【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】 板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研磨面の平坦度を悪化させることのない研磨方法を提供することである。
【解決手段】 板状物の裏面を板状物の直径より大きな半径の研磨面を有する研磨パッドで研磨する板状物の研磨方法であって、板状物を保持する保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドが装着されたスピンドルを回転させて板状物を研磨する研磨ステップとを具備し、該研磨ステップでは、該研磨パッドの回転中心から外側に向かって該研磨面と該保持面とが離反する方向に相対的に傾斜するように該スピンドルの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを相対的に傾斜させて研磨を実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研磨面の平坦度を悪化させることのない研磨パッド及び研磨方法を提供することである。
【解決手段】 回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と環状研磨面を有し、該環状研磨面の幅は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該環状研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
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【課題】ダイヤモンドを確実にソーワイヤ素線に固着できるダイヤモンドソーワイヤの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面にめっき金属が覆われ、めっき金属にダイヤモンド粉が付着しているソーワイヤを製造する方法であって、磁石に吸着する材料を付着したダイヤモンド粉を用意する工程と、第１の金属めっきをした、磁化可能な材料からなるソーワイヤ素線を磁化する工程10と、前記ダイヤモンド粉を、磁化した前記ソーワイヤ素線に磁力で吸着させる工程20と、ダイヤモンド粉を吸着したソーワイヤ素線の第１の金属めっきを、めっき金属の融点より５℃低い温度から融点より５℃高い温度範囲内で加熱する工程30と、加熱後の第１の金属めっきにダイヤモンド粉をめり込ませる工程40と、ダイヤモンド粉がめり込んだソーワイヤ素線を冷却する工程50と、脱磁処理する工程60と、を具備したダイヤモンドソーワイヤを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の平坦度を高めてその品質の向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１の研磨面１ａに、バフ加工等の機械的加工を施して、平坦性を改善し、前記研磨面のうねりが、周期５ｍｍ〜２００ｍｍであって、最大振幅４０μｍ以下とし、これによって、当該研磨パッド１を用いて研磨されるシリコンウェハ等の被研磨物の平坦度を向上させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ボビンとメインローラとの間におけるワイヤの走行経路中でワイヤに生じる捩れを減少させることができて、ワークの加工精度を向上させることができるようにする。
【解決手段】ワイヤ１１が巻き付けられる一対のボビン１２Ａ，１２Ｂと、ワイヤ１１が周回される複数のメインローラ１３Ａ等とを備える。両ボビン１２Ａ，１２Ｂとメインローラ１３Ａ等との間には、ボビン１２Ａ，１２Ｂの軸線方向に沿ってトラバース可能なトラバースローラ１７Ａ，１７Ｂ、ワイヤ１１の張力を調整するダンサローラ１６Ａ，１６Ｂ、及びワイヤ１１をガイドするガイドローラ１８Ａ，１８Ｂを設ける。トラバースローラ１７Ａ，１７Ｂとガイドローラ１８Ａ，１８Ｂとの間のワイヤ１１が一平面上で走行されるように、トラバースローラ１７Ａ，１７Ｂ、ダンサローラ１６Ａ，１６Ｂ及びガイドローラ１８Ａ，１８Ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】小さくても研磨力が高く、かつ長期間使用しても研磨力が低下し難い研磨用メディア、かかる研磨用メディアを効率よく製造し得る研磨用メディアの製造方法、および、ムラなく効率的に研磨を行うことができる研磨方法を提供すること。
【解決手段】研磨用メディア１は、バレル研磨に使用されるものであり、金属組織とセラミックス組織とが混在した焼結体で構成されている。このような研磨用メディア１は、金属粉末とセラミックス粉末との混合粉末を、射出成形法により成形し、得られた成形体を焼結して製造されたものであることが好ましい。また、セラミックス組織は酸化アルミニウムで構成されていることが好ましく、金属組織はタングステンで構成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容易にメンテナンス作業を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板に対して所定の処理を行う複数の処理部を有している。複数の処理部のうち少なくとも１つは、枠体７１０と、枠体７１０を固定する固定脚７１２と、引き出し方向に転動可能なメインローラ７１８を有し、長さが調整可能なキャスター脚７１４と、を備える。枠体７１０の引き出し時には、キャスター脚７１４を固定脚７１２よりも長くすることで、枠体７１０をキャスター脚７１４で支持するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させる。
【解決手段】研磨装置１５０を、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成する。上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤とする。研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。 （もっと読む）

【課題】支持基板に貼り合わせたウエハの歩留まりを上げることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第１工程、第２工程および第３工程を含む。第１工程は、半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる。第２工程は、ウエハの裏面を研削して、ウエハを所定の厚さにする。第３工程は、ウエハの周縁部を支持基板の一部に達するまで研磨して、周縁部を除去する。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有する２つのワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、温度変化によって引起される一方のワイヤガイドロールのコーティングの長さにおける変化を、コーティングの端部でコーティングに固定されるリング（９）を用いて、センサ（７）とリングとの間の距離を測定することによって、測定するステップと、測定された距離に応じてワイヤガイドロールを冷却するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】それを用いて研磨対象物を研磨した場合に、研磨速度が速く、スクラッチ（線状痕）が少ない研磨剤の提供。
【解決手段】固体酸量または固体塩基量が０．０１ｍｍｏｌ／ｇ以上であり、平均粒子径が２μｍ以下である無機酸化物微粒子が分散媒に分散している、ｐＨが８．０〜１１．５である研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ワークを精度よく貼着できるワーク貼着装置を提供する。
【解決手段】押圧テーブル１８と、押圧テーブル１８の上方に、押圧テーブル１８に対して相対的に接離自在に配設された押圧ヘッド４２とを備え、押圧テーブル１８と押圧ヘッド４２とによって押圧することによって、プレート２２上にワックスを介してワーク２３を貼着するワーク貼着装置１０において、押圧テーブル１８は、ヒーター３１と冷却機構３２の双方を備えて成り、押圧テーブル１８と押圧ヘッド４２とを加熱して、プレート２２上に塗布されたワックスを介してワーク２３を押圧してワックスを展延させ、しかる後、冷却機構３２により押圧テーブル１８およびプレート２２を冷却することによってワックスを固化させてワーク２３をプレート２２上に貼着することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有するワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、ワイヤガイドロールを冷却し、ワイヤガイドロールの固定された軸受（２）を冷却するステップを含み、ワイヤガイドロールおよび固定された軸受は、互いから独立して冷却される。 （もっと読む）

【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式Ｉ（式中、Ｒは、水素及びＣ_1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
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【課題】本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。
【解決手段】フロントエンドモジュール（１２４）は、保管装置（１２６）を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール（１２４）は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール（１２２）は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール（１２２）へ供給するように、フロントエンドモジュール（１２４）と連結される。処理モジュール（１２２）は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）研磨用の研磨組成物およびそれを用いたＴＳＶウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子、および溶媒を含んでいる。この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、ＴＳＶウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 （もっと読む）