【課題】基板とキャップとの対向方向の物理量を検出するために必要な配線の接続を表面側で達成することができながら、製造工程の簡素化を図ることができる、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上には、壁部６および分離部７により、第２絶縁層９を介して、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ１２がシリコン基板２に対向した状態で支持されている。シリコン基板２とキャップ１２との間には、ドープトポリシリコンからなるＺ可動電極５が設けられている。Ｚ可動電極５は、その表面を壁部６および分離部７の表面よりもシリコン基板２側に下がった位置に有し、シリコン基板２およびキャップ１２から離間し、シリコン基板２およびキャップ１２の対向方向に変位可能である。これにより、キャップ１２およびＺ可動電極５は、それらの間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａ上に、平面視四角環状の壁部６が設けられている。壁部６上には、平面視四角環状の第２絶縁層９が設けられており、この第２絶縁層９を介して、平面視四角形状のキャップ１０の周縁部が支持されている。シリコン基板２の表面２ａ上には、第１絶縁層８、壁部６、第２絶縁層９およびキャップ１０により、Ｘ／Ｙ可動部３、Ｘ／Ｙ固定部４、Ｚ可動部５および分離部７を収容する中空部分２０が形成されている。そして、キャップ１０は、ポリシリコンからなり、シリコン基板２上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝１２，１４を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】内部に段差を有する高アスペクト比の凹部を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材１に初期凹部４２を形成する初期凹部形成工程と、初期凹部４２の内側面４２ａの基材１を隔壁１ｗとして残存させた状態で、初期凹部４２及び初期凹部４２に隣接する周回領域４Ｅ１の基材１とを深さｄ１，ｄ２方向に異方性エッチングして、初期凹部４２を深さｄ２方向に掘り下げるとともに、周回領域４Ｅ１に初期凹部４２と深さｄ１の異なる初期凹部４１を形成するエッチング工程と、深さｄ１，ｄ２が異なる複数の初期凹部４１，４２の内表面４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂと隔壁１ｗとを酸化して酸化部Ｏｘを形成する凹部酸化工程と、酸化部Ｏｘを除去して凹部４の全体の形状を形成し、凹部４の内側に深さＤ１，Ｄ２方向の段差Ｇ１を形成する酸化部除去工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電膜が製造プロセス中の損傷および／または汚染から十分に保護されうる、ＭＥＭＳ素子用圧電膜構造を製造するための方法および装置を提供すること
【解決手段】例示的実施形態によれば、第１の面、前記第１の面と反対側の第２の面、および前記第１の面と前記第２の面との間に形成された空隙とを備える基板と、前記基板の前記第１の面に形成された第１の圧電薄膜構造と、前記基板の前記第２の面に形成された第２の圧電薄膜構造とを有するＭＥＭＳ素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。
【解決手段】固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】各種加工工程中における保護基板の傷や汚染、及び反りや割れの発生を抑制することができ、より薄型かつ高品質な半導体パッケージを容易に得ることが可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体基板１０と、該半導体基板の一面側に配された機能素子１１と、一面が前記半導体基板の一面と対向し、前記半導体基板の表面から所定の間隔をもつように配された保護基板２０と、を備えた半導体パッケージ１の製造方法であって、前記保護基板の他面に支持基板３０を接合する工程Ａと、前記保護基板の一面側より研磨し、前記保護基板を薄板化する工程Ｂと、前記保護基板の一面を前記半導体基板の一面と対向させて接合する工程Ｃと、前記半導体基板の他面側より研磨し、前記半導体基板を薄板化する工程Ｄと、前記支持基板を除去する工程Ｅと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップ等の微細加工のコスト削減を進展させることを可能とする。
【解決手段】基材３の表面に微細流路５を加工する微細形状加工方法において、基材３の表面に金属の薄膜７を形成する（ａ）薄膜形成工程と、薄膜７に放電加工により微細形状パターン９を貫通形成する（ｂ）放電加工工程と、薄膜７に微細形状パターン９を備えた基板３をエッチングして薄膜７の微細形状パターン９に対応する微細流路５を基板３の表面に形成する（ｃ）エッチング工程と、エッチング後に金属の薄膜７を除去して表面に微細流路５を有するマイクロチップ１を得る（ｄ）除去工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】脆弱な部分を有する構造の半導体装置を製造する際に、半導体装置の破損を避けてダイシングを行なう。
【解決手段】本発明の半導体装置１００の製造方法は、複数のチップを有する半導体ウェーハ１０１における各チップの所定の領域上に、振動膜１０３を形成する工程（ａ）と、各チップの振動膜１０３上に位置する犠牲層１１３を含む中間膜１０２を半導体ウェーハ上に形成する工程（ｂ）と、中間膜１０２上に固定膜１０４を形成する工程（ｃ）と、半導体ウェーハ１０１をブレードダイシングすることにより、各チップ１００ａを分離する工程（ｄ）と、各チップ１００ａに対するエッチングにより、犠牲層１１３を除去して振動膜１０３と固定膜１０４との間に空隙を設ける工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 主面上に信号用配線１５が設けられた基板１１と、前記基板１１の前記主面上に設けられ、前記信号用配線１５を跨ぐ梁部１６を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン１６と、前記梁部の前記信号線１５と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制ブリッジ１８と、前記基板１１の主面上に設けられ、中空部１７を介して前記マイクロマシンを覆う封止体２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械的スイッチ及びこれの形成方法を提供すること。
【解決手段】メモリ素子は、メモリセル内に具備されるストレージノード、第１、及び第２電極を含む。前記ストレージノードは電荷を保存し、前記第１電極は第２部分と電気的に接続するための第１部分を含む。前記第２電極が活性化された際、前記第１部分は前記ストレージノードと接続するように移動する。 （もっと読む）

【課題】犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する
【解決手段】マイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、犠牲層１８を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、犠牲層１６に連通する開口形状部２１ａを有する第１封止体２１と、が形成された基板１１を収容するチャンバ３１と、基板１１が配されたチャンバ３１内に、エッチング処理により犠牲層１８を除去するエッチングガス３７ａを導入する導入部３３と、チャンバ３１内の流体を排出する排出部３５と、エッチング処理の間に、チャンバ３１内の流体の量を変動させる調整手段としての絞り部３４３６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メカニカル素子の作製後に、素子を構成する材料の圧電的および光学的性質を利用して、メカニカル素子の振動を制御し、素子のＱ値を向上させるメカニカル素子およびその振動を制御する方法を提供する。
【解決手段】異なる特性を有する少なくとも２つの層から構成される梁を備え、前記梁を構成する異なる特性を有する層間で異なる吸収係数を与える波長のレーザー光の照射により梁の振動を制御する手段を備えることを特徴とするメカニカル素子およびその振動を制御する方法を提供する。これにより、微細加工により作製される梁を備えるメカニカル素子のＱ値を、素子の作製後に、照射レーザーの波長と強度の調節により、簡便に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に積層された素子を形成するための膜にクラックが伝搬する被害を抑えることができる素子ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上において加速度センサ２０が形成られた本願領域６の外周に、本番領域６を囲うように絶縁膜を凹状に成膜した凹部１０を設ける。凹部によってクラックが加速度センサ２０の部分に伝搬することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】可動イオンを含むガラス板とこれを挟む金属板とを容易に良好に陽極接合することができる陽極接合方法を提供する。
【解決手段】可動イオンを含むガラス板を金属板で挟む挟み工程と、前記ガラス板を前記金属板で挟んだ状態で加熱する加熱工程と、加熱した状態で、前記金属板の間に交流電圧を印加する印加工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ミラーの慣性モーメントをできるだけ減らしつつ、ミラーの剛性を維持して動撓みを抑制できる光偏向器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る光偏向器は、所定の軸に沿って回動可能に構成された、反射面を備えるミラー２と、ミラー２の反射面の裏面に形成された磁石配置用の窪み１４と、ミラー２の窪み１４に固定された磁石２２と、を有する。磁石２２は、磁石２２の側面に形成された接着剤２３によりミラー２に接合されていることが好ましい。 （もっと読む）

本発明に係るカバーは、マイクロシステムをカプセル化するために役立つ。カバーは、単数若しくは複数のカバーユニットを有するか、又は単数若しくは複数のカバーユニットからなり、少なくとも１つのカバーユニットは、変形によって形成される少なくとも１つの第１の凹部を有しており、第１の凹部は少なくとも部分的に、２５ｎｍ以下の二乗平均平方根粗さを有する少なくとも１つの光学窓により画成されている。さらに本発明の対象は、光学部品を製造する方法である。本発明に係る方法は、特に、ウエハレベルでのカプセル化を可能にする本発明に係るカバーを製造するためにも適している。
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【課題】半導体素子を複数に形成した半導体基板を半導体素子ごとに分割して個々の半導体装置を形成する際の分割の品質を低下させることなく、加工タクトを向上させる。
【解決手段】半導体基板１を、機能要素が構築された複数の半導体素子２が桝目状に形成され、前記複数の半導体素子２を個々に分離している縦方向および横方向の分離線４上に、各半導体素子２のコーナ部に対応する部分を除いて連続する溝３が形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】基板１２は、機能素子１１を有している。絶縁性の第１の膜１４は、基板１２とともに機能素子１１を収納するキャビティ１３を形成し、複数の貫通孔１４ａを有している。絶縁性の第２の膜１５は、複数の貫通孔１４ａの上面を塞いで第１の膜１４上に形成され、第１の膜１４よりガス透過率が大きい。絶縁性の第３の膜１６は、第２の膜１５上に形成され、第２の膜１５よりガス透過率が小さい。絶縁性の第４の膜１７は、第３の膜１６上に形成され、第３の膜１６より伸縮性が大きい。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータの動作精度を高めることを目的とする。
【解決手段】表面に穴１６を有する枠体１７と、穴１６の上方に配置された伝送電極部１８と、この伝送電極部１８の両端にそれぞれの一端が連結されるとともに、他端を枠体１７に支持された駆動部２０とを備え、この駆動部２０は、下部金属層２１と、この下部金属層２１上に形成された圧電膜２２と、この圧電膜２２上に形成された上部金属層と、この上部金属層２３上に積層された弾性樹脂層２４とを有するものとした。これにより本発明は、伝送電極部１８の傾きを抑制するとともにエッチング工程において表層が浸食されても、駆動部２０全体の変位量に与える影響を小さくすることができ、結果としてアクチュエータの動作精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】気密パッケージデバイス、および少なくとも１つのデバイスをウェハレベルで気密パッケージングするための方法を提供する。
【解決手段】（１）少なくとも部分的に形成されたデバイスを複数有する基板ウェハを用意する（１０２）ステップ、（２）基板ウェハ上の少なくとも部分的に形成されたデバイスのうちの異なるデバイスの周りに分離壁を形成する（１０４）ステップ、および（３）分離壁にキャップウェハをウェハボンディング（１０６）して、複数の気密パッケージを形成するステップ、によって、複数のデバイスがウェハレベルで気密パッケージングされる。 （もっと読む）