【課題】圧電膜の膜応力によるメンブレンの不均一な撓みが原因の圧電素子特性のばらつきを抑制し、圧電素子の感度や信頼性を向上させることが可能な圧電ＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電ＭＥＭＳ素子であって、基板の表面側に形成され、不純物がドープされており下部電極として機能する支持体１１１と、基板の裏面側に形成され支持体の下部に位置する裏面空洞１２１と、が設けられた基板１０１と、支持体１１１上に形成された圧電膜１１２と、圧電膜上に形成された上部電極１１３とを備える。支持体１１１は、少なくとも、第１の厚さを有する第１の支持体部分Ｍと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の支持体部分Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程において損傷を受けにくい金属構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に第１金属薄膜４が形成される。第１金属薄膜４の一部の上に第１ポジレジストパターン５が形成される。第１ポジレジストパターン５の上に空隙７が設けられ、かつ空隙７から離れた位置に開口部が設けられるように、ネガレジストパターン６が形成される。ネガレジストパターン６の開口部を充填するように第１金属薄膜４の上にめっきを行なうことによって第１めっき膜８が形成される。ネガレジストパターン６および第１めっき膜８を覆う第２金属薄膜９が形成される。第２金属薄膜９の上に、開口部を有する第２ポジレジストパターン１０が形成される。第２ポジレジストパターン１０の開口部を充填するように第２金属薄膜９の上にめっきを行なうことによって、第２めっき膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】均一な膜を備えたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】膜によって覆われる凹部を有するＭＥＭＳベースデバイスに関する。凹部の上の膜は、高均一性のエピタキシャル層である層のスタックによって形成されているため、非常に均一である。ハンドル層等のスタックの不要な層は、所望の厚さの膜を達成するために、デバイスの完成前に除去される。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】電子ビームによる改質領域を縮小して微細なマスクを精密に形成可能にするとともに、当該マスクを利用して精密な三次元微細構造を作製できる三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、Ａｓ薄膜２と、Ｇａ₂Ｏ₃薄膜４と、Ａｓ薄膜５と、で構成される３層無機レジスト酸化膜１０を形成する。選択図の（ｆ）から（ｇ）に示す工程では、真空中で３層無機レジスト酸化膜１０の表面に照射した電子ビームによって、Ｇａ₂Ｏ₃薄膜４とＧａＡｓ基板１の表面の一部が密着し、熱耐性を有する改質マスク部１７が形成される。（ｈ）に示す工程では、Ａｓ薄膜２が昇華され、改質マスク部１７以外の部分のＧａ₂Ｏ₃薄膜４が脱離してＧａＡｓ基板１の表面が露出する。（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 （もっと読む）

【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機能素子の寸法を精度よく求めることができ、精度よく機能素子の周波数特性を推定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供すること。
【解決手段】 機能素子の寸法の測定方法は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３１および可動電極３２を有する機能素子３とを有する機能素子付き基板１に対し、機能素子３の寸法を測定する方法であって、固定電極３１の形成と同時に、固定電極３１と同様の方法で第１の検査用膜４１を形成する工程と、可動電極３２の形成と同時に、可動電極３２の形成と同様の方法で第２の検査用膜４２を形成する工程と、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とからなる検査体４の所定の部位の寸法を測定する工程と、測定の結果から、機能素子３の所定の部位の寸法を求める工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気信号により抵抗値を連続的に変化させることが可能な小型の可変抵抗を提供する。
【解決手段】 電極Ｂは電極Ｃと間隙を挟んで対向するように一端が固定されている。電極Ｃにおける電極Ｂとの対向面には複数の突起状の抵抗体ｒが面状に配列されている。電極Ｄは、電極Ｃとの間に絶縁層２０４を挟んで電極Ｃに固定されている。電極Ａは、電極Ｂとの間に絶縁層２０９を挟み、電極Ｄと対向している。電極ＡおよびＤ間には、制御電圧が与えられる。制御電圧を大きくすると、電極ＡおよびＤ間の吸引力が大きくなって電極Ｂが電極Ｃに向かって撓み、電極Ｂと電極Ｃの抵抗体ｒとの接触面積が増加し、電極ＢおよびＣ間の抵抗値が低下する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが容易で小型化可能、かつ、高い信頼性を有する中空封止構造を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に、この基板１と空隙９を介して形成され、穴１６が設けられた可動部１２と、基板１上に形成され、穴１６の内側を可動部１２に非接触に貫通する支柱１３と、支柱１３によって支持され、可動部１２上に可動部１２と空隙９を介して形成されたキャップ部７、８を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂からなる犠牲層を用いて構造体を形成する場合に発生する残渣を、より容易に除去できるようにする。
【解決手段】犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。例えば、密閉可能な所定の容器内に基板１０１を配置し、この容器にフッ化水素ガスを導入すれば、基板１０１の上に形成された下部電極１４１および上部電極構造体１７１などに付着している残渣１１１を、フッ化水素ガスに晒すことができる。これにより、フッ化水素を残渣１１１に作用させ、残渣１１１をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。 （もっと読む）

【課題】ポジタイプのインプリントを作るために使われるリソグラフィ技術を提供する。
【解決手段】
本発明は三次元のインプリントモールドを形成する装置であって、少なくとも、・基板であって、該基板の平面に垂直な少なくとも１つの部分を持つ少なくとも１つの交互層を有する、互いに対して選択的にエッチングされうる第１のタイプの材料と第２のタイプの材料の、基板と、・表面形態であって、少なくとも、ａ）前記形態のいずれかの側に配置された基板の表面に対する第１のレベルにその最上部が存在するような第１のパターンであって、これらの第１のパターンが第１のタイプの材料にあるもの、ｂ）および、基板の前記表面に対して少なくとも第２のレベルを持ち、第１のレベルとは異なり、かつそれより低い第２のパターンであって、これらの第２のパターンが第２のタイプの材料にあるもの、を有する表面形態と、を有する装置に関する。 （もっと読む）

【課題】小型化されたアクチュエーターを提供する。
【解決手段】本発明のアクチュエーター２００は、基板１８上に、いずれも櫛歯状を成し、互いの開放端側で対向する第１固定電極１１及び第２固定電極１２と、第１固定電極１１と第２固定電極１２との間に配置され、第１固定電極１１と第２固定電極１２との間を移動可能とされた平面視蛇行形状の可動電極１３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固定電極に対する可動電極（可動部）の形成位置に関わらず、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび電子装置を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３と、可動電極４とを有している。可動電極４は、可動部４２と、可動部４２を支持する支持部４１と、可動部４２と支持部４１とを連結する連結部４３を有している。また、可動部４２は、連結部４３を介して支持部４１に片持ち支持されるとともに、固定電極３と空隙を隔てて対向配置されている。このような可動電極４には、可動電極４から固定電極３の連結部４３側の縁部の少なくとも一部が露出するように、開口５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング中の基板表面のＶｐｐ（ＲＦバイアス電圧のピーク間電圧差）又はＶｄｃ（自己バイアス電圧）を正確に測定し、高精度加工を可能にするとともに、基板間の加工再現性を向上させる。
【解決手段】被エッチング材料の表面に保護膜により所定のマスクパターンが形成された基板(28)をチャンバ(12)内に配置し、チャンバ(12)内にプロセスガスを供給しながら、当該チャンバ内にプラズマを発生させ、マスクパターンの開口部分に対応する被エッチング材料をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程におけるエッチング処理中に、基板(28)のマスクパターンが形成されている面の被エッチング材料の表面に接触させた導電性部材(36)を介して当該基板表面の電圧を測定する電圧測定工程と、電圧測定工程の測定結果に基づいてエッチング条件を制御する制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加によって可動電極と固定電極との距離が変動しにくいＭＥＭＳチューナブルキャパシタを提供する。
【解決手段】デバイス１０は、基板の表面Ｐ上に形成された信号ライン１２と、これを挟む位置に２対またはそれ以上立設された柱状のアンカー２０と、信号ライン１２を挟む位置に立設された板状の固定電極１４と、アンカー２０から延設されたバネ１８で信号ライン１２上の空間に固定電極１４に挟まれるように懸架された板状の可動電極１６とからなる。アンカー２０は信号ライン１２の長手方向両端近傍で固定電極１４の外側位置に固定され、先端部には信号ライン１２を跨ぐようにバネ１８が設けられる。対になったアンカー２０から信号ライン１２を跨いで延設された一対のバネ１８は信号ライン１２の上の空間で信号ライン１２の長手方向に沿って設けられた可動電極１６を懸架し、可動電極１６は固定電極１４の中間に、これと平行に位置する。 （もっと読む）

【課題】光利用効率を向上させた光制御装置を提供すること。
【解決手段】基板５０と、基板５０の一面側に形成された第１の櫛歯電極１０と、第１の櫛歯電極１０に対して噛み合うように進退可能に形成された第２の櫛歯電極２０と、基板５０に形成され、少なくとも第２の櫛歯電極２０の移動領域に開口する貫通孔５５と、を有する光制御装置１００とした。 （もっと読む）

【課題】接合材の熱収縮によるマイクロミラーチップの平面度の低下が低減されたマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、マイクロミラーチップ１１０と、電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０および電極基板１３０を保持している基板保持部材１７０とを有している。マイクロミラーチップ１１０は可動ミラー部１１２を備えている。電極基板１３０は、マイクロミラーチップ１１０から間隔を置いてマイクロミラーチップ１１０に対向して配置されている。基板保持部材１７０は、マイクロミラーチップ１１０の側面および電極基板１３０の側面と機械的および電気的に接合された二つの板状部材１７２で構成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直オフセット構造体を構成する代替方法を提供すること。
【解決手段】実施形態は、第１および第２の端部分（１３、１４）、第１および第２の端部分を連結する中間部分（７０）、ならびに上側および下側の表面（４８、１５）を有する柔軟な層（１２）を形成することを含む。中間部分における上側と下側の表面間の距離は、第１および第２の端部分における上側と下側の表面間の距離よりも小さい。第１の端部分は、基部部材（４４）に接合される。柔軟な層の第２の端部分は、第２の端部分が基部部材と接するまでたわまされる。第２の端部分は、基部部材に接合される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）