【課題】ＭＥＭＳデバイスを駆動させ、共振周波数の誤差を測定し、製造工程の寸法誤差を評価する方法を実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの評価方法は、基板２０の表面に形成される下部電極５０と、下部電極５０の表面に空間を有し、互いに平行、且つ対向する方向に延在される第１駆動腕６２と第２駆動腕６４を有し、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数を測定する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数から共振周波数の中央値を計算する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数と前記中央値との差を計算する工程と、を含み、この共振周波数の差から第１駆動腕６２及び第２駆動腕６４のずれ量を評価する。 （もっと読む）

【課題】クリープ現象による特性劣化を抑制するＭＥＭＳデバイスを実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板９上に設けられる電極１１，１２と、基板９上に設けられた第１及び第２のアンカー部によって、電極１１，１２上方に中空に支持され、電極１１，１２に向かって動く可動構造２と、アンカー部と可動構造２とを接続し、延性材料が用いられるばね構造と、アンカー部５２と上部電極２とを接続し、脆性材料が用いられるばね構造４５とを、具備する。 （もっと読む）

本発明は、マイクロメカニカル（ＭＥＭＳ）技術を用いて製造される制御可能なファブリー・ペロー干渉計に関する。先行技術におけるマイクロメカニカル干渉計は、著しく、赤外光の放射が減衰するといった欠点を有する。本発明の解決策において、少なくとも１つのミラーに間隙（１０４、１１４）があり、ミラー層の役割を担う。ミラーのその他の層は、多結晶質シリコンで作製され、赤外域において軽微な減衰を有する。また、干渉計の光学領域にある基板に孔（１２５）または凹部を具備することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路素子と機能素子とが同一基板上に絶縁膜を介して積層して形成される電気部品において、２つの素子間を結ぶ接続配線の信頼性を従来に比して高められる電気部品を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ１１に接続され、第１の絶縁膜２０上に形成される第１の配線２２Ａと、第１の配線２２Ａ上に形成される第２の絶縁膜３０を介して形成され、ＭＥＭＳ素子５０に接続される第２の配線３１と、第２の配線３１上を覆う第３と第４の絶縁膜４０，６０と、第２の配線３１と第１の配線２２Ａとを接続する接続配線７０とを備え、接続配線７０は、第２の配線３１の形成位置内で第４と第３の絶縁膜６０，４０を貫通する第１のビア７１と、第１の配線２２Ａの形成位置内で第４〜第２の絶縁膜６０，４０，２０を貫通するビア７０２と、第４の絶縁膜６０上で第１と第２のビア７０１，７０２とを結ぶ接続用配線７０３とが同一材料で一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】像内の不所望な強度最大値および／または強度最小値（スペックル）の発生を回避することができるマイクロメカニカル素子を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル素子が、第１の外面上に反射面を備えたミラー素子と、対向電極と、電圧制御装置とを有し、ミラー素子は、第１の外面とは反対方向に向けられているミラー素子の第２の外面上の第１の電極面に第１の電位が印加されるように構成されており、対向電極はミラー素子の第２の外面の近傍に配置されており、該対向電極の第２の電極面に第２の電位が印加されるように構成されており、電圧制御装置は第１のコンタクト素子を介してミラー素子の第１の電極面と接続されており、第２のコンタクト素子を介して対向電極の第２の電極面に接続されており、且つ、時間的に変化する電圧信号を第１の電極面と第２の電極面との間に印加するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造のマイクロバルブを提供する。
【解決手段】溝３が形成された主基板１にカバー基板１３が貼り合わされて流路が形成される。主基板１は第１主基板層１ａ、第２主基板層１ｂ、第３主基板層１ｃの積層構造をもつ。溝３に形成された弁体５は、第１主基板層１ａと同じ材料からなり、溝３の第１側壁３ａから突出し、第１側壁３ａに対向する第２側壁３ｂとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な上方から見た膜厚をもつ。溝３の底面３ｃと弁体５との間に第２主基板層１ｂが除去されて形成された空隙７が形成されている。弁体５の下流側の流体圧力が弁体５の上流側の流体圧力よりも大きい状態とき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく下流側へ移動する。それとは逆の流体圧力状態のとき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく上流側へ移動する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも開口率を増加させることができる光制御装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光通過部（８）を有する基板（２）と、基板に固定された櫛歯状の第１電極（３）と、第１電極と対向して移動可能に設けられた櫛歯状の第２電極（４）と、第２電極と共に移動し光通過部を遮蔽及び露出可能に設けられた遮蔽部材（５）と、第２電極及び遮蔽部材を移動可能に支持する梁部材（６，７）と、を備え、第１電極及び第２電極と、梁部材とが、基板上の異なる層（Ｌ１，Ｌ２）に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】水平駆動ミラーを形成すると共に、少なくとも１つの支持要素（２）、好ましくは２つ以上の支持要素を介してフレーム構造（３）に接続し、このフレーム構造に対して水平方向に動作するミラープレート（１）を含むマイクロメカニカルミラー構造であって、少なくとも１つの支持要素（２）、好ましくは全ての支持要素（２）とミラープレート（１）との接続領域（４）を、ミラープレートの外側縁（５）からミラープレートの中心（６）の方へと内側にオフセットさせて配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の共振周波数を有する共振器において、従来よりも小型化を図ることが可能な共振器およびその製造方法、ならびにそのような共振器を備えた発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】入力交流信号Ｓinが入力される入力端子を、複数の端子in３，in５，in７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックに対する入力交流信号Ｓinの入力経路を切り換える。また、出力交流信号Ｓoutが出力される出力端子を、複数の端子out３，out５，out７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックからの出力交流信号Ｓoutの出力経路を切り換える。これにより、単一構造の共振器１内において、電位差が生じる絶縁膜１１２の振動部１１内での位置に応じて、複数の共振周波数ｆｒ（複数の次数の共振モード）が励起される。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】中空のドーム構造内に可動素子が形成されたＭＥＭＳデバイスに、外部からの横揺れや衝撃が加えられた場合でも内部に配置された可動素子の破損を防止することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上にアンカー２２を介して形成され、第１の方向に伸長した振動子２１を有するＭＥＭＳ可動素子２０と、ＭＥＭＳ可動素子２０を覆うように基板１０上に設けられる、中空の薄膜ドーム構造の第２の絶縁膜４０と、基板１０上に設けられ、第２の絶縁膜４０の内側であって、ＭＥＭＳ可動素子２０の外側に設けられ、一部が振動子２１のON時の基板１０からの高さ位置とOFF時の基板１０からの高さ位置との間の高さ位置にある絶縁膜からなる立脚部３１と、備える。 （もっと読む）

安定的かつ音響的感度が高いマイクロフォン構造体を有する素子と、このようなマイクロフォン構造体を有する素子を簡単かつ低コストで製造する方法とを提供する。このマイクロフォン素子は、音響的に動作するダイヤフラム（１１）と、音響透過性であり固定された対向エレメント（１２）とを有する。前記ダイヤフラムは、マイクロフォンコンデンサの変位可能な電極として機能し、前記対向エレメントは、該マイクロフォンコンデンサの対向電極として機能する。さらに前記マイクロフォン構造体は、前記マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段を有する。前記ダイヤフラム（１１）は、前記素子の半導体基板（１）上のダイヤフラム層（３）で実現され、該半導体基板の裏面に設けられた音響空洞（１３）上に架かるように形成されている。前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム（１１）上の別の層（５）で実現されている。本発明では、前記別の層（５）が実質的に素子面全体にわたって延在し、該別の層（５）に応じて素子表面が十分に平坦になるように該別の層（５）は高低差を補償する。このことにより、ウェハ結合体において露出されたマイクロフォン構造体の層構成体上に膜を設けることができ、この膜により、本発明の複数の素子の分離を標準的なソーイング法で行うことができる。
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【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】
低コストで、かつ、大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを有する構造体の製造方法及び大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを形成するために用いられるエッチングマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング液による侵食から保護するとともに、熱変形、剥がれ、シリコンの割れおよび不完全な侵食防止という不良の改善、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができるシリコンデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第１工程(Ｓ１２０)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第２工程（Ｓ１３０）と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第３工程（Ｓ１４０）とを有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電膜の膜応力によるメンブレンの不均一な撓みが原因の圧電素子特性のばらつきを抑制し、圧電素子の感度や信頼性を向上させることが可能な圧電ＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電ＭＥＭＳ素子であって、基板の表面側に形成され、不純物がドープされており下部電極として機能する支持体１１１と、基板の裏面側に形成され支持体の下部に位置する裏面空洞１２１と、が設けられた基板１０１と、支持体１１１上に形成された圧電膜１１２と、圧電膜上に形成された上部電極１１３とを備える。支持体１１１は、少なくとも、第１の厚さを有する第１の支持体部分Ｍと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の支持体部分Ｂとを含む。 （もっと読む）