【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】ディスク下面に犠牲層の残渣が発生せず、きれいに除去されるようにする。
【解決手段】ディスク型の振動子構造体１と、該振動子構造体１の両側に前記ディスク型振動子構造体の外周部に対して所定の空隙ｇを有して、それぞれ対向して配置される一対の駆動電極２，２と、該駆動電極２，２に同相の交流バイアス電圧を印加する手段と、前記ディスク型振動子構造体１と前記駆動電極２，２との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段とを備えた静電駆動型のディスク型振動子において、前記ディスク型振動子構造体１がディスクの中心に貫通孔１ａを有し、ワイン・グラス・モードで振動される。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】可動部と支持基板の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造ないし修復において、歩留り、２次元アレイ化した素子の特性バラツキ等を改善することが出来る技術を提供する。
【解決手段】可動部１０３と支持基板１０１の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造方法及び修復方法おいて、スティッキング解消工程を実行する。スティッキング解消工程では、可動部１０２が支持基板１０１に張り付いてしまったマイクロデバイスを修復する為に、マイクロデバイスに熱及び衝撃の少なくとも一方を与えて可動部１０２の支持基板１０１への張り付き力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】加工対象物に均一なテクスチャー構造を転写する。
【解決手段】フォトリソグラフィにより、面方位が（００１）の単結晶シリコン基板１０の表面に、マトリックス状に配列された正方形が露出するように、網の目状にレジスト２０を形成する（ステップＳ３，Ｓ４）。次に、単結晶シリコン基板１０をエッチングする（ステップＳ５）。次に、溶剤を用いてレジスト２０を剥離する（ステップＳ６）。次に、単結晶シリコン基板１０の表面にダイヤモンドを成膜する（ステップＳ７）。次に、ダイヤモンド４０が成膜された単結晶シリコン基板１０からフッ硝酸を用いて単結晶シリコン基板１０を除去する（ステップＳ８）。次に、スパッタ法を用いてダイヤモンド４０の表面に白金を成膜し、型が完成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージングの前及び／又は後の何れかに関わらず、出力周波数が調整され、整調され、設定され、画定され、及び／又は選択されるマイクロ電気機械共振器を製作する方法の提供。
【解決手段】機械的構造１２の１つ又は複数の要素及び／又は梁１４ａ、１４ｂ（例えば、移動可能又は拡張可能な電極及び／又は周波数調整構造）を（選択又は非選択的方法で）抵抗加熱することによって、共振器の機械的構造１２の材料を変化させ、及び／又は共振器の機械的構造から材料を除去することにより、マイクロ電気機械共振器１０の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び／又は選択する。 （もっと読む）

【課題】基板内で高さの均一な複数の微小構造体を作製し、安定した接着性を実現する。
【解決手段】第１の基板１２Ａ上に、第１の高さｈ１を有する第１の構造体１４Ａと、これよりも高い第２の高さｈ２を有する第２の構造体１６Ａとが設けられ、第２の基板１２Ｂを第１の基板１２Ａに重ね、第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを高さ方向に収縮させ、当該第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを第１の構造体１４Ａ，１４Ｂにより規定される高さの構造体18に変形させた状態で、基板同士を接着する。第２の構造体１６Ａ，１６Ｂは、例えば、金属粒子を材料とするポーラス構造体である。第１の構造体１４Ａ，１４Ｂは、同じ押し圧による変形量が第２の構造体１６Ａ，１６Ｂよりも小さい材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。
【解決手段】カバー基板７１に設けた貫通孔７２にＣｕの貫通配線７５を設ける。カバー基板７１の表面において、貫通配線７５の端部にはＣｕ電極８２を設ける。Ｃｕ電極８２の表面は、Ｓｎの拡散係数が３×１０^−２３ｃｍ^２／sec以下である材料、例えばＴｉやＮｉからなる拡散防止膜８３でＣｕ電極８２の全体を覆う。さらに、拡散防止膜８３の上にＡｕからなる濡れ性改善層８４を設け、その上にＡｕ−Ｓｎ系はんだからなる接合用のはんだ層８５を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡素化が可能で、低電圧駆動による高ストローク出力が可能なアクチュエータを用いた乱流制御装置を提供する。
【解決手段】流体との境界面を形成する壁に設置される乱流制御装置であって、振動板(30)の面上に第１電極(40)、圧電体膜(44)及び第２電極(46)が積層されて成るダイアフラム型圧電アクチュエータ(20)群を備える。第１電極(40)及び第２電極(46)間への電圧印加により可動部(32)を変位せて流体との境界面を変形させることで、壁乱流を制御する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第２の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁ＴＳ１を有した基部電極１４ａを形成する工程と、基部電極１４ａが形成されていない領域から延びてテーパ側壁ＴＳ１の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁ＴＳ１と逆の方に傾斜するテーパ端面ＴＳ２を有する犠牲層ＢＧＰ０を形成する工程と、基部電極１４ａの上に、犠牲層ＢＧＰ０のテーパ端面ＴＳ２に当接するスペーサ１４ｂを形成する工程と、犠牲層ＢＧＰ０およびスペーサ１４ｂの上に可動電極１５を形成する工程と、可動電極１５を形成した後で犠牲層ＢＧＰ０を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って圧電特性の低下を抑制することができる圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０と、を具備する圧電素子３００の製造方法であって、第１電極６０上に圧電体層７０となる圧電体前駆体膜を形成する工程と、圧電体前駆体膜を加熱処理して結晶化させて圧電体膜からなる圧電体層７０を形成する工程と、圧電体層７０上にランタンニッケル酸化物を主成分とする金属酸化膜２００を形成する工程と、金属酸化膜２００が設けられた圧電体層７０を加熱処理するポストアニール工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造すること。
【解決手段】基板３上に配列させた金属柱２２を封止膜２３で被覆し、封止膜２３と金属柱２２の表面が略面一となるように研削して、封止膜２３の表面から金属柱２２の上端面２２ａを露出させる際、その上端面２２ａを研磨して鏡面加工を施し、光反射面２として形成することにより、マイクロミラーアレイ基板１Ａのミラー面に複数の光反射面２を一括して形成することを可能にした。 （もっと読む）

【課題】光の反射効率が高く、製造プロセスが簡便な空間光変調素子を提供する。
【解決手段】空間光変調素子の製造方法であって、電極が形成された電極側基板を準備するステップと、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、可動側基板の支持部を電極側基板に貼り合わせるステップとを備える製造方法が提供される。可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の問題を解決し、安全且つ効率的に一重項酸素を用いた反応を行うことができるマイクロ反応装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を、マイクロ流路８を有し、前記マイクロ流路８の内面にポーラスシリコンの層５が設けられた反応部２と、前記マイクロ流路８に酸素が溶存する原料液体を送り込む液体送り込み手段１３と、前記マイクロ流路８のポーラスシリコン層５に光を照射する光照射手段１２と、を備えたマイクロ反応装置により達成する。 （もっと読む）