【課題】切断加工の前後にワークの接着や剥離の作業を行う必要がなく、加工能率の向上及び製造コストの低減を図ることができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ１１間にワイヤ１２を複数回周回させる。ワイヤ１２の周回域の上方には、ワークＷを横方向から弾性的に挟持する挟持機構１３と、その挟持機構１３に挟持されたワークＷをワイヤ１２に向かって押し下げる押下機構２５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するＣＭＰ技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基、−ＯＳＯ_３Ｈ基、−ＰＯ_４Ｍ_２基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基（式中、ＭはＨ、ＮＨ_４、Ｎａ及びＫから選択されるいずれか一種、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示す。）から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、ｐＨが４．５〜７．０であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して０．０１〜０．３０質量％であるＣＭＰ研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は８０μｍ以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は４００個／ｍｍ^２以上である固定砥粒ワイヤ。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に、被処理膜１３，１６，２１を形成する工程と、前記被処理膜の表面をＣＭＰ法により研磨する工程と、を具備し、前記ＣＭＰ法は、回転する研磨パッド３１を第１温度から前記第１温度よりも高い第２温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第２温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びそのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 １，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液。また、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び１．５以上２．５未満である砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程において、生産性の向上、およびＣＭＰ特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第１ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第１研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第１ＣＭＰスラリーと異なる第２ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第２研磨を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】特に大きなサイズの基板を研磨する際、スラリー流量を減らすことなく、中央付近の研磨量を確保し背厚を低減して正常な研磨を行うとともに、スラリーの循環を良くすることで、研磨した基板の成分が基板の被研磨面に再付着することを抑制する。
【解決手段】一辺の長さが１０００ｍｍ以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドは、前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズに対する研磨効率を向上させつつ研磨工具の消耗を抑えるプラスチックレンズの研磨方法、それに用いられる研磨工具、及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】加水分解可能な樹脂を含有するプラスチックレンズに対してアルカリによる加水分解を行うのと同時に、前記プラスチックレンズを研磨することを特徴とするプラスチックレンズの研磨方法。但し、研磨に用いられる研磨工具は耐アルカリ性を有し、且つ、前記研磨工具における、前記プラスチックレンズとの接触部には、加水分解された化合物のうちの少なくとも一部と水素結合可能な化合物が使用されている。 （もっと読む）

【課題】ベルト研削機を大型化又は小型化に適したものにすると共に、被研削物の外周面にあるバリや凹凸等の被研削箇所に対し、大きな研削力を連続的に発揮させて研削時間を短縮し、研削効率を向上させて、被研削物の平滑化に必要な作業時間を短くする。
【解決手段】固定定盤１７と研削ベルト１８との間に多数突部付きベルト２３を介在して、それ等を３層状に重ね、その多数突部付きベルト２３として、多数突部付きにする際に、そのベルト本体２４の研削ベルト受け面形成側に、多数本の直線状突部２２をベルト本体２４の走行方向に対し傾斜する方向に延ばして設け、それ等の突部２２を研削ベルト受け面形成側に分散して配置し、それ等の突部２２の頂面により研削ベルト受け面を形成して用い、その両ベルト１８、２３の走行方向を同一にし、走行速度をほぼ同一にする。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板を高スループットで平坦化加工して薄肉化した反りのない異物の付着が少ない加工基板を製造することができる平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 ３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置３０と、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤２０間のサファイア基板の移送を多関節型搬送ロボット４のアーム４ａを利用して行う。 （もっと読む）

【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいＩＩＩ窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶体を準備する工程Ｓ１と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてＩＩＩ族窒化物結晶体をスライスすることによりＩＩＩ族窒化物結晶基板を作製する工程Ｓ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い研磨レートと高い面内均一性とを同時に満足する研磨パッドを提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの１４倍〜１３０倍であることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】安定した加工状態を得ることが可能な超仕上げ加工方法および超仕上げ加工装置を提供する。
【解決手段】回転する工作物９に砥石台４に支持した砥石１０を揺動させながら押し当てる超仕上げ加工装置の砥石台４に、回転する工作物９の接線方向の分力Ｑを検出する主分力センサ６ａ、押し当て方向の分力Ｐを検出する背分力センサ６ｂ、砥石１０の揺動方向の分力Ｒを検出する揺動荷重センサ６ｃ、砥石１０の押し当て方向の移動量を検出する移動量センサ７、工作物９の寸法減少量を検出するインプロセスゲージ８を設ける。そして、「粗」→「仕上げ」に応じて変化するセンサ６ａ、６ｂの出力に基づき加工状態を判定し、加工条件（回転数、揺動数、押し付け力）を変化させて加工効率を改善する。また、前記センサ６ａ、６ｂ、移動量センサ７とインプロセスゲージ８の出力を用いて研削異常を検出し砥石の不具合への対処を行うことにより、安定した加工状態を得ることができるようにする。 （もっと読む）

【課題】特定の研磨パッドおよび特定の化学機械研磨用水系分散体を使用して化学機械研磨を行うことにより、従来よりも優れたパフォーマンス（高研磨速度、高平坦化、スクラッチ抑制等）を達成できる化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを定盤に固定し、前記研磨パッドの研磨層に化学機械研磨用水系分散体を供給しながら前記研磨層に半導体基板を接触させて研磨する化学機械研磨方法において、前記化学機械研磨用水系分散体が、（Ａ）長径ａ（Ｒｍａｘ）と短径ｂ（Ｒｍｉｎ）との比率（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）が１．１以上１．５以下であるシリカ粒子と、（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物と、を含み、前記研磨層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機還元剤（Ｂ）および水を必須成分として含有することを特徴とする電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素数８〜３６の脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来装置と比較してより高い張力で、ワイヤ断線なくワークの切断を素早く実現する。
【解決手段】複数の溝付ローラ２，３間に巻き付けられた切断用のワイヤ４の一方端が第１ダンサローラ１０を介して供給ボビン５に巻き付けられ、その他方端が第２ダンサローラ１３を介して回収ボビン６に巻き付けられ、複数の溝付ローラ２，３間のワイヤ４の複数列でワーク７を切断するワイヤソー装置１Ａにおいて、供給ボビン５に対する第１トラバーサ２２Ａのワイヤ折り返し移動による張力変動および、回収ボビン６に対する第２トラバーサ２３Ａのワイヤ折り返し移動による張力変動を吸収する第１ワイヤ張力変動吸収手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】研磨ムラの少ない高精度のレンズ研磨を効率的に行うことが可能なレンズ研磨方法およびレンズ研磨装置を提供する。
【解決手段】レンズ研磨方法は、研磨装置の回転軸に保持され該回転軸を中心に回転駆動するレンズに対し、研磨ツールが回転軸の軸線と直交する方向及び軸線方向から、レンズの光学面に回転軸を中心に同心円状又は螺旋状のいずれかの研磨軌跡を描くように光学面を非球面形状に研磨するレンズ研磨方法であって、レンズを、研磨軌跡の旋回中心から離間した位置に配置する工程と、研磨ツールが光学面を研磨する時に、研磨ツールと光学面との間に所定の圧力を付与する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な機構で加工部の加工直径を調節することができる加工装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ドローバー引張機構９０は、一端が主軸台２０に揺動自在に係止されるレバー９２と、このレバー９２の他端と主軸台２０の間に渡されピストンロッド９４がほぼドローバー６１に平行に延ばされレバー９２を揺動させるレバー揺動シリンダ９５と、レバー９２の途中に揺動可能に止められドローバー６１へ延ばされ軸受９８を介してドローバー６１の一端に連結される連結部材９９とからなり、てこの原理でレバー９２でドローバー６１を軸方向へ移動させるようにした。
【効果】連結部材をレバーの途中に揺動可能に止め、レバー揺動シリンダでレバーを移動させるだけであるので、ドローバー引張機構を簡易且つ安価な機構にでき、装置全体としても簡易な機構で加工部の加工直径を調節することができる加工装置となる。 （もっと読む）