【課題】上面に高低差がある被加工物であってもアライメントマークを鮮明に撮像できるようにする。
【解決手段】被加工物の加工予定ラインに対応して存在するアライメントマークを検出するアライメント装置１に、撮像手段３を外周側から包囲する位置に配設された照明手段５を備え、照明手段５には円周方向に均等配設された４つ以上の発光源５０ａ〜５０ｄを備え、切替手段６によってそれぞれの発光源の点灯または消灯を個別に制御して切り替えることができる構成とする。被加工物１０の被撮像面１０ａに凹凸があっても、発光源を個別に点灯または消灯させることにより、影がない状態で撮像を行うことができ、鮮明な画像を取得してアライメントマークを確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨装置において、コンディショニングディスクを駆動するアームおよび軸受け部を適切に管理できる方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値＜Ｎ＞および変動幅Ｙを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値＜Ｎ＞および前記トルクの変動幅Ｙの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハ研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】図１に示すように、研磨パッド４と、研磨パッド４によって研磨される半導体ウェハ３を吸着するトップリング２と、トップリング２に吸着させた半導体ウェハ３を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング１と、を備え、トップリング２の外周部に、複数の穿孔１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外光を研磨対象物の被研磨面へと適切に照射して、研磨対象物の被研磨面を高精度且つ高効率に平坦化できる研磨装置を提供する。
【解決手段】 真空紫外光Ｌに対して透過性を有する定盤３と、定盤３の裏面側から真空紫外光Ｌを照射する真空紫外光照射部４と、研磨対象物２を研磨するために定盤３の表面に取り付けられ、且つ真空紫外光照射部４から照射されて定盤３を透過した真空紫外光Ｌを通す複数の貫通孔５１が形成されている研磨パッド５と、定盤３を回転させるための駆動手段と、真空紫外光照射部４が収容される容器７内を窒素パージするための窒素供給手段８と、研磨パッド５の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備える研磨装置１。 （もっと読む）

【課題】研磨工程において、研磨パッドの平坦性を維持させる。
【解決手段】この研磨装置１０は、プラテン１００と、プラテン１００上に設けられた研磨パッド１２０と、研磨パッド１２０とプラテン１００とを固定する粘着層１６０と、を備えている。研磨パッド１２０には、研磨される基板２０が接する一面と反対側の裏面に、外周の端面まで延在する溝部１２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ装置において研磨中に摩擦によって発生する熱が研磨パッドから回転定盤に伝わるのを防止して、温度上昇に伴う研磨液と基板表面の化学作用の増進によって、研磨液の削減もしくは研磨レートの増大を可能にできる新規な構造のＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】断熱材で構成された回転定盤４上に、表面中央部分にＣＭＰ用研磨パッド１が固着されるパッド支持面が形成された補助板６を両面接着テープ７を介して載置することで、ＣＭＰ加工中に摩擦によって発生する熱がＣＭＰパッド１から前記回転定盤４に伝わることを防止する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ径を必要以上に大きくすることなく、高い耐久性を有するワイヤソー等を提供する。
【解決手段】 ワイヤソー７は、主に芯線１１、樹脂製保護層１３、フィラー１５、砥粒保持層１７、砥粒１９等から構成される。芯線１１は、高純度石英ファイバである。高純度石英ファイバは、例えば気相合成したガラスファイバであり、不純物を含まず、高い抗張力を有する。芯線１１としては、５０００ＭＰａ以上の抗張力を有するものが望ましい。このような芯線１１としては、例えば、従来光ファイバとして使用されるガラスファイバを用いることができる。芯線１１の外周には、フィラー１５を含有した樹脂製保護層１３が設けられる。樹脂製保護層１３は、芯線１１を保護するためのものである。樹脂製保護層１３は、後述する砥粒１９と芯線１１との接触を防止し、砥粒１９との接触による芯線１１の破断を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】研磨時間全体を短縮することができ、研磨テープを容易に交換できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、基板Ｗのノッチ部を研磨する研磨装置において、基板Ｗを水平に保持し、回転させる回転保持機構３と、研磨テープを用いて基板Ｗを研磨する複数の研磨ヘッドモジュール７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄと、複数の研磨ヘッドモジュールを互いに独立して移動させる移動機構とを備える。複数の研磨ヘッドモジュールは、研磨テープを基板Ｗのノッチ部に摺接させる研磨ヘッド３０と、研磨ヘッドに研磨テープを供給し、回収するテープ供給回収機構２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄとをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、（１１１）方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット１を準備する工程と、当該インゴット１を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット１を、ワイヤソーを用いて（１００）±７°または（５１１）±７°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ７を（０１−１）方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット１をワイヤ７の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ７を用いてスライスする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡素な構成を追加するのみで、微少量の流体供給により剥がし力をワークに付与するようにして、上定盤へのワークの貼り付きを確実に防止し、復帰作業および清掃作業を無用としてプロセスの連続性を向上させる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】上定盤と下定盤とによりワークの表裏両面をラッピングまたはポリッシングする両面研磨装置において、旋回ロッド２１８がシール用ボール２２０を押して形成する隙間を通じて微少量の圧力流体を流路空間２２２へ進入させる供給を順次行い、複数の流路空間２２２を通じて外部へ圧力流体を吐出する圧力流体吐出装置２１と、圧力流体吐出装置２１の複数の流路空間２２２と連通するように上定盤に複数設けられ、圧力流体を上定盤とワークとの間に流入させる吐出を、全てのワークに対して行う複数の流体吐出孔と、を備える両面研磨装置とした。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】セリウムのみに依存しない新たな研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成物式（１）で表される酸化物を研磨材料として用いる。
Ａ_y（Ｆｅ_1-zＢ_z）Ｏ_x （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ及びＳｒからなる群から選択される１種又は２種以上を示し、Ｂは、Ｃｏ及びＮｉから選択される１種又は２種以上を示し、２．５≦ｘ≦３，０．６≦ｙ＜１であり、０≦ｚ＜１である。） （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体は、Ｍ成分のスピン−スピン緩和時間Ｔ２が１６０〜２６０μｓであり、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の４０℃、初期荷重１０ｇ、歪範囲０．０１〜４％、測定周波数０．２Ｈｚ、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率Ｅ’が１〜３０ＭＰａであり、且つ、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）