【課題】ワークの反り形状に対応した載置形状を安価なシートに形成してワークを切断可能に把持するワーク吸引治具を提供する。
【解決手段】ワーク５０を切断可能に把持するワーク吸引治具であって、ワーク５０の真空吸着を行うように構成された治具６０と、記治具６０の上に載置され、ワーク５０の反り形状に対応した載置形状を形成するための孔２４を備えたシート１４と、シート１４の上に載置された吸着ゴムシート４０とを有し、治具６０、シート１４、及び、吸着ゴムシート４０のそれぞれに設けられた複数の吸引孔６５、３０、４１を介してワーク５０の真空吸着を行うことで、シート１４の孔２４によりワーク５０の反り形状に対応した載置形状が形成される。 （もっと読む）

【課題】真円度、円筒度及び研削能率を向上させる配置の砥石を有する研削工具を提供する。
【解決手段】複数スリットを有する円柱状ホルダと、ホルダと同軸的に内包されるテーパコーンと、コーンに支承され複数スリットの各々に内包されるシューと、シューに取り付けられホルダから突出する砥石を備え、コーンの軸方向の進退によりシューが進退自在な研削工具で、ホルダは、ホルダ内部にクーラントを供給する流入口と、ホルダ内に流入したクーラントを排出するスリットに形成された複数の排出溝とを備え、隣接する砥石がなす角のうち少なくとも一箇所は角度が大きく、それ以外の箇所は角度が小さくなるようホルダの回転軸を中心とする円周上に砥石が配置され、砥石数は６枚であり、そのうち４枚の砥石は、回転軸に関して向かい合う９０度以上の二領域を区画するように配置され、残りの２枚の砥石は、各々９０度以上の領域以外の領域に１枚ずつ配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の縁を洗浄するための改良された方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレーム５０２と、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と５１０、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電解ドレッシングを行うホーニング装置の稼働コストを抑制する。
【解決手段】ホーニング装置の回転工具１３には、シリンダボアを研削するホーニング砥石１１，１２が設けられるとともに、工具ガイドのガイド穴に摺接するガイド部材４０が設けられる。ガイド部材４０は、工具本体２１に固定される基礎部材４１と、基礎部材４１に固定される摺接部材４２とによって構成される。基礎部材４１の材料としてはセラミックス材料が用いられ、摺接部材４２の材料としては超硬合金材料が用いられる。このようにガイド部材４０を構成することにより、ガイド部材４０に絶縁性および耐摩耗性を向上させることが可能となる。これにより、ホーニング砥石１１，１２に対する電解ドレッシングを可能とした上で、ガイド部材４０の摩耗を抑制することができるため、ガイド部材４０の交換サイクルを延ばして稼働コストを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、ｐＨが３以下であり、酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される研磨液の提供。該研磨液を用いた基板の研磨方法の提供。
【解決手段】コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、ｐＨが４以下であり、前記金属防食剤は、３−ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−オキソ−１，２，４−トリアジン、３Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン−３−オール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、３−ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び絶縁層を優れた研磨速度で研磨することが可能な半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液は、セリア粒子及びシリカ粒子を含む砥粒と、第１酸解離定数が７以下である化合物と、塩基性化合物と、を含有する。本発明の一実施形態に係る半導体基板の研磨方法は、表面１ａのみに開口した中空部３ａが形成された基板本体１と、中空部３ａ内に配置された、ＴＳＶ（貫通電極）７ａとなるべき導電部材７と、中空部３ａ内において基板本体１及び導電部材７の間に配置された絶縁層５と、を備える半導体基板４００の基板本体１及び絶縁層５を、前記半導体基板用研磨液を用いて裏面１ｂ側から研磨して導電部材７を裏面１ｂ側に露出させ、ＴＳＶ７ａを有する貫通電極構造を形成する研磨工程を備える。 （もっと読む）

【課題】加工効率が高く、加工面の面粗度も良好なワイヤ工具を提供する。
【解決手段】ワイヤ工具１０は、ワイヤ１１の外周面を覆う鍍金層１２で固着されたバックアップ用の粒状体１３と、鍍金層１２を覆う合成樹脂層１４で固着された砥粒１５とを備えている。鍍金層１２と砥粒１５との間には、砥粒１５を含まない緩衝樹脂層１６が設けられている。ワイヤ１１の長手方向に隣り合う粒状体１３と砥粒１５との隙間１７は砥粒１５の外径より小さく、ほぼゼロに設定されている。ワイヤ１１はピアノ線であり、鍍金層１２はニッケル鍍金で形成され、合成樹脂層１４は熱硬化性樹脂で形成され、粒状体１３及び砥粒１５はダイヤモンド粒である。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物の表面を高精度に平坦化する。
【解決手段】研磨面が、回転中心位置を含み、Ｌ_（ｘ）＝０を満たす第１領域と、第１領域と前記研磨面の外周線との間で、かつ第１領域と接する、０．６≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）０．６≦１を満たす第２領域と、第２領域と前記外周線との間で、かつ第２領域と接する、０．４≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）＜０．６を満たす第３領域と、第３領域と外周線との間で、かつ外周線と接する、０．８≦Ｌ_（ｘ）／Ｒ_（ｘ）≦１を満たす第４領域とを備える研磨用工具を提供する。 （もっと読む）

【課題】目詰まり現象が起きにくいサンダを提供する。
【解決手段】上記の目的を達成するために、モータ２０と、モータ２０を収納するハウジング２と、モータ２０により駆動される揺動プレート１０と、モータ２０の回転軸２１の下端に固着された偏芯軸２３と、モータ２０の回転軸２１に固着されたホルダー２４と、ホルダー２４の周面に装着された磁石２５と、磁石２５の磁力を感じる磁気センサ３１をもった制御基板３０と、を備えたサンダにおいて、制御基板３０は、磁気センサ３１からの信号を基にフィードバック制御を行い、モータ２０の回転数を一定回転数としたことを特徴とするサンダ。 （もっと読む）

【課題】速やかに研磨パッドの表面温度を目標温度にまで上昇させることができる改良されたパッド接触部材を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】パッド温度調整機構は、研磨パッド３の表面に接触するパッド接触部材１１と、温度調整された液体をパッド接触部材１１に供給する液体供給システム３０とを有する。パッド接触部材１１は、その内部に第１の液体流路２１と第２の液体流路２２を有し、これらは直列に接続されている。第１の液体流路２１と第２の液体流路２２には、研磨テーブル２の半径方向に対して略垂直に延びる複数のバッフル２５がそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】デッキ表面が広くても、手動或いは自動による装置の前・後進等の操作が簡単であり且つ研削・研磨圧力の平衡性を保持し、より均一な研削・研磨を効率よく短時間で処理可能にし、作業員の肉体的負担を大幅に軽減可能なデッキ表面の研削・研磨装置を提供する。
【解決手段】走行台車（１００）において、台車本体（１０１）の後部に走行方向操作用のハンドル（１０６）とカウンターウエイト（１０７）を設け、台車本体（１０１）の前部ステージ（１０１Ｆ）の下に昇降ステージ（２００）を平行昇降可能に設け、前部ステージ（１０１Ｆ）に昇降ステージ（２００）の昇降装置（３００）を設け、昇降ステージ（２００）の下面に左右前後上下の揺動を緩衝する第一の緩衝機構を各々介して複数基の研削・研磨作動用の電動モータ、或いは油圧モータ、又はエアーモータ（４０１）を平面的に見て前列と後列に配列し且つ前・後配列の関係を千鳥配列にして設けたことを特徴とするデッキ表面の研削・研磨装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨工程時間の増加を抑制しつつ、高平坦にウェーハを安定して研磨することを可能にし、歩留まりを向上できるインサート材及び両面研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨布が貼付された上下定盤の間にウェーハを挟んでその両面を研磨する両面研磨装置における、前記ウェーハを保持するためのキャリアの保持孔の楔状に形成された内周部に沿って配置され、前記保持孔の楔状に形成された内周部と嵌合する楔状外周部を有し、前記保持されるウェーハの周縁部と内周面で接する樹脂製のリング状のインサート材であって、前記楔状外周部の凸部に切り欠きが設けられたものであることを特徴とするインサート材。 （もっと読む）

【課題】切りくずが混入したときの粘度の上昇、及び、混入した切りくずによる設備の配管詰まりや固い固着の発生を抑制できる固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液を提供する。
【解決手段】（Ｃ）カルボン酸と、（Ｄ）水に溶解して塩基性を示す化合物と、（Ｅ）水と、を含み、２５℃における電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以上３０００μＳ／ｃｍ以下であり、２５℃におけるｐＨが５以上１０以下であり、平均粒子径１．５μｍのシリコン粉を１０質量％添加し撹拌して形成した擬似使用液の粘度が、２５℃で３０ｍＰａ・ｓ未満である、固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液とする。 （もっと読む）

【課題】被研磨物を保持するワークキャリアと定盤との視認性を向上することにより、被研磨物をワークキャリアに設けられた保持孔にセットする作業性を向上できる基板の研磨装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る基板の研磨装置は、上面に第１の研磨体が配置された下定盤と、該下定盤の上方に上下動自在に支持され、下面に第２の研磨体が配置された上定盤と、第１，第２の研磨体間に配置され、ワークを保持可能な保持孔を有するワークキャリアと、上定盤及び下定盤を、軸線を中心として回転駆動する駆動装置と、ワークキャリアを回転駆動するワークキャリア駆動装置と、を具備し、第１の研磨体は、着色剤により着色されている。 （もっと読む）

【課題】つば付き内輪の複数のつば部（面）に対する超仕上加工を、単一（１台）の設備で同時期に一括して自動的に行うことを可能にする超仕上加工ユニットを提供する。
【解決手段】つば付き内輪２の複数のつば部（面）２ｔに対する超仕上加工を、単一の設備で同時期に一括して自動的に行うことを可能にする超仕上加工ユニットＵ２であって、つば部用砥石６０ａを支持するつば部加工ヘッド６０と、つば部加工ヘッドを反転可能に支持し、かつ、その反転軸Ｒ回りにつば部用砥石を所望の角度で反転させる反転機構６２と、反転機構を支持し、かつ、反転機構と共につば部加工ヘッドを所望の方向θに旋回させると共に、微少往復運動（オシレーション）Ｏｓさせる作動装置６４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。
【解決手段】ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ_２絶縁膜を形成させたＳｉウエハを、酸化セリウム粒子、分子量５０００〜２００００のポリアクリル酸アンモニウム塩および水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤で研磨する。 （もっと読む）

【課題】内周面として形成される被加工面を、正確かつ作業性良く加工することができる新たな手持ち式ベルトサンダを提供する。
【解決手段】駆動源により回転駆動される駆動プーリ２１と、駆動プーリ２１と離間して回動自在に設置された従動プーリ２２と、駆動プーリ２１と従動プーリ２２との間に張架された無端のサンダベルト４１と、サンダベルト４１の内面側に装備されサンダベルト４１を支持するガイド面３６を有するベルトガイドと、を備える手持ち式ベルトサンダにおいて、ガイド面３６は、サンダベルト４１の進行方向に垂直な断面視においてサンダベルト４１へ向かってＲ形状に形成されるＲ形状部３６ａを備える。 （もっと読む）

【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】ブレードの位置検出を精度良く行いブレードの摩耗状態を正しく把握するとともに、装置の小型化を図る。
【解決手段】ワークに対して相対的にＹ方向にインデックス送りとＺ方向に切り込み送りとがされる回転ブレードと、前記ワークを載置して前記回転ブレードに対し相対的にＸ方向の切削送りがされるワーク加工テーブルを有し、前記回転ブレードにより前記ワークの切削加工を行うダイシング装置において、前記ワーク加工テーブルに関して前記回転ブレードとは反対側で、前記ワーク加工テーブルが駆動しても干渉しない位置にその検出部が位置するように、前記回転ブレードを保持するスピンドルと同じ支持部材に取り付けられた、前記回転ブレードの先端位置を検出するブレード位置検出器を備えたことを特徴とするダイシング装置を提供する。 （もっと読む）