【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）

【課題】駆動電子素子作製プロセスや使用される基板の型に依存しないマイクロマシンデバイスを低いプロセス温度で製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法が開示され、この方法はアモルファス半導体材料の構造層１０１を形成する工程と、構造層１０１中に、第１領域１１１と第２領域１１２を規定する工程と、第１領域１１１の上に、第２領域１１２が露出された状態になるようシールド層を形成する工程と、構造層１０１の第２領域１１２を、第１フルーエンスのパルスレーザーを用いてアニールする工程と、その後に、シールド層を除去する工程と、構造層１０１の第１領域１１１および第２領域１１２を、第１フルーエンスより実質的に小さい第２フルーエンスを用いてアニールする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成する。
【解決手段】可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】パターニングされたウエハ上の制御された接合波を提供する。
【解決手段】二つの基板を接合する方法は、第一基板と第二基板との間に分離部材を配置する工程と、分離部材が第一基板と第二基板との間にある状態で、第一基板に圧力を加えて第一基板と第二基板との間に接合波を生じさせる工程と、分離部材を第一基板又は第二基板の中心から離れる方向に平行移動することにより、接合波の移動を制御する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電材料を用いたアクチュエータ素子におけるスティッキング（素子の貼り付き）を防止する。
【解決手段】電極対(33,26)に挟まれた圧電体（30）が接合された振動板(24)を含んだ可動部に対向してベース基板(10)が配置される。電極対(33,26)に駆動電圧が印加されることにより可動部がベース基板(10)に近づく方向に変位する。圧電体(30)の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性は電界に対して偏っており、電極対（33,26）に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、可動部がベース基板(10)から離れる方向に変位する。この逆方向の駆動により、素子の貼り付きを防止する。当該貼り付き防止駆動時の印加電界は、圧電体(30)の抗電界以下、好ましくは抗電界の１０〜８０％とする。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】基板と、基板に対して揺動する反射鏡とを備えた空間光変調器であって、反射鏡は、反射面と、反射面に交差する面を含み反射面の裏面に配されて反射面に対する曲げ応力に対抗する構造材とを有する。上記空間光変調器において、構造材は、面に更に交差する底面を有してもよい。また、上記空間光変調器において、構造材は、反射面と共に包囲した空間と、当該空間の外部との間を連通させる貫通孔を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】電極を有する基板と、基板に対して一端を固定されて弾性変形する基板側捩じり軸部と、基板側捩じり軸部の他端に支持され、静電力により電極に引き付けられて基板に対して揺動する可動部と可動部の一面と交差する面を有して可動部と一体的に配され、可動部に対する曲げ応力に対抗する構造材とを備える。上記電気機械変換器において、捩じり軸部は、可動部と一体をなしてもよい。また、上記電気機械変換器において、捩じり軸部の他端に支持され、静電力により基板上の電極に引き付けられて基板に対して揺動する枠体と、一端を枠体に固定され、他端において可動部を支持する枠側捩じり軸部とを更に備え、可動部は、枠体に対しても揺動してもよい。 （もっと読む）

【課題】製品として求められる目標精度に比べて梁の膜厚ばらつきに起因する共振周波数のばらつきが大きくても、目標精度内の共振周波数を有するＭＥＭＳ振動子が高い歩留りで得られるＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上に複数のＭＥＭＳ振動子３０ａ〜３０ｄを配置したＭＥＭＳ構造体であって、前記複数のＭＥＭＳ振動子それぞれは、梁構造を有しており、前記複数のＭＥＭＳ振動子は、それぞれの梁構造が異なることによって共振周波数が異なるＭＥＭＳ構造体である。 （もっと読む）

【課題】可動部を支持する可動梁に張力を生じさせ、沈み込みを防止することができる光偏向装置を提供する。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、一対の支持部と、一対の可動梁を備えている。可動部は、少なくとも１つの開口部を形成する枠形状を備えている。各々の支持部は、基板に固定されて基板から上方に伸びている。一対の支持部は、間隔を挟んで相互に離間しているとともに開口部内に配置されている。各々の可動梁は、対応する支持部と可動部の開口部の内周面とを接続している。一対の可動梁は、基板の表面に平行な同一直線上を伸びて、可動部を直線の周りに揺動可能に支持している。枠形状の可動部のうち、少なくとも間隔に沿って伸びる範囲に、基板よりも熱膨張係数が低い材料で形成されている低熱膨張部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス本体と封止層との静電容量結合が少なく、かつ短絡によるデバイスの故障がないマイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクスデバイスに含まれる封止されたキャビティ１５を作製する方法であって、少なくともキャビティが形成される位置に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に膜層１２を堆積させる工程と、膜層１２を少なくとも２つの分離された膜層ブロック１２１，１２２にパターニングする工程と、膜層１２に設けた孔１４を通して犠牲層を除去する工程と、膜層を酸化シリコン１６，アルミニウム層１７，ボンドパッド層１９で封止することによりキャビティ１５を封止する工程とを含み、膜層をパターニングする工程は、犠牲層の除去後に行われる。 （もっと読む）

【課題】高密度化されたＣＮＴ層作製時における島状の収縮の問題を解決し、高密度で均一な厚みを有する配向したＣＮＴ層を基板上に被着してなる高品質なＣＮＴ膜構造体を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板以外の基板と、前記基板上に位置及び／又は配向を制御して載置された重量密度が０．１ｇ／ｃｍ^３以上の高密度化処理カーボンナノチューブ膜とを備えることを特徴とするカーボンナノチューブ膜構造体。 （もっと読む）

【課題】圧電材料、焦電材料又は磁性材料から構成することも可能な表面層、埋め込み層、及び支持体又は支持体として機能する基層を含む種類の新規な構造体とそのような構造体の機械的補強手段を提供する。
【解決手段】表面層、少なくとも一つの埋め込み層、及び支持体から構成される半導体構造体の形成方法において、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】生分解性材料を被加工物として用いてドライエッチングにより得ることができる経皮ドラッグデリバリ用マイクロニードルの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウェーハ１０にポリ乳酸膜１２を形成し（ＳＴＥＰ１）、ポリ乳酸膜１２の上にＡｌ膜１４を形成し（ＳＴＥＰ２）、ＡＬ膜１４を加工してパターン化された加工マスク２０を得（ＳＴＥＰ５）、ドライエッチングによりポリ乳酸膜１２を加工してマイクロニードル２２を得る（ＳＴＥＰ６）。 （もっと読む）

【課題】圧電材料、焦電性材料、又は磁性材料から構成することも可能な表面層、埋め込み層、及び支持体又は支持体として機能する基層を含む新規な構造体とそのような構造体の機械的補強手段を提供する。
【解決手段】表面層、少なくとも一つの埋め込み層、及び支持体から構成される半導体構造体において、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップで製造される構造体。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さ方向への貫通部の形成に際し、その形成に要する時間の長期化を抑えつつ、該基板に亀裂が生じることを抑制可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法、及びこのＭＥＭＳデバイスの製造方法を実施する装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓの表面と裏面との間を貫通する貫通部が該基板Ｓの表面に照射されるエッチングプラズマによって形成することにより、ＭＥＭＳデバイスを製造する。上記貫通部を形成する際に、エッチングプラズマのエネルギーに応じて昇温される基板Ｓを該基板Ｓの裏面と該基板Ｓが載置されるトレイ２２が有する凹部２２ａとからなる冷媒空間に対して圧送される冷却媒体としてのヘリウムガスによって冷却した後に、基板Ｓの裏面に設けられた上記冷媒空間におけるヘリウムガスの圧力を上記エッチングプラズマのエネルギーと共に下げるようにする。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ表面に微細な櫛型の形状を有する構造体の製造方法、その構造体によって作製される樹脂成形用金型の製造方法を提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂より選ばれる少なくとも２種類以上の異なる樹脂１，２からなる積層構造体３を形成する工程と、前記積層構造体を切断し、前記２種類以上の異なる熱可塑性樹脂１，２が配列して露出した切断面を形成する工程と、前記切断面から前記積層構造体３を構成する熱可塑性樹脂の内の少なくとも１種類の樹脂を優先的に除去することで前記切断面上に櫛型の凹凸構造を形成する工程とを、含むことを特徴とする櫛型構造を有する樹脂構造体５の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】先ず、半導体基板に、圧力感応抵抗素子を形成した面とは反対側の面に位置させて、キャビティを形成する。次に、半導体基板のキャビティ側の面に、基板接合時にベース基板との間に隙間を生じさせる溝をダイシングストリートに沿って形成した後、鏡面加工を施す。この鏡面加工により、半導体基板の厚さがキャビティ側端部及び溝側端部よりも該端部の間に位置する中間部で大きくなる、湾曲形状の接合面を形成する。そして、この湾曲形状の接合面を介して半導体基板とベース基板を接合した後、これら基板をチップ単位にダイシングし、個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】３枚以上の基板を１枚の接合基板に高速に接合すること。
【解決手段】接合チャンバーの内部で上基板とその中間基板とを接合することにより、その第１接合基板を作製するステップＳ１２と、その接合チャンバーの内部にその第１接合基板が配置されているときに、その接合チャンバーの内部にその下基板を搬入するステップＳ１３と、その接合チャンバーの内部でその第１接合基板とその下基板とを接合することにより、第２接合基板を作製するステップＳ１４とを備えている。このような多層接合方法によれば、その上基板は、その中間基板に接合された後に、その接合チャンバーから取り出されることなしに、その下基板に接合されることができる。このため、その第２接合基板は、高速に作製されることができ、ローコストに作製されることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを駆動させ、共振周波数の誤差を測定し、製造工程の寸法誤差を評価する方法を実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの評価方法は、基板２０の表面に形成される下部電極５０と、下部電極５０の表面に空間を有し、互いに平行、且つ対向する方向に延在される第１駆動腕６２と第２駆動腕６４を有し、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数を測定する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数から共振周波数の中央値を計算する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数と前記中央値との差を計算する工程と、を含み、この共振周波数の差から第１駆動腕６２及び第２駆動腕６４のずれ量を評価する。 （もっと読む）