【課題】製造時に任意の引張応力に設定可能な微小機械振動子を簡易なプロセスで実現する。
【解決手段】シリコン基板１上に２つのエッチングマスクパターン２および２本の両持ち梁型パターン３を形成する（図１（Ａ）、図１（Ｂ））。シリコンのウェットエッチングを行う（図１（Ｃ）、図１（Ｄ））。シリコン基板１を純水で洗浄して、大気中で自然乾燥させる。自然乾燥工程において、水の表面張力により２本の両持ち梁型パターン３が互いに引き合い、接触して固着する。シリコン基板１上に形成された２つの支持部１０と、一部の箇所が接触して固着し、両端が２つの支持部１０で固定されることによってシリコン基板１から浮いた状態で支持される２本の梁部１１とを備えた微小機械振動子が完成する（図１（Ｅ）、図１（Ｆ））。 （もっと読む）

【課題】検出範囲によらず、適切な自己診断を行うことのできる容量式物理量検出装置を提供する。
【解決手段】可動部２０と、可動部２０の変位方向に対向して配置され、可動部２０と共に第１容量部１６ａ、１６ｂを構成する第１固定部３０、４０と、可動部２０の変位方向と垂直方向に対向して配置され、可動部２０と共に第２容量部１７を構成する第２固定部１７とを備える。そして、自己診断時に、第１容量部１６ａ、１６ｂに第１変位信号を印加して第１容量部１６ａ、１６ｂで発生する静電気力によって可動部２０を当該可動部２０の変位方向に変位させ、第２容量部１７に第２変位信号を印加して第２容量部１７で発生する静電気力によって可動部２０を垂直方向に変位させる。 （もっと読む）

【課題】光反射性光学部品と光透過性光学部品とを近づけて配置することができ、基板の特性に関する要求が光学部品によって相反する場合でもそれらの要求を満たすことが可能な光モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光モジュールは、シリコン領域１１をエッチングすることにより形成された光透過性光学部品１２を有する第１の板状部材１０と、光透過性光学部品１２を透過した光を反射する為の光反射性光学部品（鏡２１〜２４）を有する第２の板状部材２０とを備える。第１及び第２の板状部材１０，２０は互いに接合されており、光透過性光学部品１２を透過する光の光路が、第１の板状部材１０の部品形成面及び第２の板状部材２０の主面に沿っている。 （もっと読む）

【課題】基板面に対して大きく傾斜した（或いは垂直に近い）半透過反射面に酸化シリコン膜を均一に形成し得る光学部品の製造方法、並びにこの方法により製造された光学部品を提供する。
【解決手段】光透過性光学部品１２を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域１１をエッチングして凹部を形成する第１のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜１４を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜１４を覆う窒化シリコン膜１６を形成する窒化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】温度で変化するバイアスを低減するために、振動構造姿勢制御装置を調整するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）振動構造姿勢制御装置を較正するための方法が、提供される。方法は、少なくとも１つの駆動電極に対する少なくとも１つのプルーフマスの位置の示度を取得するステップと、少なくとも１つのプルーフマスを少なくとも１つの駆動電極に対する第１の位置に配置するように構成された静電力を、少なくとも１つのプルーフマスに、示度の関数として加えるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体１０は、接続部１２と、前記接続部１２を中心に直交する軸を第１軸および第２軸としたときに、前記接続部から第１軸の方向に延出し、第１折曲部２４で折り返され、端部に第１支持部２６を有する第１バネ２０と、前記接続部１２から前記第２軸の方向に延出し、第２折曲部３４で折り返され、端部に第２支持部３６を有する第２バネ３０と、前記第１軸および前記第２軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第１及び第２バネ２０，３０から離間する斜め方向に、前記接続部１２からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第３折曲部４４で折り曲げられ第３支持部４５を端部に有し、他方のビームは第４折曲部４６で折り曲げられ第４支持部４７を端部に有する第３バネ４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面１６を有する基板１２と、前記主面１２上に配置された溝部（第１の溝部２４、第２の溝部２６）と、前記基板１２上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部（第１の固定電極指７８、第２の固定電極指８０）と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部５４、５６が設けられ、前記凸部５４、５６は接合面（端面８２）を有し、該接合面側に配線（第１の配線３０、第２の配線３６）が配置され、前記配線を介して前記基板１２と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置へのダメージを減らしながら、小型なＭＥＭＳミラーデバイスを提供すること。
【解決手段】底部が開放されたミラー用空洞１８およびビーム用空洞１９と、底部が閉塞された電極用空洞２０とが互いに繋がるように形成された半導体基板１２の一部を加工することにより、ミラー用空洞１８の直上にミラー８を下側から支持する揺動部２２を形成し、ビーム用空洞１９の直上に揺動部２２を横側から支持する一対のビーム２３を形成する。また、電極用空洞２０の直上には、互いに間隔を空けて噛み合う固定電極２４および可動電極２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】静電容量型加速度センサ１００は、一側電極セルＡ１と他側電極セルＡ２とからなる電極セル構造Ａを備えている。一側電極セルＡ１は、重錘体１０１の一側に設けられた一対の可動電極１０１ａ，１０１ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１１１ａ，１１２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１１１ｂ，１１２ｂとで構成されている。他側電極セルＡ２は、重錘体１０１の他側に設けられた一対の可動電極１０２ａ，１０２ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１２１ａ，１２２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１２１ｂ，１２２ｂとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動したいという要望を満足でき、可動枠体の板厚方向及びこの板厚方向と直交する方向の剛性の向上を図ることのできるMEMS揺動装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS揺動装置は、可動体３０B、可動体を揺動可能に支持する第１バネ部３３Bを有する可動枠体３４B、可動枠体を揺動可能に支持する第２バネ部３１１B、３１２T１、３１２T2とを有する固定枠体３８Bとを有し、第２バネ部は可動枠体の厚さ方向から見て厚さ方向に間隔を開けてクロスされた独立変位可能な二本の板バネ体３１１B、３１２T1から構成され、この板バネ体は、可動枠体の厚さ方向から板バネ体を見たときのバネ幅が可動枠体の厚さ方向と直交する方向から板バネ体を見たときのバネ幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】櫛歯電極構造を高いアライメント精度で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１５１の面１５１ａ上に櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを形成し、これを介してシリコン基板１５３を貼り合わせる。シリコン基板１５１，１５３の面１５１ｂ，１５３ｂに、櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを内包する粗櫛歯マスクパターン１５４，１５５を形成する。面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。面１５１ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５４をマスクにして残存シリコン基板１５１ｃを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ｂをマスクにして残存シリコン基板１５３ｃを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】駆動感度を損なうことなく、ミラー面垂直方向の加重に対する可動部の耐性が向上された光偏向器を提供する。
【解決手段】光偏向器１００は、ミラーユニット１１０と電極基板１４０を備えている。ミラーユニット１１０は、可動部１１２と一対の複合トーションバー１１４と一対の固定部１１６を備えている。一対の複合トーションバー１１４は、可動部１１２が固定部１１６に対して回転軸１１８の周りに回転変位すなわち傾斜し得るように可動部１１２と固定部１１６を機械的に接続している。各複合トーションバー１１４は、回転軸１１８に平行に延びている複数のトーションバーと、隣接する各二つのトーションバーの一端を互いに連結している複数の連結バーで構成されている。複数のトーションバーは、回転軸１１８に近いものよりも回転軸１１８から遠いものの方が高いねじり剛性を有している。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１と、変位可能に基板に支持され可動電極１２を有する変位部材３，７と、可動電極との間に静電力を発生させる第１固定電極１１とを備えた加速度センサであって、上記第１固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能な発電デバイスおよびそれを用いた発電モジュールを提供する。
【解決手段】発電デバイス１は、支持部１１、支持部１１に揺動自在に支持されたカンチレバー部１２、およびカンチレバー部１２における支持部１１側とは反対の先端部に設けられた錘部１３を有するデバイス基板１０と、カンチレバー部１２に設けられカンチレバー部１２の振動に応じて交流電圧を発生する発電部２０とを備えている。発電部２０は、カンチレバー部１２の厚み方向の一面側に形成された圧電体２１と、圧電体２１における錘部１３側の側面に形成された電極２３と、圧電体２１における支持部１１側の側面に形成された電極２２とを備えている。要するに、発電部２０は、互いに対向する２つ１組の電極２２，２３を有している。また、発電部２０は、圧電体２１の分極の向きが上記両側面のうちの一方から他方へ向う向きである。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）