用いて表裏両面の取代をそれぞれ別々に短時間で簡便に評価でき、それによって表裏取代がそれぞれ調整されたウェーハの製造を可能にする取代の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】外周が面取りされたウェーハの表裏両面を加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、加工後の前記ウェーハの取代を評価する取代の評価方法であって、加工前後の前記ウェーハの表裏面それぞれの面取り幅の変化量に基づいて前記ウェーハの表裏面それぞれの取代を算出して評価することを特徴とする取代の評価方法。 （もっと読む）

【課題】良好な研磨速度を確保しつつ、研磨傷の発生数を劇的に低減することが可能なＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤及び水を含有する、ｐＨが４以下のＣＭＰ用研磨液において、砥粒の二次粒子径を１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下にすると共に、光散乱法及び光遮光法を用いて測定される粒度分布がそれぞれ、粒子径が０．５６μｍ以上、０．６４μｍ未満の粒子数を１０００個／ｍｌ未満、及び粒子径が０．６４μｍ以上、０．７９μｍ未満の粒子数を６００個／ｍｌ未満になるようにする。 （もっと読む）

【課題】高い研磨レートと高い面内均一性とを同時に満足する研磨パッドを提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの１４倍〜１３０倍であることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板を高スループットで平坦化加工して薄肉化した反りのない異物の付着が少ない加工基板を製造することができる平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 ３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置３０と、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤２０間のサファイア基板の移送を多関節型搬送ロボット４のアーム４ａを利用して行う。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの断線の有無を高精度かつ安定して検出する。
【解決手段】走行するワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて当該被加工物Ｗを切断するワイヤソー１である。回転駆動されるワイヤガイド２，２間に略平行なワイヤ群３ａが形成されている。一対のワイヤ送り装置５，６がワイヤ３の巻き出し及び巻き取りを交互に行う。ワーク保持部７が被加工物Ｗを押し付けるワイヤ群３ａに液供給装置８が加工補助液を供給する。断線検出部材１６、振動センサ１７を有するワイヤ断線検出装置９が支持部４に取り付けられている。制御装置１０は、ワイヤ３が断線するとワイヤ３の走行を停止する。断線検出部材１６、振動センサ１７は除振部材１５を介して支持部４に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリコン予備研磨に用いられる研磨用組成物であって、特定のシリコンウエハに対し、以下の研磨作業を行った場合に、ウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの個数が３０未満である。（１）研磨用組成物を用い、予備研磨する工程、（２）仕上げ研磨用組成物を用い、仕上げ研磨を行い、更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第１回目のＬＰＤを測定する工程、（３）ウエハを更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第２回目のＬＰＤを測定した後、第１回目と第２回目のＬＰＤ測定で測定位置が変わらないＬＰＤ数をＬＰＤ数として測定する工程。 （もっと読む）

【課題】張力調整装置や複数のガイドローラを設置する必要がなく、ワイヤソーを簡単かつ小型にすることができ、ガイドローラによりワイヤに捩れが生じるのを抑制することができるとともに、ガイドローラによるイナーシャの問題をなくし、ワイヤの断線率を低減することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】ワイヤ１２を掛け渡す複数の加工ローラ１１Ａ，１１Ｂと、加工ローラ１１Ａ，１１Ｂ間にワイヤ１２を供給する供給側のボビン１３Ａ，１３Ｂと、使用済みワイヤ１２を巻き取る巻き取り側のボビン１３Ｂ，１３Ａとを備える。両ボビン１３Ａ，１３Ｂを軸線方向に沿ってトラバース動作させるトラバース機構１６と、加工ローラ１１Ａ，１１Ｂと両ボビン１３Ａ，１３Ｂとの間のワイヤ１２の張力を検出するセンサ１８と、そのセンサ１８の検出に基づいて、ワイヤ１２の張力を調整する方向に、ボビン１３Ａ，１３Ｂを移動させる張力調整機構１７とを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来装置と比較してより高い張力で、ワイヤ断線なくワークの切断を素早く実現する。
【解決手段】各溝付ローラ２，３間に巻き付けられた切断用のワイヤ４の一方端が第１ダンサローラ１０を介して供給ボビン５に巻き付けられ、他方端が第２ダンサローラ１３を介して回収ボビン６に巻き付けられて、各溝付ローラ２，３間のワイヤ４の複数列でワーク７を切断するワイヤソー装置１において、各溝付ローラ２，３と第１ダンサローラ１０および第２ダンサローラ１３との間にそれぞれ、第１バッファボビン手段としての第１バッファボビン１４と第２バッファボビン手段としての第２バッファボビン１８がそれぞれ配設され、各溝付ローラ２，３と第１バッファボビン１４との間に第３ダンサローラ１７が配設されると共に、各溝付ローラ２、３と第２バッファボビン１８との間に第４ダンサローラ２１が配設されている。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】 複数種類のドレスボードを同時に保持可能なドレステーブルを備えた切削装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、高速回転する切削ブレードで該チャックテーブルに保持された被加工物を切削加工する切削手段と、該切削ブレードをドレッシングするドレスボードを着脱自在に保持するドレステーブルとを備えた切削装置であって、該ドレステーブルは、同一方向に階段状に配設された高さの異なる複数の吸着面を有し、隣接する吸着面と吸着面の間には隣接する該吸着面の段差からなる第１ドレスボード突き当て壁が形成され、最上段の吸着面の端部には該吸着面から立ち上がった第２ドレスボード突き当て壁が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの走行方向の反転時に、トラバーサに位置ずれが生じることを抑制すること。
【解決手段】ワーク加工用のワイヤ１１が架設状態で周回される複数の加工用ローラ１４Ａ，１４Ｂと、ボビン１２Ａ，１２Ｂの軸線方向に往復動されて、ワイヤ１１の巻き取り及び繰り出しを案内するトラバーサ１６Ａ，１６Ｂとを備える。加工用ローラ１４Ａ，１４Ｂ及びボビン１２Ａ，１２Ｂの往復回転にともなってワイヤ１１が往復走行されて、加工用ローラ１４Ａ，１４Ｂ間の位置においてワイヤ１１によりワークＷに切断加工を施すようにする。ワイヤ１１の走行方向反転時において、ボビン１２Ａ，１２Ｂの回転軸線に対するボビン１２Ａ，１２Ｂとトラバーサ１６Ａ，１６Ｂとの間におけるワイヤ１１の角度を検出する。その検出結果に応じてワイヤ１１の角度が９０度となるように、トラバーサ１６Ａ，１６Ｂを移動調整し、トラバーサ１６Ａ，１６Ｂの位置補正を行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が−５５ｍｖより小さく−１００ｍｖ以上であることを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】マルチ・ワイヤーソーにおいて、多溝ローラの長寿命化を図り、多溝ローラのＶ溝からワイヤーが脱線することを防止することを目的とする。
【解決手段】回転自在に設けられた複数の多溝ローラ１ａ，１ｂ間に巻き付けられたワイヤー２を備え、ワイヤー２を被加工物３に相対的に押し付けて被加工物３をスライスするワイヤーソーにおいて、多溝ローラ１ａ，１ｂからワイヤー２が離れる出口近傍とワイヤー２が多溝ローラ１ａ，１ｂに接触を始める入口近傍とに、ワイヤー２を多溝ローラ１ａ，１ｂに押し付ける回転自在な押さえローラ１１ａ，１１ｂを設け、多溝ローラ１の長寿命化を図り、ワイヤー２のＶ溝からの脱線を防止する。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、親水性基を有する水溶性重合体、及び砥粒を含有する。研磨用組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角は、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角と比較して小さく、好ましくは５７度以下である。このような水溶性重合体の例としては、多糖類又はアルコール化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】魅力的な外観を維持しながら、スクラッチプルーフという魅力も維持するマットセラミック部品を製造する方法を提案する。
【解決方法】本発明は、マットセラミック部品（１３，１４，１５，１７，１９）を製造する方法（１）に関し、この方法は、ａ）セラミック部品を製造するステップ（２）と、ｂ）セラミック部品に部分的にサンドブラスト加工を施してマットにするステップ（７）と、を含むものである。本発明によれば、この方法は、ｃ）マット部分をラッピング研磨することで、マット部分の表面を平坦化する最終ステップ（９）を含んでいる。本発明は、時計の分野に関するものである。 （もっと読む）

【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で効率良く基板を研磨する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１は、プラテン２上に薄膜フィルム４が取り付けられ、薄膜フィルム４を覆うように研磨パッド５が固定されている。薄膜フィルム４の外径は研磨パッド５の外径より小さいので、プラテン２の上方には研磨パッド５の段差５Ａが形成される。研磨パッド５の上方には、基板６を保持する研磨ヘッド１０が回転及び往復移動可能に配置されている。基板６の研磨時に、基板６は段差５Ａに押し当てられる。薄膜フィルム４によって、プラテン２から研磨パッド５の上面までの距離が調整されることで、研磨レートが制御される。 （もっと読む）

【課題】ノズルを加工液供給部に対して簡単な操作で容易に着脱することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ間にワイヤを複数回周回させる。加工液供給部１５の一次側口金１６に対してノズル１４の二次側口金１７を着脱可能に接続して、加工液供給部１５からの加工液がノズル１４よりワイヤに供給されるようにする。一次側口金１６と二次側口金１７との間には、ノズル１４の二次側口金１７を加工液供給部１５の一次側口金１６に対して、接続口径方向の横位置を決める凹溝２０と係合部２１となる係合手段と、ノズル１４の装着に伴って二次側口金１７を一次側口金１６に対する接続方向及び上下方向に位置決めするカム構造２３を設ける。 （もっと読む）