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Fターム[3C081BA22]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 構成要素 (3,421) | 電気素子 (387)

Fターム[3C081BA22]に分類される特許

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【課題】より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造すること。
【解決手段】基板3上に配列させた金属柱22を封止膜23で被覆し、封止膜23と金属柱22の表面が略面一となるように研削して、封止膜23の表面から金属柱22の上端面22aを露出させる際、その上端面22aを研磨して鏡面加工を施し、光反射面2として形成することにより、マイクロミラーアレイ基板1Aのミラー面に複数の光反射面2を一括して形成することを可能にした。 (もっと読む)


【課題】 圧電素子の形成位置の精度を高め、モーションセンサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の上面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上面に前記下電極層を形成し、前記下電極層の上面に前記圧電層を形成し、前記圧電層の上面に前記上電極層を形成し、平面視において前記可撓部の対向する二辺と重なる二辺を有し前記二つの縁領域を覆い前記二つの縁領域の間の領域を露出させた第一保護膜を前記上電極層の上面に形成し、前記第一保護膜を用いて前記上電極層と前記圧電層と前記下電極層とをエッチングし、前記第一保護膜を除去し、平面視において前記可撓部の前記二つの縁領域の間の領域を覆う第二保護膜を形成し、前記第二保護膜と前記上電極層とを用いて前記絶縁層をエッチングし、前記第二保護膜を除去し、前記絶縁層と前記上電極層とを用いて前記基板を異方性エッチングする。 (もっと読む)


【課題】高電圧が誤って印加された場合でも、セルないしエレメントの破壊を防ぐことが可能な容量型電気機械変換装置を提供することである。
【解決手段】静電容量型電気機械変換装置は、第1の電極2と、空隙4を介して第1の電極2と対向して配置された第2の電極3と、を含むセルを少なくとも1つ有する。絶縁体で構成される犠牲領域7が備えられ、犠牲領域7は、セルを含む駆動領域6において短絡を起こす短絡電圧より低い電圧が印加されることで短絡を起こす様に構成される。第一電極2と第二電極3は、犠牲領域7を含む絶縁部を挟んだ構成で、それぞれ電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】第2シリコン基板の第1シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第1シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面3に凹部8aが形成された第1シリコン基板2と、凹部8aを封止するように第1シリコン基板2に一方の面7が接合された第2シリコン基板6と、第2シリコン基板6の他方の面12に形成された歪検出素子13と、第2シリコン基板6の一方の面7で凹部8aと対向する部位に、少なくとも凹部8aと対向する部位と第1シリコン基板2の一方の面3と接合された部位との境界を覆うように形成された第1酸化シリコン膜18と、を備える。 (もっと読む)


【課題】従来の問題を解決し、安全且つ効率的に一重項酸素を用いた反応を行うことができるマイクロ反応装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を、マイクロ流路8を有し、前記マイクロ流路8の内面にポーラスシリコンの層5が設けられた反応部2と、前記マイクロ流路8に酸素が溶存する原料液体を送り込む液体送り込み手段13と、前記マイクロ流路8のポーラスシリコン層5に光を照射する光照射手段12と、を備えたマイクロ反応装置により達成する。 (もっと読む)


【課題】 トーションバー上に電気配線を設けることなく、可動部を適正に動作させることができ、電気配線の劣化による動作不良などを確実に防止することのできるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】 枠状の固定部2およびこの固定部2の内側にトーションバー3を介して可動自在に支持された可動部4を電気的に遮断された領域に分割する固定部側絶縁部5および可動部側絶縁部6を設け、可動部4の固定部側絶縁部5および可動部側絶縁部6により分割された領域に形成され駆動コイル8の端部に接続された可動部側駆動用電極9と、固定部2の固定部側絶縁部5および可動部側絶縁部6により分割された領域に形成された固定部側駆動用電極10とは、トーションバー3を介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】生産性の向上を図ることのできる電気機械変換デバイスおよび電気機械変換デバイスの製造方法ならびに電気機械変換デバイスの製造に用いる半導体ウエハーを提供する。
【解決手段】電気機械変換デバイスは、基板2に設けられた可動部3と、可動部3に設けられた圧電素子4と、圧電素子4と電気的に接続された第1および第2圧電素子側電極41,42と、を備えている。また、圧電素子4と絶縁状態で実装される信号処理回路5と、信号処理回路5と電気的に接続された第1および第2信号処理回路側電極51,52と、圧電素子4と信号処理回路5とを、圧電素子4の分極処理後に短絡する導電体71,72と、を備えている。そして、基板2の表面の周端縁には、少なくとも圧電素子4の分極処理の際に第1および第2圧電素子側電極41,42と接続されている第1および第2延設電極91,92が形成されている。 (もっと読む)


【課題】MEMSが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成する。
【解決手段】可動電極12を覆うようにして可動電極12と間隔を空けて配置された絶縁層13およびキャップ膜14を層間絶縁層8上に形成し、可動電極12の周囲には空洞Uを形成し、キャップ膜14上には導電層15aを形成するとともに、層間絶縁層8上には再配線15bが形成され、導電層15aにて伝送線路を構成する。 (もっと読む)


本発明は、MEMSチップ及びASICチップを備える小型化した電気的デバイスに関する。MEMSチップ及びASICチップは互いに上下に配置する。これら両チップの内部接続部は、MEMSチップ又はASICチップを貫通するビアを介して電気的デバイスの電気的外部接続端子に接続する。 (もっと読む)


【課題】可動部および固定部が基板上の層の積層体によって形成されたアクティブ構造を備え、であって、可動部および固定部は対向する表面を備え、これらの表面は、システムの適用に応じて、たとえば停止部、検出または作動電極を形成し得るMEMSまたはNEMSシステムの簡略化された製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板ならびに基板上に配列された少なくとも2つの層の積層体と、積層体内に形成された可動部および積層体内に形成された基板に対する固定部と、固定部と可動部との間に形成された対向する表面とを備える微小機械構造を製造し、たとえば、積層体に実質的に垂直な方向への可動部の変位を制限する停止手段を形成するプロセスであって、基板と、積層体の材料に対して選択的にエッチングされるのに適した材料からなる積層体との間に少なくとも1つの犠牲層を使用するプロセス。 (もっと読む)


【課題】静磁界発生手段による静磁界が駆動コイルに効率よく作用するようにして、駆動効率を向上させたプレーナ型電磁アクチュエータ。
【解決手段】固定部と、該固定部に対して一対のトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、通電により磁界を発生する駆動コイルとを備えたチップと、駆動コイルに静磁界を与える静磁界発生手段とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、駆動コイルは、可動板の周縁部にトーションバーの軸線に対して略対称に設けられ駆動電流が一方のトーションバー側から他方のトーションバー側に向かって通電される対称コイル部を有し、静磁界発生手段は、可動板の外から内、又は内から外のいずれか一方向に向かう静磁界が発生するように配置され、該静磁界が対称コイル部の全てに略垂直に交差するように、対称コイル部を形成して構成するとした。 (もっと読む)


【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された1つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ(130)を、エッチング済みデバイスウェーハ(142)に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子(150)によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 (もっと読む)


【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板30の第1表面S1から第2表面S2に亘って、当該基板30を貫通するように形成されたトレンチ31aによって、当該基板30が複数の部分領域Ceに分割され、トレンチ31aによって形成された部分領域Ceの側壁に、第1表面S1の側から第2表面S2の側に亘って、当該基板30より高い導電率を有する導電層35が形成され、導電層35を介して、トレンチ31a内に絶縁体31bが埋め込まれてなる領域分割基板A10とする。 (もっと読む)


【課題】 可動部に磁石を設置し、電磁石を磁石との間に作用する磁力によって可動部を揺動させることが可能な光学装置において、可動部の磁石を設置するためのスペースを小さくする。
【解決手段】 可動部の上面に上部磁石が設置されており、下面に下部磁石が設置されている。上部磁石は、可動部から突出して可撓梁の上方または側方に可撓梁と離間して延在している上部延在部を有しており、下部磁石は、可動部から突出して可撓梁の下方または側方に可撓梁と離間して延在している下部延在部を有している。可動部が設置されていない領域(可撓梁の上方、下方、側方)に磁石(上部磁石、下部磁石)が突出しているので、磁石の平面方向の面積に対して、可動部の磁石を設置する部分の面積を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】 所望の振動特性を確保しつつ小型化や省電力化等を有効に図ることができる振動素子、光走査装置及び映像投影装置並びに画像形成装置を提供する。
【解決手段】 光学ミラー部322が設けられる振動部(梁部31)と、この振動部を振動させる駆動部(磁界印加手段70等)とを備え、振動部が加工硬化及び時効硬化処理を施すことで形成されており、振動のし易さを示すQ値が1000以上の振動素子とすることにより、所望の振動特性を確保しつつ小型化や省電力化を有効に図ることができる振動素子30を実現し、また、振動素子30と共に駆動に関わる部品を縮小して、アクチュエータ装置1や、光走査装置や映像投影装置等の性能向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】少なくとも一方向の寸法を小さくすることができる、レーザ光等の2次元走査が可能なMEMSアクチュエータを提供することを目的とする。
【解決手段】第1軸線X周りに揺動する第1可動部21を支持する第1固定部22、23が積層された第2軸線Y周りに揺動する第2可動部31を支持する第2固定部32、33を、第2可動部31の内側に配置、又は、第2可動部31の狭小部分312Aと連結して配置することで、第1可動部21の法線方向から見たときのMEMSアクチュエータ1の寸法を小さくすることを可能としている。 (もっと読む)


【課題】 所望の振動特性を確保しつつ設計の自由度を格段に向上することができる振動素子及び光走査装置並びに映像投影装置を提供する。
【解決手段】 光学ミラー部322が設けられる振動部(梁部31)と、この振動部を振動させる駆動部(磁界印加手段70等)とを備え、加工硬化及び時効硬化処理が施されて形成されると共に歪み振幅が3×10−3より大きい振動部とし、所望の振動特性を確保しつつ設計の自由度を格段に向上することができる振動素子30を実現し、また、振動素子30と共に駆動に関わる部品を縮小して、アクチュエータ装置1や、光走査装置や映像投影装置等の性能向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】可動部に磁石を設置し、電磁石を磁石との間に作用する磁力によって可動部を揺動させることが可能な光学装置において、可動部に永久磁石を設置することによって可動部の重心が可動部の揺動中心からずれることを抑制する。
【解決手段】可動部に設置する磁石が上部磁石と下部磁石との2つの部材に分かれている。上部磁石は可動部の上面に設置され、下部磁石は可動部の下面に設置されるため、可動部の重心が可動部の揺動中心からずれることが抑制される。また、上部磁石の第1磁極と下部磁石の第2磁極が可動部を介して対向しており、磁力によって上部磁石および下部磁石が可動部に固定される。可動部に磁石を固定するために用いる接着剤量を減少させることができるため、接着剤の重量によって可動部の重心が可動部の揺動中心からずれることが抑制される。 (もっと読む)


本発明は、無機エレクトレットベースの電気機械デバイスおよびその作成方法に関する。前記デバイスは、少なくとも1つのエレクトレット層2Eを含む誘電性積層、および誘電性積層の2つの反対面18、22上の2つの電極16、20を含む。エレクトレットは、無機エレクトレットであり、また、電気機械結合を形成する恒久的な電荷を含む。エレクトレット層の厚さは、数ナノメートルから数十マイクロメートルまで選択することができるが、略1μm未満または略1μmに等しいことが好ましい。本デバイスは、特に遠隔通信の分野に使用される。
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【課題】比較的簡単な構成で、周囲温度が変化した場合であっても可動部の揺動角度を精度よく検出できるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】枠状の固定部の内側にトーションバーで揺動可能に支持された可動部を有し、この可動部を揺動駆動するプレーナ型アクチュエータであって、可動部の揺動動作による応力の影響を受けて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子R1,R2と、可動部の揺動動作による応力の影響を受けても抵抗値が変化せず抵抗温度係数の小さい抵抗素子13,14とで構成したブリッジ回路21を備え、ブリッジ回路21は、一方の対辺21a,21cに抵抗素子13,14を配置し、他方の対辺21b,21dにピエゾ抵抗素子R1,R2を配置し、ブリッジ回路21の出力値Voutに基づいて可動部の揺動角度を検出する構成とした。 (もっと読む)


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