【課題】装置が大型化せず、作業性を向上させるとともに装置の重心を安定させることが可能であるダイシング装置、ダイシング装置ユニット、及びダイシング方法を提供すること。
【解決手段】Ｘ移動軸４と、Ｘ移動軸４と垂直に交差するＹ移動軸５とが平面視方形に形成されたダイシング装置１の方形匡体２の対角線上に配置され、且つ、ダイシング装置１の略中央部にワーク切断加工部９が配設されているとともに、Ｘ移動軸４が配置された一端側にワーク交換部１３が設けられ、Ｘ移動軸４のワーク切断加工部９を挟んでワーク交換部１３と反対側には、ワークＷの切断時にブレード２１の回転に伴って飛散する廃液又はミストを排出する排出口１１及び排気口１２を有する排出機構８が設けられる。 （もっと読む）

【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するトップリングの外周部に設けられ基板の外周縁を保持するリテーナリングの研磨面に対する追従性を高め、所望のリテーナリング面圧を研磨面に与えることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１００と、圧力流体が供給される圧力室を有し、圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面１０１ａに押圧するトップリング本体２と、トップリング本体２の外周部に設けられるとともにトップリング本体２とは独立して上下動可能に設けられ、研磨面１０１ａを押圧するリテーナリング３とを備え、リテーナリング３を研磨面１０１ａの動きに追従させるためにリテーナリング３を傾動可能に支持する支持機構を基板の中心部の上方に位置させるようにした。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスループット２０枚／時以上の市場要求を満足させる最適加工条件で平坦化加工して、薄肉化した反りのない加工基板を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置で研削工程を行った後、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤とダイヤモンド砥粒を分散させたスラリーを用いてラップ加工を行い、表面粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下のサファイア基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒及び窒素含有化合物を含有し、その砥粒が複数の突起を表面に有する砥粒を含むことを特徴とする研磨用組成物である。砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は、０．２４５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去率および欠陥率の全てにおいて改善された研磨パッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁性基材、半導体基材および光学基材の少なくとも一つを研磨するのに使用可能な積層開口網状研磨パッドを形成する方法であって、硬化性ポリマーの第１および第２ポリマーシートまたは膜をエネルギー源に曝露して、第１および第２ポリマーシートにエネルギー源に曝露された細長部位を有する曝露パターンを形成し、曝露した第１および第２ポリマーシートからポリマーを除去して、第１および第２ポリマーシートの全体にわたって、曝露パターンに対応したチャネルパターン状に、第１および第２ポリマーの厚さ全体にわたって延在する細長チャネルを形成し、第１および第２ポリマーシートを接合して積層開口網状研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長時間の研磨により高温になる場合であっても研磨層と支持層との間で剥離しにくい長寿命の積層研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層研磨パッドは、研磨層と支持層とが接着部材を介して積層されており、前記接着部材は、ポリエステル系ホットメルト接着剤を含む接着剤層、又は基材の両面に前記接着剤層を有する両面テープであり、前記ポリエステル系ホットメルト接着剤は、ベースポリマーであるポリエステル樹脂１００重量部に対して、１分子中にグリシジル基を２つ以上有するエポキシ樹脂を２〜１０重量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤及びそのＬＰＤ低減剤を用いたシリコンウエハの欠陥低減方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有し、シリコンウエハの研磨において用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも３つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法を提供する。
【解決手段】加工物は、案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、２つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において、上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、２つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられ、すべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、この場合において、時間ｔの関数としてのすべての角速度ω_ｉ（ｔ）の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から１０％を越えて外れないように低減される。 （もっと読む）

【課題】低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサを製造するためのワーク１０を切削する切削装置１００であって、ワーク１０を切削するブレード２２と、ブレード２２を回転させるモータを備えたスピンドル２０と、リング照明および同軸落射照明を切り換えてワーク１０を撮像可能に構成された撮像装置３０と、撮像装置３０により取得されたワーク１０の画像に対して画像処理を行うことによりワーク１０の切削位置を特定し、特定された切削位置においてワーク１０を切削するようにブレード２２を制御する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）キノリンカルボン酸および／またはピリジンカルボン酸、（Ｃ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｄ）酸化剤、（Ｅ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および（Ｆ）分散媒を含有し、前記（Ａ）砥粒が、平均一次粒子径が５〜５５ｎｍかつ会合度が１．９〜４．０のコロイダルシリカである。
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【課題】本発明は、半導体ウェハの両面研磨方法に関する。
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも１つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に４５０ｍｍの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を維持しながら、エロージョン及びシームの発生を抑制し、被研磨面の平坦性が高い金属膜用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】金属用研磨液において、砥粒、メタクリル酸系ポリマ及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド３０と、研磨面の第１の側に当接して基板１０を保持するためのキャリア７０と、研磨パッド３０及びキャリヤヘッド７０の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板１０の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板１０からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に形成された２本のＶ溝から露出したアライメントマークを検出しアライメントマークを基準として加工予定ラインを設定する場合において、アライメントマークを効率よく検出できるようにする。
【解決手段】被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、保持テーブルと切削手段とが相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、撮像手段は、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出する。割り出し送り方向に形成された２列の溝のアライメントマークを同時に検出することができるため、切削加工の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）