【課題】小型でＳｏＣ構造化への要請に応じることができ、単結晶Ｓｉを材料とすることに限定されず材料の選択が可能であり、複雑なプロセスを経ることなく従来の加工技術をＭＥＭＳ構造体の製造へ援用できる光ＭＥＭＳ加速度センサを提供する。
【解決手段】光ＭＥＭＳにより形成されたファブリ・ペロ型光共振器１６と、その下部に設けられた錘８および光取り出し開口部１９とを備えている。ファブリ・ペロ型光共振器１６は、光取り出し開口部１９側と光導入側Ａとに各々設けられた基本膜厚が１μｍ以下の複数種類の薄膜１４（高屈折率の誘電体薄膜）および１５（低屈折率の誘電体薄膜）を交互に積層した多層膜構造体１３と１１とにより空気層１２を挟んだ構造を有している。重力加速度を受けた時、錘１８が取り付けられた多層膜構造体１３と１１とではその撓み量が異なるため、重力加速度が反映された分光波形が光取り出し開口部１９から取り出される。 （もっと読む）

【課題】
解放前の構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
解放前の構造を有するデバイス（１００）は、少なくとも１つの第１の材料を基礎とする少なくとも１つの第１層（１０２）を有する少なくとも１つの第１の積層体を有し、第１の積層体は、少なくとも１つの第２の材料を基礎とする少なくとも１つの第２層（１０４）を有する第２の積層体に対向配置されている。デバイス（１００）は更に、第１及び／又は第２の積層体内に形成された少なくとも１つの閉じた空洞（１１２）を有し、空洞（１１２）は、第１の積層体の、解放前の構造を形成する部分（１１４）と第２の積層体との間に配置されている。デバイス（１１０）は更に、空洞（１１２）内に配置され且つ第１の積層体の部分（１１４）を第２の積層体に連結する少なくとも１つのスペーサ（１１６）を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層したチップスタック型の半導体装置であっても、２つの半導体素子の間に隠された識別パターンを撮像することができ、識別情報を読み取ることができる半導体装置、半導体装置の識別装置、及び半導体装置の製造装置を提供すること。
【解決手段】表面１１ａに識別情報を示す識別パターン１９を備える第１半導体素子１１と、第１半導体素子１１の表面１１ａ上に接合層１５を介して積層される第２半導体素子１２とを備える半導体装置１０であって、接合層１５を厚さ方向Ｈへ貫通する開口部１５ａを備え、識別パターン１９は、接合層１５の開口部１５ａ内側に、赤外線の透過率の低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】熱交換性に優れ、流路の変形を防ぐことのできる流体素子及び冷却装置を提供する。
【解決手段】このマイクロリアクタ１０は、ターゲット基板に対して、電鋳法により形成された導電膜である複数のＣｕ膜１２Ａ〜１２Ｆを順次常温接合し、図１に示すヘッダ４と接する側に、Ｃｕ膜よりも硬く、２つの開口１１０を有するＮｉ膜１１を常温接合することにより形成されている。この開口１１０の部分は、流体をＣｕ膜の積層方向に導入するダクト１２５となっている。Ｃｕ膜１２Ａ〜１２Ｅは、それぞれ流体を通過させるための開口や溝等の形状の流路パターンを有する。Ｃｕ膜１２Ｆは隔壁層として機能する流路パターンを持たない薄膜である。このＣｕ膜１２Ａ〜１２Ｆは、積層されることによって積層体内に３次元的な流路を有する積層構造体を形成するように構成されている。 （もっと読む）

本発明は、例えば試料流体中の目標物質を検出するための又は分子篩いのためのマイクロ流体デバイスを提供するものである。該デバイスは、第１凹部１２４が設けられた実質的に平らな第１表面を持つ第１基板１２０と、第２凹部１３０が設けられた実質的に平らな第２表面を持つ第２基板１２８とを有する。第１凹部の少なくとも幾つかは、多孔質材料１１４で満たされている。交互の第１凹部及び第２凹部は、試料流体のための蛇行チャンネルを形成する。第２凹部は他の多孔質材料により満たすことができる。一実施例において、目標物質を結合するための捕捉物質が、上記多孔質材料内に又は該多孔質材料上に配置される。
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【課題】基板面積（マイクロチップ面積）が十分に小さく、流体回路の集積化、高密度化が達成されたマイクロチップを提供する。
【解決手段】第１の基板と、基板の両面に設けられた溝および厚み方向に貫通する複数の貫通穴を備える第２の基板と、第３の基板とをこの順で貼り合わせてなり、第１の基板における第２の基板側表面および第２の基板における第１の基板側表面に設けられた溝から構成される第１の流体回路と、第３の基板における第２の基板側表面および第２の基板における第３の基板側表面に設けられた溝から構成される第２の流体回路と、を備えるマイクロチップである。 （もっと読む）

【課題】外部への熱の影響を抑制しながら高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このようなマイクロリアクターを簡便に製造するための方法を提供する。
【解決手段】マイクロリアクター１を、真空筐体２と、この真空筐体内の真空密閉キャビティ３内に配設されたマイクロリアクター本体４と、マイクロリアクター本体の少なくとも１つの面に位置する発熱体７とを備えるものとし、真空筐体２は、厚みが０．１〜０．５ｍｍの範囲であるステンレス鋼からなり、リードピン１４を貫通するための貫通孔１２を有し、この貫通孔１２はガラス部材１３で封止され、リードピン１４の長さ方向に沿ったガラス部材１３の長さが０．５〜１．４ｍｍの範囲となるように、真空筐体２の貫通孔１２の周辺部位を肉厚部１１とする。 （もっと読む）

【課題】隔壁部を有するパターン部材を積層して形成されたマイクロ流路デバイスであっても、隔壁の精度に優れるマイクロ流路デバイスを提供すること。
【解決手段】複数のパターン部材を積層して形成され、前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とするマイクロ流路デバイス。隣接する前記パターン部材は、前記連結部同士が重なり合わないように配置されていることが好ましい。また、前記パターン部材は、前記隔壁部の幅に対する、前記連結部の幅の比が０．１〜１であることが好ましく、前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が、１以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】振動トランスデューサの感度を高める。
【解決手段】基板と、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するダイヤフラムと、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムを構成している導電膜からなり前記ダイヤフラムから切り離されているガード部と、上層絶縁膜からなり、前記プレートと前記ガード部とに接合され、前記ダイヤフラムとの間に空隙を挟んで前記プレートを支持する、プレートスペーサと、前記基板と前記ガード部とに接合されている下層絶縁膜と、を備え、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このマイクロリアクターを簡便に製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロリアクターを、１組の金属基板４，６が接合された接合体２と、この１組の金属基板の少なくとも一方の金属基板の接合面に形成された微細溝部５，７で構成されたトンネル状流路３と、トンネル状流路に連通された原料導入口およびガス排出口と、トンネル状流路にコンタクト層８を介して形成された触媒担持層９と、この触媒担持層９に担持された触媒Ｃとを備えるものとし、コンタクト層８は多孔性金属層とし、触媒担持層９は無機酸化物被膜とする。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により簡潔に鋳型を作製し、鋳造によりマイクロ部品を容易に製造するマイクロ部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ部品の製造方法は、微小のセラミック粒子３１からなるスラリー３０を噴射するノズル２４を走査しながら、基板１３にスラリー３０を噴射し、予め定めたパターンの粒子層１２ａを基板１３に形成し、粒子層１２ａに順次予め定めたパターンの粒子層を積層してマイクロ鋳型１９を作製し、マイクロ鋳型１９によりマイクロ部品を鋳造することとした。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して製造され、無機固体材料と高分子材料との間の密着性が改善された、無機−高分子間の接合面を含む無機・高分子構造体、該無機・高分子構造体を含む微小および超微小電気機械システム、該無機・高分子構造体の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】無機・高分子構造体１０は、無機固体材料１２に接して形成された高分子材料１４ａ〜ｃを含み、無機−高分子間の接合面Ａを含んでいる。無機・高分子構造体は、容器内に、無機固体材料に接して形成された高分子材料を配置する工程と、容器内で高分子材料を超臨界流体または亜臨界流体中に保持する工程と、容器内の超臨界流体または亜臨界流体に作用する圧力を所定の平均減圧速度で減圧する工程とを含む方法により得られる。 （もっと読む）

【課題】外部から力が加えられたとき破壊／変形が抑制される針状体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の針状体は、基板の突起部を備えた面とは逆側の面に突起部を保護するための保護層を備えたことを特徴とする。本発明の構成によれば、基板の突起部を備えた面とは逆側の面に突起部を保護するための保護層を備えることにより、針状体同士を積層させた状態で保持することが出来る。このとき、突起部は保護層に覆われた状態であるため、針状体先端部である突起部の破壊／変形を抑制することが可能となる。また、針状体同士を積層させることにより、保管スペースを低減できるという効果を有する。 （もっと読む）

容量性超音波トランスデューサは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される中央領域及び中央領域の外側に配置され、第２の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される周辺領域を有する第３の電極と、を有する。トランスデューサは、第３の電極と第１の電極との間及び第３の電極と第２の電極との間に配置される高誘電率材料の層を更に含む。トランスデューサは、崩壊モードで動作可能でありえ、崩壊モードにおいて、第３の電極の周辺領域は、第２の電極に対して振動し、第３の電極の中央領域は、第１の電極に対して完全に崩壊され、それにより、誘電層が、それらの間にサンドイッチされる。圧電作動、例えばｄ３１及びｄ３３モード圧電作動、が更に含まれうる。医用撮像システムは、共通基板上に配置されるこのような容量性超音波トランスデューサのアレイを有する。
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【課題】インダクタンスを増加させつつ、コイルの電気抵抗を減少させ、コイル特性を飛躍的に向上させることができる積層コイルを提供する。
【解決手段】同一平面上に形成されるらせん状コイル（３，４，５）を複数積層してなる積層コイル２９であって、前記らせん状コイルは隣接する他のらせん状コイルと逆回りに形成され、前記らせん状コイル同士は、前記らせん状コイルの中央端部７ａ同士の接続と、前記らせん状コイルの周辺端部７ｂ同士の接続を交互に行い直列に接続されることを特徴とする積層コイル。 （もっと読む）

【課題】電極を微細流路の内表面の複数形成することにより、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜からなる電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成された基板１ａ，１ｂ，１ｃが順次積層された積層体に、所定の断面形状の微細流路３が形成された微細流路構造体１０であって、前記微細流路３が前記積層体の積層方向αに対して垂直な垂直方向βに形成されると共に、前記微細流路３の内表面３ａ、３ｂは、前記積層体の積層方向αに対して鋭角の角度θを有し、前記電極２ａ，２ｂ，２ｃが前記微細流路３の内表面３ａ、３ｂの積層方向αに複数露出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】密閉空間内に形成されるゲッター膜が形成されたＭＥＭＳデバイスにおいて、ゲッター膜に起因する電気的なノイズの影響を防ぐ。
【解決手段】
密閉空間内３４に形成されたＭＥＭＳデバイス１００であって、密閉空間３４が、凹部３６ａ等が一部に形成された第１ガラス基板３０と、ＭＥＭＳデバイスの母材１０と、密閉空間３４の一部となる貫通孔３７が形成された第２ガラス基板３１と、連続の又は非連続のゲッター膜４０が形成された第３ガラス基板３２によって形成されている。さらに、第２ガラス基板３１と第３ガラス基板３２の間にゲッター膜４０の一部４０ａが挟まれている。これにより、ゲッター膜４０とＭＥＭＳデバイス１００の電極との十分な距離が確保されるため、デバイスの動作時であっても、電気的なノイズがゲッター膜４０を介してＭＥＭＳデバイスの検出用又は駆動用の電極に入り込まなくなる。 （もっと読む）

本発明は双方向マイクロ電気機械素子、双方向素子を含むマイクロ電気機械スイッチ、及び双方向素子における機械的変形を軽減する方法を提供する。一実施例では、双方向マイクロ電気機械素子は、自由端及びコールドビームアンカーに接続された第１の端部を有するコールドビームを含む。コールドビームアンカーは基板に取り付けられる。第１のビーム対はコールドビームに自由端テザーによって結合され、それによってコールドビームの温度よりも高温に加熱されると伸張するよう構成される。第２のビーム対は、第１のビーム対に対してコールドビームの反対側に配置され、第１のビーム対及びコールドビームに自由端テザーによって結合される。第２のビーム対はそれによって上記高温に加熱されると伸張するように構成される。
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【課題】 反応媒体を安定して反応させることができる反応装置を提供すること。
【解決手段】
高温部１ａと低温部１ｂとを有する基体２と、前記高温部１ａと前記低温部１ｂとを連通するとともに、前記低温部１ｂから前記高温部１ａへ反応媒体が流動する第１流路２ａと、前記高温部１ａと前記低温部１ｂとの間に設けられ、冷媒が流動する第２流路３ａと、を備えたものである。
また、好ましくは、前記反応媒体は、前記低温部１ｂで、複数の異なる媒体が合流することで構成されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い３次元積層デバイスとその製造方法、及びその３次元積層デバイスの接合方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェハ２〜５が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る３次元積層デバイス１であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状６に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状７に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部６と、他方の半導体ウェハの凹状７の接合部とが直接接合されて積層されて成る。 （もっと読む）