【課題】簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減できるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて配置される封止材と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、ケースにより前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に空間を確保し、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に、前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて封止材を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部１とデバイス部２と、を有する。デバイス部２は、一体的に形成された接着部３と弾性部４と支持部５とを備え、支持部５は弾性部４で接着部３に対して弾性支持される。ホルダ部１は、周辺部より高い段差部６を有する。接着部３は、ホルダ部１の周辺部に固定され、支持部５は、弾性変形した弾性部４の復元力により段差部６に当接させられている。 （もっと読む）

【課題】基板とＭＥＭＳ素子との間の寄生容量、および基板の反りを抑えたＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】
実施の形態のＭＥＭＳ装置は、表面に開口する凹部と凹部内に、絶縁物、エアギャップ、または絶縁物およびエアギャップが形成された基板と、基板上の絶縁層と、絶縁層上に形成された信号線を有するＭＥＭＳ素子とを有し、上記基板の表面に平行な方向の信号線の位置と上記平行な方向の凹部の位置に重なりがある。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】衝撃が加わってＸ方向に過度の加速度が作用した場合でも、梁部が破損するのを防ぐ加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、蓋体５と、センサ本体３と、基台４とを備える。センサ本体３は、支持部３０と、梁部３１と、錘部３４とを備える。基台４は、錘部３４と対向する部分に凹部４１を有する。梁部３１は、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ、４１Ｂと所定の間隔ｄで対向するまで錘部３４が凹部４１側へ変位するよう反った形状に形成されている。衝撃が加速度センサ１００に加わってＸ方向に過度の加速度が作用した際、この実施形態の加速度センサ１００では、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ（又は４１Ｂ）に当接する。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はダイヤフラム３１と支持部３２との境界近傍のダイヤフラム３１上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた錘部２３と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等とを備え、前記歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等を形成した梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と錘部２３との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部２７，２７′，２８，２８′を前記梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′内に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータの位置を正確に制御するアクチュエータ装置。
【解決手段】制御信号に応じて動作するアクチュエータと、アクチュエータを動作させる場合において、アクチュエータの温度を基準温度とする制御信号を供給する制御部と、を備えるアクチュエータ装置、試験装置、およびアクチュエータ制御方法を提供する。アクチュエータの温度を検出する温度検出部を更に備え、温度検出部は、アクチュエータの温度を検出し、制御部は、温度検出部が検出した温度に応じてアクチュエータに供給する制御信号の大きさを制御する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】接続構造に接続されたマイクロ振動装置の現在の姿勢を雑音なしに高い正確度で検知することができるようにする。
【解決手段】マイクロ振動装置のための接続構造において、接続構造の一端はマイクロ振動構造に、他端はバネ部材に少なくとも間接的に接続可能であり、接続構造はマイクロ振動構造の回転軸に対して平行に配置された少なくとも１つの脚部と、回転軸に対して垂直に配置された少なくとも１つの別の脚部と、接続構造の捩れを測定する少なくとも１つの抵抗素子とを含んでおり、回転軸に平行な方向における接続構造の広がりは、回転軸に対して垂直な方向における接続構造の広がりの少なくとも２．５倍であり、抵抗素子は接続構造が捩れたときに比較的大きな機械的応力が生じる領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れ、且つ、デバイス特性のより一層の向上を図れる強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】強誘電体デバイスは、シリコン基板１０の上記一表面側に形成された下部電極１４ａと、下部電極１４ａにおける第１の基板１０側とは反対側に形成された強誘電体膜１４ｂと、強誘電体膜１４ｂにおける下部電極１４ａ側とは反対側に形成された上部電極１４ｃとを備え、強誘電体膜１４ｂが、シリコンとは格子定数差のある強誘電体材料により形成されている。下部電極１４ａの直下に、シリコンに比べて強誘電体膜１４ｂとの格子整合性の良い材料からなる緩衝層１４ｄが設けられ、第１の基板１０に、緩衝層１４ｄにおける下部電極１４ａ側とは反対の表面を露出させる空洞１０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４に設けられた差圧用ゲージ５と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージ１６ｄと、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージ１５ｂと、を備えた圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）