【課題】凝集安定性に優れ、粗大粒子を含まない、磁性を有するダイヤモンド粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】爆射法で得られたダイヤモンド微粒子と、前記ダイヤモンド微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する磁性体とからなる磁性ダイヤモンド微粒子であって、前記ダイヤモンド微粒子が、酸化処理されたものであることを特徴とする磁性ダイヤモンド微粒子。 （もっと読む）

【課題】遊離砥粒および固定砥粒の双方を用いてワーク切断能力（切れ味）を向上させてワーク切断を早くする。
【解決手段】固定砥粒２３と遊離砥粒２１の双方を用い、遊離砥粒２１の平均砥粒外径が、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均砥粒外径以下であるかまたは、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均突き出し量以下の規定範囲であるため、遊離砥粒２１が固定砥粒２３による切断を阻害することなく、固定砥粒２３が主体となってワーク７に対して遊離砥粒２１と固定砥粒２３の双方が確実に作用するようにワーク切断を行う。 （もっと読む）

【課題】砥石交換後１個目から精度のよい超仕上げ加工が可能な転がり軸受の外輪軌道加工用の超仕上げ砥石の製造方法、その方法により製造された超仕上げ砥石、及び、転がり軸受の超仕上げ方法を提供する。
【解決手段】ロータリードレッサー５０で成形される、転がり軸受の外輪軌道加工用の超仕上げ砥石の製造方法であって、ロータリードレッサー５０の中心軸線Ｏに直交する直交線Ｘに対して超仕上げ砥石の中心線Ｙをオフセットさせた状態で、超仕上げ砥石の先端部１１をロータリードレッサー５０に押し付けて成形する少なくとも２回のプランジ加工を行うことで先端部１１の一方側と他方側にそれぞれ湾曲面１２ａ、１２ｂを形成させて、先端の尖った頂部１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、ｐＨが酸性領域にあるＣＭＰ研磨液であって、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド材料を高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド材料研磨用の用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であって、少なくとも研磨盤の研磨面がダイヤモンド粒子と結合材とからなり、隣接するダイヤモンド粒子が互いに結合して連続した構造を有しており、前記結合材は、Ｎｉ，Ｃｏ，及びＦｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の炭化物を含むダイヤモンド焼結体からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドの研磨に用いられる研磨盤であって、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物を５０体積％以上含み、押し込み硬度が５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上である材料からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であり、酸化物としてはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ及び、Ｚｒからなる群より選ばれた１つ以上の元素の酸化物を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨定盤に対し、砥粒の埋め込みばらつきを抑制しつつ、効率よく砥粒を埋め込む。
【解決手段】研磨定盤の表面に砥粒を含む砥液を供給しつつ押圧手段で砥液を介して研磨定盤を押圧するとともに押圧手段と研磨定盤とを摺動させて砥液に含まれる砥粒を研磨定盤の表面に埋め込む砥粒埋め込み装置において、押圧手段は、１以上の押圧部材と、押圧部材の上方に配設され押圧部材を研磨定盤に押しつける錘部材と、押圧部材に超音波を付与する超音波振動子とを有し、押圧部材が、複数の円盤状の押圧チップが配設された押圧面を有することにより、押圧手段と研磨定盤との相対摺動方向に対して各押圧面を互いに同じ長さとし、流体応力のばらつきを抑えることで、研磨定盤に対する砥粒の埋め込みばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１であるＧａＮ結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）

【課題】同時に加工可能な光学素子の数を従来よりも増やすことができる光学素子加工用治具、光学素子加工装置、及び光学素子製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子加工用治具１０は、光学素子材料の表面を研磨又は研削する光学素子加工装置において用いられる光学素子加工用治具１０であって、球面形状の表面に、光学素子材料の一部が配置される凹部１１が複数設けられた形状をなす部材からなる。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いずとも、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、光学材料からなる光学部品を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】光学材料を、研磨液を用いて研磨する研磨工程を含む光学部品の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の研磨砥粒濃度が０．００５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする光学部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して１〜１０重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】工具本体内部に吸引される外気の濾過を十分なものとしつつ、付着堆積した粉塵の掃除等のメンテナンスを不要とする。
【解決手段】フィルタ装置４０は、装着された工具本体に具備される駆動モータにより工具本体の内部に吸引される外気についての除塵等の濾過を行う。ここで、フィルタ装置４０の吸気部４５は、装置ハウジング４１の周面（円筒形吸気部４３の周面４３１）に設けられており、遠心分離室５５内に向けての外気が吸引される部分となっている。この吸気部４５は、工具本体の内部に吸引される吸引風の停止に依存して遠心分離室５５の遠心分離機能が停止した場合に、遠心分離室５５内で分離された分離物Ｄ（粉塵等）を分離物Ｄの自重により自動的に吸気部４５を通じて外部に排出されるように形成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも多数の切削加工を連続して行えるようにドリルの加工を行うためのドリル研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明のドリル研磨装置は、すくい面を含むドリル切刃とこのドリル切刃と連なるチゼル切刃とが形成されたドリルを、回転する砥石１の研磨面に当接させることにより研磨加工する。研磨面は、前記ドリル切刃を研磨するためのドリル切刃研磨面１１と、ドリル切刃研磨面１１に連通して形成された逃げ面１２とを有する。ドリル切刃研磨面１１と逃げ面１２とのなす傾斜角が２０度〜２６度の範囲内であり、逃げ面の長さが１．１［ｍｍ］以上である。回転するドリル切刃研磨面１１にドリル切刃が当接され、逃げ面１２にドリルのすくい面及びチゼル切刃が当接されることで、ドリル切刃とチゼル切刃とのなす角度を１５４度〜１６０度の範囲内に形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリシングパッドの表面凹凸の加工に寄与している周波数成分や振幅を反映した構造を選択的に形成させることで、研磨性能の向上を図る。
【解決手段】ポリシングパッドは、基材層と、該基材層の表面に設けられ、かつ、該基材層の表面側から先端側に傾斜面を有する複数の突起を、ピーク材によって一体に形成する。この複数の突起は、基材層の表面において縦及び横方向にそれぞれ所定間隔を開けて配置する。 （もっと読む）

【課題】化学機械的研磨の終点を正確に決定する方法を提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用し、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定でき、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し、真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフト等のノイズによる影響を受けにくく、高精度な距離測定又は変位量測定を行うことができる距離測定装置を実現する。
【解決手段】光源１０から透明体１２を介してワーク表面に向けて測定ビームを投射すると、透明体１２の第１の面１２ａを透過して第２の面１２ｂで反射し、第１の面１２ａから出射する第１の反射ビーム１３ａと、透明体１２の第１の面１２ａ及び第２の面１２ｂを透過し、ワーク表面で反射し、再び透明体１２の第２の面１２ｂを透過して第１の面１２ａから出射する第２の反射ビーム１３ｂとが光検出手段１５に入射する。信号処理装置１６は、第１の反射ビーム１３ａを受光した受光素子と第２の反射ビーム１３ｂを受光した受光素子との間の距離情報に基づいて透明体１２の第２の面１２ｂからワーク表面までの距離又は変位量を出力する。 （もっと読む）

【課題】パイプ状部材の何ヵ所のメッキ部位を削り取るのに、手作業で行っていたが、手間が掛かりすぎる非効率性と、精度の悪さの問題を解消する。
【解決手段】装置テーブル１０に、複数のサンダー固定具９を適当なる位置に設け、この各固定具に上下動手段と傾角動手段を設けた、ベルトサンダー３を設ける。さらにテーブルの中央に部材固定具４を設け、この固定具に、さらに研削部材を位置決めして固定するクランプ手段２を設ける。これらに研削部材であるパイプ成型品１を、各ベルトサンダー３の研削するベルト部７と、適切な位置決めをして、クランプ手段２でもって固定して設ける。 （もっと読む）

【課題】切断加工の前後にワークの接着や剥離の作業を行う必要がなく、加工能率の向上及び製造コストの低減を図ることができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ１１間にワイヤ１２を複数回周回させる。ワイヤ１２の周回域の上方には、ワークＷを横方向から弾性的に挟持する挟持機構１３と、その挟持機構１３に挟持されたワークＷをワイヤ１２に向かって押し下げる押下機構２５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するＣＭＰ技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基、−ＯＳＯ_３Ｈ基、−ＰＯ_４Ｍ_２基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基（式中、ＭはＨ、ＮＨ_４、Ｎａ及びＫから選択されるいずれか一種、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示す。）から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、ｐＨが４．５〜７．０であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して０．０１〜０．３０質量％であるＣＭＰ研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は８０μｍ以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は４００個／ｍｍ^２以上である固定砥粒ワイヤ。 （もっと読む）