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Fターム[3C058CB03]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 課題(一般) (10,402) | 作業能率向上、自動化 (2,592)

Fターム[3C058CB03]に分類される特許

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【課題】上定盤(シャフト)を自転させると同時に公転させる装置、及びそれを用いた上定盤の作動方法を提供する。
【解決手段】外周面に外周面歯車26が設けられた円筒部材20;円筒部材20の中心から偏心した位置で自転自在に円筒部材20に支持され、外周面には軸歯車51が設けられ、上定盤と連結されたシャフト50;及び内周面には内歯車が形成され、、内歯車は軸歯車51と噛み合うように設けられた輪歯車;を備える。所定の駆動力が円筒部材20に伝達されて円筒部材20が回転する。円筒部材20の回転に伴ってシャフト50が偏心によって公転し、該公転は軸歯車51が内歯車に噛み合った状態で行われる。
【効果】上定盤を自転させると同時に公転させることができるため、フロートガラスの研磨率が高められる。 (もっと読む)


【課題】揺動角度が大きくなっても、ワイヤの撓みを抑制することができ、バランスよく切断できるワイヤソー装置等を提供する。
【解決手段】走行しながら揺動する切断用ワイヤ3に被加工物Wを押し付けて被加工物Wを切断するワイヤソー装置1である。揺動するワイヤガイド支持部4に配置され、各々が回転する一対のワイヤガイド2、これらワイヤガイド2の周囲に螺旋状に巻き付けられる1本の切断用ワイヤ3の巻き出し及び巻き取りが可能なワイヤ供給装置6及びワイヤ巻取装置7、変位して被加工物Wを切断用ワイヤ3に押し付けるワーク保持部50、制御装置8を備える。制御装置8が、ワイヤガイド支持部4の揺動角度の変化に反比例してワーク保持部50の変位速度を制御する変位制御手段8aや、ワイヤガイド支持部4の揺動角度の変化に反比例してその揺動速度を制御する揺動制御手段8bを有している。 (もっと読む)


【課題】分割予定ラインの間隔が等間隔でないとともに平行でない被加工物の分割予定ラインを正確に迅速に検出可能な分割予定ライン検出方法を提供する。
【解決手段】分割予定ライン検出方法であって、撮像手段を分割予定ラインに沿って相対的に移動して、第1アライメントマークPと、中間アライメントマークRと、第2アライメントマークQとの間隔に対応して各アライメントマークP、R、Qを撮像して記憶する往路アライメントマーク撮像工程と、撮像手段を隣接する分割予定ラインに移動し、各アライメントマークP,R,Qを撮像して記憶する復路アライメントマーク撮像工程と、該往路アライメントマーク撮像工程と該復路アライメントマーク撮像工程とを複数回繰り返して複数の分割予定ラインに関するアライメント情報を取得した後、位置情報から最小二乗法により、分割予定ラインを検出する分割予定ライン検出工程と、を具備した。 (もっと読む)


【課題】研磨処理が完了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド53の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板10上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 (もっと読む)


【課題】優れた研磨レートで高い平坦性を維持することを実現するための研磨布及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均断面積40〜400μm2の極細繊維束を含む不織布と、不織布に含浸付与された架橋ポリウレタン弾性体とを含み、架橋ポリウレタン弾性体は、特定の研磨スラリーに対する質量膨潤率が0.2〜6質量%である、研磨布である。 (もっと読む)


【課題】研磨の処理が終了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド53の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 (もっと読む)


【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減しナノバブルの密度を高くする。
【解決手段】 ウェハを下定盤と上定盤とで挟んで研磨する研磨装置と、ナノバブルを含む所定の溶液を溜める溶液漕と、ナノバブル発生装置と、溶液を攪拌する攪拌部と、前記攪拌部から前記溶液漕へ接続する第一配管部と第二配管部と、第一配管部から分岐し攪拌部へ戻る第三配管部と、第一配管部内に設けられるアノード電極と、アノード電極と対向して設けられる第一カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第二カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第三カソード電極と、各電極が接続される電場発生装置と、から構成される循環系設備と、を備えて構成されることを特徴とするナノバブル循環型研磨装置。 (もっと読む)


【課題】バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態(ドライアウトしていない状態)を保つことを特徴とするバフ研磨方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤を含まず、(イ)研磨粒子10〜60質量%、(ロ)潤滑油10〜30質量%、(ハ)増粘安定化剤0.1〜2.0質量%及び水8〜79.9質量%を含むバフ研磨用水性乳化研磨組成物を用いて、バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態(ドライアウトしていない状態)を保つことを特徴とするバフ研磨方法。及び前記粒子としてアルミナ、シリカ、アルミノシリケート、酸化第二錫から選ばれる1種又は2種以上を用い、かつ、前記潤滑油としてリシノール酸トリグリセライド(ヒマシ油)及び流動パラフィン及びグリセリンを用い、かつ、(ハ)増粘安定化剤として会合型アルカリ可溶性アクリルポリマーを用いたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スラリーが供される配管内や研磨装置内などに残留するスラリー残留物を確実に除去でき、かつ、フラッシング時間の短縮化を図れるスラリー循環装置を提供する。
【解決手段】スラリー循環装置3は、第1,第2供給タンク41,42と、第1,第2供給タンク41,42に貯留された液体を第1,第2CMP装置21,22に供給する供給ライン43と、第1,第2CMP装置21,22に供給される液体の供給元を切り替える第1,第2循環弁436,437と、第1,第2CMP装置21,22から排出される液体を第1,第2供給タンク41,42に回収する回収ライン63と、液体の回収先を切り替えるセパレータ64と、第1,第2供給タンク41,42に純水を補給する第1,第2DIW補給部53,54と、第1,第2供給タンク41,42にアルカリ溶液を補給するアルカリ溶液補給部55とを備える。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドのコンディショニングのレシピチューニングに費やされるコストおよび時間を大幅に低減し、研磨パッドを研磨テーブルから剥がすことなく研磨パッドの研磨面を監視することができる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、回転するドレッサー50を研磨パッド22の研磨面22a上を揺動させて該研磨面22aをコンディショニングし、研磨面22aのコンディショニング中に研磨面22aの高さを測定し、研磨面22a上に定義された二次元平面上における、研磨面22aの高さの測定点の位置を算出し、研磨面22aの高さの測定と測定点の位置の算出を繰り返して、研磨面22a内における高さ分布を生成する。 (もっと読む)


【課題】 研磨による傷の発生を軽減し、安定した研磨が行えること。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする上定盤と、このセンターギアを回転軸としつつ前記上定盤と向かい合うように配置される下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアとから構成される研磨装置が用いられ、前記下定盤と前記上定盤との間に水晶ウェハを配置して前記水晶ウェハを研磨する水晶ウェハの研磨方法であって、前記水晶ウェハと前記上定盤および前記水晶ウェハと下定盤との間に所定のガスを気泡化したナノバブルを含むフッ化カリウム水溶液、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムとの混合溶液、水酸化カリウム溶液の何れか1つの溶液を介在させて水晶ウェハを研磨することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 コンベアに対するブラシ部材の相対高さの調整を自動で行え、調整のばらつきを抑え、かつ調整作業が容易なバリ取り装置を提供する。
【解決手段】 バリが上面に形成されたワークWを水平に搬送するコンベア1と、コンベア1の上方に配置されたバリ取りヘッド2と、コンベア1に対するバリ取りヘッド2の相対高さを調整する相対高さ調整機構3とを備える。バリ取りヘッド2は、ブラシ軸心O1回りに回転自在なロール状のブラシ部材20と、ブラシ部材20を旋回軸心O2回りに旋回自在に支持する旋回支持部材26とを有する。相対高さ調整機構3は、昇降駆動源50によりコンベア1またはバリ取りヘッド2を昇降させる。ブラシ部材20の下端を検出可能な投受光式のブラシ下端検出手段50と、ブラシ部材20の下端の検出に基づき昇降駆動源50を制御する昇降制御手段61とを設ける。 (もっと読む)


【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、70〜150nmの一次粒子が集合して300〜500nmになった二次凝集粒子がフラクタル次元1.00〜1.05の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム酸化物(サファイア)や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt%〜1wt%、シリカ粒子を1〜30wt%の範囲で混合した。 (もっと読む)


【課題】研磨ブラシを用いることなく、外周面取り部と外周側面部とを均一かつ安定的に研磨する方法を提供すること。
【解決手段】中央部に円形孔を有する複数の円盤形状ガラス基板を、前記円形孔の位置をあわせて重ね合わせてガラス基板積層体を形成し、該ガラス基板積層体の前記円形孔に貫通して前記ガラス基板積層体を支持する支持棒を有する容器内にガラス基板積層体を固定する、積層体形成工程と、前記ガラス基板積層体の外周端面と前記容器の内壁との間の空間に、砥粒を含む研磨液を封入する、研磨液封入工程と、前記研磨液が前記外周端面に接触するように、前記研磨液が封入された前記容器を振とうして前記外周端面を研磨する、研磨工程と、を含む、ガラス基板の外周端面研磨方法。 (もっと読む)


【課題】リテーナリングが摩耗した場合でも、リテーナリングを研磨パッドから離したウェーハの研磨中に、ウェーハがリテーナリングから飛び出すことを防止可能であり、かつ、リテーナリングの長寿命化を図れる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨ヘッド4は、ウェーハチャック41と、リテーナリング47を保持するリテーナ保持部材42と、回転軸部材43と、ウェーハチャック41とリテーナ保持部材42とにより第1加圧室P1を形成する第1ダイアフラム48と、リテーナ保持部材42と回転軸部材43とにより第2加圧室P2を形成する第2ダイアフラム49と、ウェーハチャック41に対するリテーナ保持部材42の最大上昇量を規定するメカストッパ44と、当該最大上昇量を調整する上昇量調整手段45と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 真空紫外光を研磨対象物の被研磨面へと適切に照射して、研磨対象物の被研磨面を高精度且つ高効率に平坦化できる研磨装置を提供する。
【解決手段】 真空紫外光Lに対して透過性を有する定盤3と、定盤3の裏面側から真空紫外光Lを照射する真空紫外光照射部4と、研磨対象物2を研磨するために定盤3の表面に取り付けられ、且つ真空紫外光照射部4から照射されて定盤3を透過した真空紫外光Lを通す複数の貫通孔51が形成されている研磨パッド5と、定盤3を回転させるための駆動手段と、真空紫外光照射部4が収容される容器7内を窒素パージするための窒素供給手段8と、研磨パッド5の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備える研磨装置1。 (もっと読む)


【課題】 CMP用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のCMP用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ(Ra)が7〜11μmであるCMP用研磨パッドに、3〜7kPaの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 (もっと読む)


【課題】
加工条件を決定するに際して、オペレータの入力作業を少なくし、基本的な加工条件の数値を入力することによって、自動演算により加工条件に適合する数値データを制御装置に自動的に設定できるようにする。
【解決手段】
複数のメインローラ6の間にワイヤ2を多重に巻き掛け、往復走行状態のワイヤ2にワーク14を押し当てることによって、ワーク14を所定の厚みの多数の板状体に切断し、ウェーハとして産出するワイヤソー1において、必要な加工条件を入力し、加工条件にもづいて複数の計算式から1サイクルでのワイヤ2の送り距離、戻り距離を演算し、入力した加工条件および計算により求めた送り距離および戻り距離を制御装置に自動的に設定する。 (もっと読む)


【課題】従来のバリ取り装置は、プーリー、ブレーキモーター、減速機、駆動プーリー、ベルト、テンション機構やそれらを制御するための制御装置が必要であったので、大型化し多額の製造コストを必要であった。
【解決手段】本発明は、小型機械部品2を収容する箱体3と、スライドレール13と、スライドレール13上を箱体3とともに移動するスライドブロック14と、ピストンロッド6を移動させることにより箱体3を前進移動または後退移動させるエアシリンダ7と、エアシリンダ7と箱体3の間に設けられた後退停止コイルバネ9と、箱体3の後退停止コイルバネ9が設けられた側と反対側に設けられた前進停止コイルバネ8とを有し、箱体3は前進後退移動を繰り返し行い、箱体3の前進移動中に前進停止コイルバネ8のバネ力により箱体3の前進移動を停止させ、箱体3の後退移動中には後退停止コイルバネ9のバネ力により箱体3の後退移動を停止させるものである。 (もっと読む)


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