【課題】異なる基板上に形成されたデバイス間で無線通信を行い、配線の接続不良を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上に、第１のアンテナを有する第１のデバイスを設け、第２の基板上に、第１のアンテナと通信可能な第２のアンテナを有する第２のデバイスを設け、第１の基板と第２の基板を接合して半導体装置を作製する。第１の基板と第２の基板は、接着層を介した接合、陽極接合、又は表面活性化接合により接合される。 （もっと読む）

【課題】基体の表面に凹部又は孔部を形成するに際して、その内側面を傾斜させることができ、しかもコストや生産性を良好にした、傾斜形状の加工方法を提供する。
【解決手段】基体１０上に第１マスク１１を形成する工程と、第１マスク１１を用いてエッチングし、開口部を形成する工程と、ポリマー膜を形成する堆積工程と、ポリマー膜を全面エッチバックし、第１マスク１１の内側面及び開口部の内側面に第２マスク１６（１４）を形成するエッチバック工程と、第１マスク１１及び第２マスク１６を用いて開口部内をエッチングする開口部内エッチング工程と、を備える。堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシンコンポーネントの製造方法に関する。この際、基板には基板の厚さより浅い深さを有する少なくとも１つのトレンチ構造が形成されることになる。しかも基板の第１の面上には、絶縁層および基板への充填層が形成または取り付けられる。この充填層は、トレンチ構造を実質的に完全に充填する充填材料を有している。これに続く充填層または、絶縁層または、基板の平面における平坦化処理によって、基板の平らな第１の面が形成される。さらに引き続いて、基板の第２の面が平坦化処理される。本発明の別の目的は、本発明による方法にしたがって製造されるマイクロマシンコンポーネントでもある。
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本発明は、マイクロマシンコンポーネントの製造方法に関する。この場合、トレンチ構造は実質的に第１の充填層によって完全に充填され、第１のマスク層は第１の充填層上に取り付けられており、この第１のマスク層上にも第２の充填層および第２のマスク層が取り付けられる。さらに本発明は、マイクロマシンコンポーネントにも関する。この場合、第１の充填層はマイクロマシンコンポーネントのトレンチ構造を充填し、同時に可動のセンサ構造を形成する。
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【課題】マイクロトランスの製造方法において、スループットを向上させること。コイル間の絶縁膜にクラックが入るのを防ぐこと。選択比の大きなマスク材を用いずに製造すること。
【解決手段】不純物拡散領域２が部分的に形成された半導体基板１の全面に絶縁膜３を堆積する。この絶縁膜３を部分的に除去し、第１の開口部４および第２の開口部５を形成する。ついで、中心パッド８が第１の開口部４を介して不純物拡散領域２に接触するように１次コイル７を形成する。そして、１次コイル７の上に薄い絶縁膜１０を堆積する。この、１次コイル側の絶縁膜１０の上に、絶縁体材料１２を、接着テープ１３によって貼り合わせる。ついで、絶縁体材料１２の表面に２次コイル１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コスト、製造プロセスの簡素化および小型化が可能となるポリイミドベースの薄膜自己組織化技術を提供する。
【解決手段】（１）シリコン基板１０上に犠牲層２０と低応力微細構造層３０を蒸着し、（２）低応力微細構造層をパターン付けしてエッチングを施し、微細構造の静止部と可動部を備え、（３）微細構造層の弾性結合部４１として感光性ポリイミド薄膜を被覆し、その形状をフォトリソグラフィ技術を用いて画定し、（４）微細構造層の可動部の下の犠牲層を、ウエットエッチングにより除去し、（５）最後に、ポリイミドのリフロープロセスを進めて弾性接合を収縮させ、さらに可動部を回転し持ち上げて微細構造の自己組織化が完了する。 （もっと読む）

【課題】機構層（１２、４８）およびベース（２０）を備える微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置を提供すること。
【解決手段】ベース（２０）の上面（２１）が、機構層（１２、４８）に接合され、ベース（２０）の上面（２１）内にギャップ（２２）を画定する。機構層（１２）の一部分（１８、６２）は、それがベース（２０）に接触するまでギャップ（２２）の中へたわめられ、ベース（２０）に接合される。 （もっと読む）

【課題】マスクの合わせずれに起因する支柱の位置ずれを無くすことにより、共振周波数の変動を防止し、歩留まりの向上を図った電気機械素子及びその製造方法、さらに電気機械素子による共振器を提供する。
【解決手段】基板５上に空間２７を介して配置された可動子１０を有する電気機械素子２５において、電気機械素子２５を、空間２６を介して封止する保護膜１５を備え、保護膜１５と可動子１０が、可動子１０を貫通する支柱１６Ａ，１６Ｂにより支持されている。 （もっと読む）

微小な環境内で流体を伝達するためのマイクロ流体伝達システムであって、マイクロ流体伝達システムは、（ａ）第１端部、第２端部及び外面を有する細長い本体と、（ｂ）細長い本体内に形成された複数の穴であって、流体をそこに流すために細長い本体の長さの少なくとも一部に沿って伸びる複数の穴と、（ｃ）少なくとも二つの穴と流体連結し、細長い本体を通る複数の潜在的流体通路を画定するように、重要で予め決められた配置及び配向で細長い本体内で前記複数の穴の少なくとも二つと交差する、少なくとも一つの相互連結スロットとを備える。マイクロ流体伝達システムは、アクセススロットと穴の一つが互いに流体連通するように、重要で予め決められた配置及び配向で細長い本体内で前記複数の穴の一つと交差する少なくとも一つのアクセススロットを更に備え、アクセススロットは細長い本体内で付加的な潜在的流体通路をさらに画定する。マイクロ流体伝達システムは、複数の穴の各々内に配置された少なくとも一つのロッドを更に備え、ロッドは、特定の予め決められた流体通路及びそれに続く流体流路を画定するため、及び、流体流路を通る流体の流れを処理及び制御するために選択的に配置される。 （もっと読む）

本発明は、部材表面に形成されていて空洞（１２）を覆っている少なくとも１つのダイヤフラム（１１）と、部材背側を起点として延びていて空洞（１２）に通じる少なくとも１つの接近開口（１４）とを備えた部材（１０）を製造する方法であって、少なくとも１つの第１のダイヤフラム層（２）と空洞（１２）とを、部材表面を起点として、モノリシックの半導体基板（１）において生ぜしめ、接近開口（１４）を、部材背側を起点として、時間的に制限されたエッチングプロセスにおいて生ぜしめる形式の方法に関する。このような形式の方法において本発明の方法では、接近開口（１４）を、基板材料が第１のダイヤフラム層（２）に達する領域に配置し、接近開口（１４）を生ぜしめるためのエッチングプロセスが、少なくとも１つの異方性のエッチングステップと少なくとも１つの等方性のエッチングステップとを有しており、異方性のエッチングステップにおいて、基板背側を起点として延びるエッチング通路（１５）を生ぜしめ、該エッチング通路（１５）は第１のダイヤフラム層（２）の下側において空洞（１２）の周囲において終わっており、エッチング通路（１５）の少なくとも端部領域（１６）を、等方性のエッチングステップにおいて、エッチング通路（１５）が空洞に接続されるまで拡大させる。
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基板表面上に第一の化合物をパターン付する工程、基板表面の非パターン付き領域を第二の化合物に曝露する工程、および第二の化合物を元のままに残しながら、第一の化合物を除去する工程を含む、リソグラフィおよびナノリソグラフィ法に関する。得られたホールパターンをテンプレートとして用いて、基板のパターン付き領域の化学的エッチングまたは基板のパターン付き領域上への金属付着のいずれかを行うことができる。

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【課題】歩留まりおよび消費電力が改善される。
【解決手段】支持基板層１１ａおよび中間層１１ｂが順に積層された底面部１１ｃと、底面部１１ｃ上に形成され、内壁にトーションバー１２を介してマイクロミラー１３が一体的に形成され、上面にスペーサ１４を備えるデバイス部１１ｄとを有するミラー基板１１と、一対の透明電極１６が、マイクロミラー１３の両端部もしくは両端部近傍にそれぞれ重なるように配置され、スペーサ１４を介してミラー基板１１と接合する上部ガラス基板１５と、により構成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

本発明は、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に用いられるパッケージに関する。この場合、このパッケージは、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板と、この支持基板に結合された少なくとも１つのカバー基板とを有している。この場合、支持基板とカバー基板とは、少なくとも１つの中空室を形成している。この中空室は、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込めている。この場合、少なくとも１つのカバー基板の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に面した側の面は、少なくとも１つの光学的な窓と、少なくとも１つの機械的なストッパとを有している。さらに、本発明の対象は、このようなパッケージを製作するための方法である。この場合、この方法は、特にウェーハレベルでのパッケージングのためにも使用可能である。
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【課題】 微小スクラッチ駆動アクチュエータ(ＳＤＡ)の歩留り、寿命および駆動電圧を改善するために、本発明は、エッチング孔およびフランジ構造設計を含む新規なレイアウト設計を提案する。
【解決手段】エッチング孔が、従来のＳＤＡ板のレイアウトに加えられると、構造層の解放が促進され、ＳＤＡ板の前端における蓄積された残留電荷が低下する。この斬新な設計により、ＳＤＡ装置の長寿命化および低電圧化が実現する。他方、ビーム−ＳＤＡ板結合路間のコーナー部にフランジ構造設計を追加することで、細いポリシリコンサポートビームの曲げ剛性が向上し、さらにＳＤＡ装置の歩留りが高まり、作動中の亀裂破損を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディング方式により、光変調器の多数のマイクロミラーを外部から密閉して保護するためのパッケージおよびパッケージング方法を提供する。
【解決手段】電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子２０５と、中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第２サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材２０６と、前記サブ基板２１１の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラス２０２とを含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

ＭＥＭＳパッケージは、基板に形成されたＭＥＭＳ構造体、ＭＥＭＳ構造体を駆動する第１パッド電極、基板のフレーム部分に形成された第１シーリング部、及び第１パッド電極及び第１シーリング部に形成された連結部を含んでなるＭＥＭＳ素子を含む。また、ＭＥＭＳパッケージは、第１パッド電極及び第１シーリング部に対応して各々第２パッド電極及び第２シーリング部を備えて、連結部を介してＭＥＭＳ素子と一定距離の空間間隔をおいて密封しつつボンディングされたＭＥＭＳ駆動用電子素子を含む。
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【課題】ハウジング内に基板とＭＥＭＳデバイスを取り付けたパッケージを低コストで提供する。
【解決手段】１又はそれ以上の微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを備えたデバイス層は、第１の表面が第１のウェハにボンディングされる。第１のウエハは導電のための１またはそれ以上のシリコンピン３２を有し、シリコンピンとデバイス層を電気的に接続する。同様に１又はそれ以上のシリコンピンを有する第２のウェハが、デバイス層の第１の表面の反対面である第２の表面にボンディングされる。第１及び第２のウェハは、ホウケイ酸ガラスから作られており、デバイス層はシリコンからできている。 （もっと読む）

【課題】キャップを薄型化できるようにすることにより、半導体力学量センサの薄型化が図れるようにでき、かつ、真空度の維持も容易に行えるようにする。
【解決手段】ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ１１に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いＳＯＩ基板１にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。また、キャップ層をポリイミド樹脂フィルムで構成する場合のように撓んで真空度の維持が困難になるなどの問題も発生しない。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板４１上に形成されたシリコンからなる固定電極５０と、シリコン基板４１上に形成された窒化膜４３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極６０と、可動電極６０の周囲に形成され且つ固定電極５０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜５２、第１配線層６３、第２層間絶縁膜５３、第２配線層６４、および保護膜５９がこの順に積層された配線積層部と、を有している。可動電極６０は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分６５が形成されている。 （もっと読む）