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Fターム[3K107GG00]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | 製造方法、装置 (15,131)

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【課題】電子デバイスを形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造途中で電子デバイスの検査を行なうことのできる電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置を提供すること。
【解決手段】有機EL装置を製造する際、真空雰囲気の検査室101内で、封止前の有機EL装置1Bの検査用有機EL素子4R、4G、4Bの陽極端子41R、41G、41Bおよび陰極端子42に電極102r、102g、102b、102dを接触させて有機EL素子3の検査を行い、良品のみに封止処理を行う。 (もっと読む)


【課題】線状レーザビームの照射により結晶化される半導体膜の結晶粒の面方位を揃える。また、結晶粒の面方位が揃った結晶性半導体を高い歩留まりで作製する。
【解決手段】基板上に、下地の絶縁膜、半導体膜及びキャップ膜を形成する。連続発振レーザなどのレーザから発振されるレーザビームを非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより幅が5μm以下の線状のレーザビームに集光する。この線状レーザビームを照射して半導体膜を完全溶融させ、かつ線状レーザビームを走査することで、完全溶融した半導体膜をラテラル成長させる。線状ビームの幅が5μm以下と非常に細いため、液体状態となっている半導体の幅も狭くなり、液体状態の半導体に乱流が発生することが抑制される。このため、隣り合う結晶粒の成長方向が乱流で乱れることなく、均一化されるため、ラテラル成長した結晶粒の面方位を揃えることができる。 (もっと読む)


【課題】発光素子間の輝度の均一性を具備した有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。また、電気特性に優れた、プリンタヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、画素電極23と陰極7との間に挟持された有機層4を有する発光素子2と、この発光素子2が複数配列されてなる画素領域10と、この画素領域10を区画する共通バンク8とを備える有機EL装置100において、共通バンク8と画素領域10との間に有機層4の形成材料が収容される液溜まり部9が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光強度が大きく、しかも、半値幅の狭い発光波長を得ることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子30は、基体31上に形成された発光層40を備え、発光層40は、量子ドット41、並びに、該量子ドット41の表面に付着し、及び/又は、該量子ドット41の内部に含まれた希土類原子43から成る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、膜全体において、その各部分の厚さが均一な機能膜を形成することができる、膜形成方法、発光装置の製造方法、及び有機EL装置の製造方法、並びに均一な膜厚を有する機能膜を備えた発光装置、及び有機EL装置を提供する。
【解決手段】本発明による膜形成方法は、平板状の部材の上に、機能膜形成領域と、機能膜形成領域に隣接した位置に液状材料を配置するための液溜領域と、を設定する領域設定工程と、機能膜形成領域を囲み、部材の面に略垂直な方向において機能膜形成領域より突出したバンクを形成する、バンク形成工程と、機能膜形成領域と、液溜領域とに、機能膜の材料を含有する液状材料を配置する液状材料配置工程と、配置された液状材料を乾燥させて機能膜を形成する乾燥成膜工程と、を有する。発光装置の製造方法、及び有機EL装置の製造方法は、当該膜形成方法を用いて、発光装置又は有機EL装置を構成する機能膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】レンズアレイと発光素子との間隔を十分に狭くすること、および信頼性を十分に高くすることを共に達成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、複数の発光素子14が配列された素子基板20と、板状の封止体30を備える。封止体30は、複数のレンズ32が配列されたレンズアレイを有するとともに、素子基板20と協働して複数の発光素子14を封止する。素子基板14と封止体30は、内部に発光素子14が配置された封止空洞28を画定する。封止体30には、水分と酸素の少なくとも一方を吸着する吸着剤39を配置するための凹部35が形成されており、凹部35は封止空洞28に通じている。 (もっと読む)


【課題】レーザアニール処理にあたり、レーザ光のエネルギー利用効率の向上を図りつつ、製造装置構成や制御処理手順等の複雑化を招くことなく、面内均一な多結晶化を実現できるようにする。
【解決手段】非晶質シリコン膜からなる第1層14と、ゲート膜となる第2層12とが、絶縁膜13を介して積層されてなる積層構造を、前記第2層12を基板11側にして当該基板11上に形成する工程と、前記第1層14に吸収され当該第1層14を非結晶状態から多結晶状態に改質する第1の波長のレーザ光と、前記第1層14および前記絶縁膜13を透過して前記第2層12に吸収され当該第2層12を加熱する第2の波長のレーザ光とを、前記第1層14の側から照射する工程とを経て、半導体装置10を製造する。 (もっと読む)


【課題】レンズアレイと発光素子との間隔を十分に狭くすること、および信頼性を十分に高くすることを共に達成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、複数の発光素子14が配列された素子基板20と、板状の封止体30を備える。封止体30は、複数のレンズ32が配列されたレンズアレイを有するとともに、素子基板20と協働して複数の発光素子14を封止する。素子基板14と封止体30との間には、発光素子14とレンズ32の距離を維持するスペーサ34が配置されている。スペーサ34には複数の封止空洞38が形成されており、各封止空洞38には少なくとも一つのレンズ32が重なっているとともに、各封止空洞38内にはこのレンズ32に重なった発光素子14が配置されている。 (もっと読む)


【課題】効率のよいフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】陽極と陰極との間に、電流を流すことで発光する1番目からn番目(nは2以上の整数)の機能性有機薄膜層と、1番目からk番目(kは1≦k≦(n−1)の整数)の導電体薄膜層と有するエレクトロルミネッセンス素子を提供する。このエレクトロルミネッセンス素子において、機能性有機薄膜層と、導電体薄膜層とは交互に設けられている。また、1番目の機能性有機薄膜層は陽極に接し、前記n番目の機能性有機薄膜層は陰極に接している。導電体薄膜層は、クラスター状であり、P型半導体とルイス酸とを含む第1の層と、第1の層よりも陽極側に設けられ、N型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含む第2の層とを有する。 (もっと読む)


【課題】平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板の一方の面に発光素子を備える発光部を複数個形成する段階と、第2基板を準備する段階と、第1基板または第2基板の一方の面にガラスフリットを形成する段階と、第1基板と第2基板との間に、ガラスフリットが介在された状態で、第1基板と第2基板とを対向配置する段階と、第1強度のレーザを照射し、ガラスフリットを溶かし、ガラスフリットにより第1基板と第2基板とを接合する段階と、第1強度のレーザが照射された領域に第2強度のレーザを照射し、第1基板または第2基板をアニーリングする段階とを含む平板表示装置の製造方法である。これにより、レーザでガラスフリットを溶かして基板と密封部材とを接合する平板表示装置の製造方法において、レーザによる切断面不良を最小化できる平板表示装置の製造方法を提供することが可能である。 (もっと読む)


【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマCVD法により作製された希ガス元素を1×1020/cm〜1×1021/cmで含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。また、プラズマCVD法により作製された希ガス元素を1×1020/cm〜1×1021/cmで含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、プラズマCVD法により作製された希ガス元素を1×1020/cm〜1×1021/cmで含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】リブを形成する際の工程数を増加させることなく、機械的強度に優れたリブを有し、リブが充填剤の充填に悪影響を与えない色変換基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、カラーフィルタ基板および色変換フィルタ基板に関する。カラーフィルタ基板は、透明基板と、該透明基板上において格子状に設けられたブラックマトリックスと、該透明基板上において、ブラックマトリックスの第1の方向に沿って設けられた複数のカラーフィルタ層を少なくとも含み、該カラーフィルタ層の端部の一部が第1および第2の方向のブラックマトリックスの格子点領域または該格子点領域以外の第1の方向のブラックマトリックスの領域で重なるように延在している。色変換フィルタ基板は、色変換層をさらに含み、カラーフィルタ層に代えて色変換層の端部の一部が重なるように延在している。 (もっと読む)


【課題】初期的な仕事関数を大きくでき、かつ、かかる大きな仕事関数を長期間にわたって維持することのできる透明導電膜の製造方法、この透明導電膜を陽極として用いた有機EL装置の製造方法、およびかかる透明導電膜の製造に適したプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】有機EL装置を製造するにあたっては、素子基板2にITO膜からなる画素電極4を形成した後、画素電極4に対する表面改質工程を行う。表面改質工程では、酸素を含むガスを用いてプラズマ処理装置100の真空チャンバ101内に酸素プラズマを発生させ、画素電極4に酸素イオン(O-)を照射する酸素イオン照射工程と、画素電極4に酸素ラジカル(O*)を照射する酸素ラジカル照射工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】プラスチックフィルム上に所望の有機TFT素子が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、信頼性の高い高性能な有機TFT素子を有するフレキシブルTFT基板を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム20の上に、接着層46と、下側絶縁層44と、有機活性層38a、38b、ソース電極36a、36x、ドレイン電極36b、36y、ゲート絶縁層34及びゲート電極32a、32bから構成されて下側絶縁層44に埋設されたTFT5,6とが順に形成されて構成され、TFT5,6のゲート絶縁層34は、ゲート電極32a,32bを構成する金属パターン層(タンタルパターン層)の表層部が陽極酸化されて得られた金属酸化層(タンタル酸化層)からなる。 (もっと読む)


【課題】光学的性能が良く、両面のレンズ面の光軸ずれが小さい有機ELラインヘッド等に用いるマイクロレンズアレイの製造方法。
【解決手段】 マイクロレンズアレイのそれぞれのレンズ面に対応する型面92、94を持つ金型82、84に光硬化性樹脂76を注入し、その上にそれぞれの透明基板71、73を載せ、その金型に設けられた位置決め手段を用いて透明基板を位置決めし、透明基板71、73側から光照射して光硬化性樹脂76、76’を硬化させることにより2つのレンズアレイ61 、62 を成形し、2つのレンズアレイ61 、62 をそれぞれの成形の際の位置決めに用いた位置決め部を用いて相互に位置合わせして一体化することでマイクロレンズアレイを作製する。 (もっと読む)


【課題】一対の電極間に挟持される有機EL層を備え、有機EL層中に少なくとも有機発光層と色変換層を有する有機EL素子であって、所望の波長分布を達成するのに十分な色変換能を有すると同時に、高いキャリア輸送特性を有する薄膜の色変換層を備える有機EL素子を提供することである。
【解決手段】有機EL層が有機発光層としてキャリア再結合層を、色変換層としてキャリア非結合層を含み、キャリア再結合層はエレクトロルミネッセンス光を発光し、キャリア非結合層は、エレクトロルミネッセンス光を吸収し、より低エネルギーのフォトルミネッセンス光を発する色変換色素を1種または複数種含む光変換材料部と、この非結合層中に分散し、非結合層の厚さ方向に伸びるナノスケールの線状導電体とを含む有機EL素子とする。 (もっと読む)


【課題】防塵性に優れ、干渉ムラの発生が抑制され、他の性能にも優れた光学フィルムを提供すること。更には高硬度で耐擦傷性に優れた光学フィルムを提供すること。また、更にはそのような光学フィルムを用いた偏光板やディスプレイ装置を提供すること。
【解決手段】支持体上に、導電性粒子を含有する帯電防止層と、該帯電防止層に隣設された少なくとも1層の隣設層とを有し、両層の間に両層の屈折率の中間の屈折率をもつ層領域が存在し、該層領域が芳香族基を有するバインダーまたは導電性粒子とは別の屈折率1.55以上の無機微粒子を含有する光学フィルム。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィー法を用いて有機EL層をパターニングする有機EL素子の製造方法であって、欠陥がなく、安定性、信頼性の高い有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第1電極層が形成された基板上に、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像するフォトレジスト層パターニング工程と、フォトレジスト層が除去された部分の、前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去する有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、パターニングされたフォトレジスト層をオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、残存するフォトレジスト層を剥離液によって剥離する剥離工程と、前記剥離工程後に露出した有機エレクトロルミネッセンス層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、発光層413と、これを挟む一対の電極408、413と、一対の電極408、413を介して発光層413を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極410、ゲート電極406、及び活性層409を有するTFTと、マトリックス配線部を構成する走査電極線407、信号電極線403、第1の絶縁層404とを有する。活性層409は、少なくとも一部が非晶質であるInとZnとを含む酸化物からなる。活性層409と第1の絶縁層404との間に、含有水素量が3×1021(atoms/cm)未満である第2の絶縁層408を有する。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも部分的に透明な担体箔、半透明反射層、さらなる少なくとも部分的に透明な箔、エレクトロルミネッセンス要素および保護層またはさらなる箔から構成される箔要素、該箔要素の製造方法、本発明の箔要素のアイソタティック高圧変形によって製造し得る三次元変形箔要素、本発明の三次元変形箔要素の製造方法、並びに、陸上車、船舶および航空機のための装飾パネルまたはカバーまたはディスプレイ要素を形成するための、陸上車、船舶および航空機における安全ベルトパネルまたは警告表示パネル、および建築物における警告表示パネルを形成するための、および移動式および固定式電子機器のためのハウジング要素を形成するための、およびキーボードを形成するための、本発明の箔要素および本発明の三次元変形箔要素の使用に関する。 (もっと読む)


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