【課題】回路素子と機能素子とが同一基板上に絶縁膜を介して積層して形成される電気部品において、２つの素子間を結ぶ接続配線の信頼性を従来に比して高められる電気部品を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ１１に接続され、第１の絶縁膜２０上に形成される第１の配線２２Ａと、第１の配線２２Ａ上に形成される第２の絶縁膜３０を介して形成され、ＭＥＭＳ素子５０に接続される第２の配線３１と、第２の配線３１上を覆う第３と第４の絶縁膜４０，６０と、第２の配線３１と第１の配線２２Ａとを接続する接続配線７０とを備え、接続配線７０は、第２の配線３１の形成位置内で第４と第３の絶縁膜６０，４０を貫通する第１のビア７１と、第１の配線２２Ａの形成位置内で第４〜第２の絶縁膜６０，４０，２０を貫通するビア７０２と、第４の絶縁膜６０上で第１と第２のビア７０１，７０２とを結ぶ接続用配線７０３とが同一材料で一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】確実に、内部空間（可動板が設けられている空間）の気密性を確保することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること
【解決手段】アクチュエータ１は、内部空間Ｓを画成する壁部を有するパッケージ２と、内部空間Ｓに回動可能に収容された可動板３２と、可動板３２の一方の面側に設けられた永久磁石４１と、コイル（駆動用コイル４２、挙動検知用コイル５１）とを有し、前記コイルは、少なくとも一部がパッケージ２の壁部に埋設されており、永久磁石４１と対向するように、または永久磁石４１が内側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】外部衝撃による破損およびそれによるコストアップを抑制できるＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フレーム１１１と、フレームと同じ層に形成され、フレームに対して相対運動可能に一対のトーションバネ１１３によりフレームの内側に連結された駆動体１１５と、駆動体の高さ方向変位を制限する上昇ストッパ１４０および下降制限ストッパ１５０と、を備えたＭＥＭＳデバイスであり、駆動体は周辺部を備えており、外部衝撃が加えられて駆動体が急激に上昇する場合には駆動体の周辺部が上昇制限ストッパの一端部１４１にひっかかり、外部衝撃が加えられて駆動体が急激に下降する場合には下降制限ストッパの一端部１５１がフレームにひっかかることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号線と駆動線との間の寄生容量の増大を抑制しつつ、可動部を駆動する駆動電圧を低下させる。
【解決手段】駆動電極１６ａを信号線１３上に配置し、駆動電極１６ｂを接地線１４上に配置し、補助駆動電極１７ａを駆動電極１６ａに並列して配置し、補助駆動電極１７ｂを駆動電極１６ｂに並列して配置し、駆動電極１６ａ、１６ｂおよび補助駆動電極１７ａ、１７ｂ上に可動電極１９を配置する。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 検出コイルの設置スペースを大きく確保することができ、Ｓ／Ｎ比を増大させて可動部の正確な位置検出を行うことのできるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】 デバイス基板に設置された枠状の固定部２と、固定部２の内側にトーションバー５を介して可動自在に支持され駆動手段により駆動される可動部６と、可動部６に設置され可動部６を駆動するための渦巻き状に形成された駆動コイル７と、駆動コイル７のコイル配線の間に沿って設置され可動部６の動作を検出する検出コイル９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】可動部の揺動を検出するためのピエゾ抵抗素子によってトーションバーの幅が制約されることがなく、かつ、可動部の揺動に伴ってピエゾ抵抗素子の抵抗値を大きく変化させて、高い検出精度が得られるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】アクチュエータ１は、枠状の固定部２と、一対のトーションバー３ａ，３ｂと、可動部４とを備え、前記可動部４は、前記一対のトーションバー３ａ，３ｂを介して前記固定部２の開口部に揺動可能に支持される。前記固定部２のトーションバー３ａが接続される部分、及び、固定部２のトーションバー３ｂが接続される部分に、トーションバー３ａ，３ｂの軸を挟んで、ピエゾ抵抗素子１０ａ〜１０ｄを配置する。そして、ピエゾ抵抗素子１０ａ〜１０ｄの抵抗値変化によって出力電圧が変化するブリッジ回路を構成し、ブリッジ出力から前記可動部４の揺動を検出する。 （もっと読む）

【課題】減圧封止環境下で好適に使用可能なマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、可動ミラー１１２を有するマイクロミラーチップ１１０と、マイクロミラーチップ１１０に対向して配置される電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置されてマイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とを接合するハンダバンプ１５０とを有している。マイクロミラーチップ１１０はまた４つの薄膜永久磁石１２４を有している。電極基板１３０はまたシート状永久磁石１３８を有している。シート状永久磁石１３８と薄膜永久磁石１２４は互いに引き合うことにより、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とハンダバンプ１５０が相互に密着される。 （もっと読む）

【課題】薄膜構造部の膜強度の低下を防止することができると共に、薄膜構造部に覆われた空洞部への汚染物質等の侵入を防止する。
【解決手段】シリコン基板１０は、一面１１側に形成されると共に空洞部１４とシリコン基板１０の外部とを繋ぐための孔部１５を有している。この孔部１５は、一面１１において、薄膜構造部３１の上部を流れるであろう流体の向きに対して直交するように延設されている。これによると、空洞部１４を覆う薄膜構造部３１に開口部を設けていないので、薄膜構造部３１の膜強度の低下を防止することができる。また、孔部１５の開口部がシリコン基板１０の一側面１２に露出し、流体は孔部１５の開口部に直接当たらないので、当該一側面１２の面方向に流れる流体が孔部１５に入りにくくなる。したがって、孔部１５を通じて空洞部１４への汚染物質や水滴の侵入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】可動板の質量を増やすことなく、配線が比較的な動歪補正手段を備えた光偏向器を提供する。
【解決手段】可動板２０１の裏面に動歪補正手段として、動歪補正用圧電素子２２０、２３０、２３１を設ける。そして、駆動梁２０４の裏面の駆動用圧電素子２１０の上部電極、下部電極をトーション梁２０３を通し、動歪補正用圧電素子２２０の上部電極、下部電極には電極逆転部２４０、２５０を介して接続し、動歪補正用圧電素子２３０、２３１の上部電極、下部電極にはそのまま接続する。可動板２０１上の動歪は、トーション梁２０３と平行な方向では駆動梁２０４の反り変形と同じ方向に発生し、トーション梁に直交する方向では駆動梁２０４の反り変形と逆方向に発生する。該動歪は、駆動用圧電素子２１０と同位相及び逆位相で動歪補正用圧電素子２２０、２３０を駆動することで軽減される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層６の開口部中に中間層である界面層１４を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムＭＥＭＳ電極８と、ＭＥＭＳ成分を含むシリコンゲルマニウム構造層４との界面となる。中間層、すなわち界面層１４は、ＴｉＮ層またはＴａＮ層より成る。 （もっと読む）

【課題】フィルム状接着材の未硬化領域の発生を抑制し、センサ製作後の硬化反応の進行によるセンサ特性の低下を防止できるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】制御ＩＣ１に樹脂製保護膜２が被着され、この保護膜２とＭＥＭＳ素子３との間にフィルム状接着材４を介装させ、この接着材４の加熱加圧による硬化よって制御ＩＣ１上にＭＥＭＳ素子３を接合固定させてなるＭＥＭＳセンサにおいて、樹脂製保護膜２に、その制御ＩＣ１とＭＥＭＳ素子３との重畳面の中央部対応位置から四隅部対応位置に向かって放射状に溝５を延出形成する。またこの溝５の延出先端部に、一部がセンサ外部に露出する開口部６を形成し、樹脂製保護膜２中に残留してフィルム状接着材４の硬化反応を阻害するアミン系物質をその開口部６からセンサ外部に揮発拡散して排出させる。 （もっと読む）

データ記憶装置のデータ変換器に使用するための三次元（３Ｄ）微細構造コイルを含むがこれに限定されない、多次元微細構造を形成するための方法を提供する。いくつかの実施例に従って、本方法は概して、第１の誘電材料に埋込まれた第１の導電性経路を有するベース領域を設けるステップと、各々が、埋込まれた第１の導電性経路に接触する第１のシード層で部分的に充填された複数のビア領域を、第１の誘電材料にエッチングするステップと、複数のビア領域の各々に導電性支柱を形成するように第１のシード層を使用するステップとを含み、各導電性支柱は、ベース領域の上方の第１の距離まで延在する実質的に垂直の側壁を有する。
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【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】厚さの薄い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に、無線通信の機能を有する半導体素子層と、センサの機能を有する微小構造体と、半導体素子層及び微小構造体を電気的に接続する配線とを有する半導体装置、及び、第１の基板上に、互いに密着性の弱い第１の層及び第２の層を形成し、第２の層上に無線通信の機能を有する半導体素子層及び絶縁層を形成し、絶縁層上に半導体素子層と電気的に接続される第１の配線、犠牲層、第２の配線を形成し、第１の層と第２の層とを分離することにより、基板から半導体素子層、絶縁層、第１の配線、犠牲層、第２の配線を分離した後、第２のフレキシブル基板に貼り合わせ、犠牲層を除去して、第１の配線、第２の配線、第１の配線と第２の配線との間に空間を有し、センサの機能を有する微小構造体を作製する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】少ないエネルギーで素子を加熱することができ、かつ、パッケージ外への熱伝導が抑制された、圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧電デバイス１００は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収納された圧電素子２０と、パッケージ１０内に収納されたヒーター素子３０と、を有し、圧電素子２０は、基部２２および基部２２から延出した梁部２４を有し、基部２２によって片持梁状または両持梁状に固定され、ヒーター素子３０は、支持部３２および支持部３２によってパッケージ１０から離間して支持される発熱部３４を有し、発熱部３４は、支持部３２によって片持梁状または両持梁状に固定され、発熱部３４および梁部２４は、互いに離間している。 （もっと読む）

本発明の方法及びデバイスは、複数の活性化モードを有するように構成されたアナログ干渉モジュレータの活性化をキャリブレーション及び制御ための方法及びデバイスである。また、本発明の方法及びデバイスは、印加された電圧の関数として応答するようにアナログ干渉モジュレータをキャリブレーションするためのデバイス及び方法である。
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