【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し、安定した特性の機能素子パッケージを提供するものである。
【解決手段】第１の材料基板に対し、支持フレーム２０、梁３３及び振動部３０を含む複数の機能素子１０と、各支持フレーム２０を連結する連結部と、を有する機能素子ウエハを形成し、第２の材料基板に対し機能素子ウエハにおける機能素子１０に対応する凹部を形成し、第３の材料基板に対し、機能素子ウエハを、剛性の低い部材を介して接合し、機能素子ウエハにおける連結部を除去し、第３の材料基板の機能素子ウエハを接合した側の主面に、第２の材料基板の凹部を形成した側の主面を、機能素子が、凹部内に封止されるように接合し、第１の材料基板、第２の材料基板及び第３の材料基板の接合体にダイシングを行う。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１つの加速度センサ素子で広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る加速度センサは、第一の梁３１で保持され加速度により変位可能な第一の質量体２１と、第一の質量体２１の変位を電気量に変換可能に配置された固定電極５１，５２と、第一の質量体２１の変位が所定の範囲を超えたときに、第一の質量体２１の変位容易度に変化をもたらす変位容易度変化部材２２，３２，８，９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】マイクロ揺動素子Ｘ２は、揺動部２１０と、フレーム２２０と、前記揺動部および前記フレームを連結し、揺動軸心Ａ２を規定する連結部２３０と、を備え、前記連結部は、並列する複数のトーションバー２３１，２３２，２３３を含み、当該複数のトーションバーから選択される二本のトーションバーは相対的に近接離反可能であり、前記揺動部は、揺動主部２１１と、当該揺動主部２１１に取り付けられ且つ前記揺動軸心と交差する方向に変移可能な第１可動部２１２Ａ，２１２Ｂとを有し、前記フレームは、フレーム主部と、当該フレーム主部に取り付けられ且つ前記第１可動部２１２Ａ，２１２Ａと同方向に変移可能な第２可動部２２３Ａ，２２３Ｂとを有し、前記連結部に含まれる一のトーションバー２３２，２３３は、当該第１および第２可動部を連結する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第１のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第２のセンサ基板と、一方の面に第１のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第１の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第２のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第２の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第１のセンサ基板を、溝又は突部が第１の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第２のセンサ基板を、溝又は突部が第２の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】方向性のある力以外の力を用いてステージを移動させる。
【手段】駆動装置（１００）は、ベース部（１１０）と、回転可能な被駆動部（１３０）と、弾性部（１２０）と、被駆動部及び弾性部により定まる共振周波数で被駆動部が一の方向（Ｙ軸）に沿った軸を中心軸として共振しながら回転するように被駆動部を回転させるための微振動をベース部に加える印加部（１４０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ３は、揺動部３１０と、フレーム３２０と、揺動部３１０およびフレーム３２０を連結してフレーム３２０に対する揺動部３１０の揺動動作における揺動軸心Ａ３を規定する連結部３３０と、揺動部３１０について第１揺動方向に回転トルクを発生可能であり、且つ、当該回転トルクの大きさ及び／又は発生期間を制御可能な、第１駆動機構（３４１，３６１）と、揺動部について第１揺動方向とは反対の第２揺動方向に回転トルクを発生可能であり、且つ、当該回転トルクの大きさ及び／又は発生期間を制御可能な、第２駆動機構（３５１，３８１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】静電駆動バルブを改良する。
【解決手段】駆動弁孔２６をもつ駆動弁２０を挟んでその両側に櫛歯形状の一対の駆動電極１６〜１９を設ける。駆動電極１６〜１９への印加電極により、駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置にくる全開状態、及び駆動弁２０が弁体２５から離れ、かつ駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置から外れた位置にくる部分開状態をとりうるように、駆動弁２０は支持部２１により出口弁孔２５ａの軸方向とそれに垂直な方向とに移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたミラー形成基板（デバイス本体）１、ミラー形成基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板（表面側保護基板）２を有するＭＥＭＳチップ４と、ＭＥＭＳチップ４が実装された実装基板５とを備える。第１のカバー基板２は、ミラー形成基板１の各パッド１３それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部２０２が、第１のカバー基板２の厚み寸法内で設けられている。各導電部２０２と実装基板５の各導体パターン５０２とが、両者に跨って形成された半田部６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部１とデバイス部２と、を有する。デバイス部２は、一体的に形成された接着部３と弾性部４と支持部５とを備え、支持部５は弾性部４で接着部３に対して弾性支持される。ホルダ部１は、周辺部より高い段差部６を有する。接着部３は、ホルダ部１の周辺部に固定され、支持部５は、弾性変形した弾性部４の復元力により段差部６に当接させられている。 （もっと読む）

【課題】パッドから取り出す電気信号のＳ／Ｎ比を向上させることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１００を用いて形成されたミラー形成基板（デバイス本体）１を備える。ミラー形成基板１は、第１のシリコン層１００ａに形成され電気信号を生成する可動電極（機能部）２２と、第１のシリコン層１００ａ上に形成され電気信号を取り出すためのパッド１３ａと、第１のシリコン層１００ａにおいてパッド１３ａが形成された島状の導電部１１ａｃとを有する。導電部１１ａｃと第１のシリコン層１００ａにおける導電部１１ａｃの周辺部位とを絶縁分離するように第１のシリコン層１００ａに第１の分離部１０ａａが形成され、第２のシリコン層１００ｂのうち導電部１１ａｃおよび絶縁層１００ｃとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第２のシリコン層１００ｂに第２の分離部１０ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）