【課題】熱応力の分布を適正化することにより、割断面が割断予定線から外れることなく、良好な割断面を得られるような脆性材料割断装置および脆性材料割断方法を提供する。
【解決手段】
脆性材料に想定された割断予定線に対して、その割断予定線の端部位置に形成された初亀裂の側から前記割断予定線に沿って加熱した後冷却して、その加熱および冷却する位置を前記脆性材料に対して相対的に移動させて割断する脆性材料の割断装置であって、割断予定線に沿って幅広く形成される弱加熱領域を形成する第１レーザビーム照射手段と、割断予定線上に弱加熱領域よりも強く加熱される強加熱領域を形成する第２レーザビーム照射手段と、割断予定線上の位置に冷媒を噴射して局所的に冷却する冷却手段とを備え、冷却手段は、脆性材料の移動に伴い弱加熱領域による加熱と強加熱領域による加熱とが重ね合わされて形成される重層加熱領域を冷却する。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いた脆性材料基板の割断方法において、割断予定線の終端まで垂直亀裂を進展させる。
【解決手段】脆性材料基板の一方面の、割断予定線の割断開始端に初期亀裂を形成する工程と、前記初期亀裂から前記割断予定線に沿ってレーザビームを相対移動させながら照射して、前記基板を溶融温度未満で加熱した直後に、冷却媒体によって冷却し、これにより前記基板に熱応力を生じさせて、前記割断予定線に沿って前記初期亀裂を進展させて、前記基板の裏面に達する垂直亀裂を形成する工程とを有する。そして、前記レーザビームによる加熱条件及び冷却媒体による冷却条件の少なくとも一方を、前記初期亀裂を進展させる工程の途中で変化させて、前記基板の裏面に達しない垂直亀裂を形成する。 （もっと読む）

【課題】チッピングの発生防止とコンパクトパッケージの要求を両立させる接着剤付きの薄膜で小さい半導体チップの製造方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）予め半導体ウエハ基板表面の貫通部相当部位に、半導体ウエハの最終製品厚さ程度に又はそれより深く溝切り加工する工程と、（ｂ）溝切り加工された半導体ウエハ基板表面に保護用粘着テープを貼合する工程と、（ｃ）予め溝切り加工された部位が貫通する厚さまで半導体ウエハ基板を薄膜化する工程と、（ｄ）半導体ウエハ基板の裏面研削加工終了後に当該保護用粘着テープを貼り合わせたまま、半導体ウエハ基板の裏面にダイボンドシートを貼り合せる工程と、（ｅ）前記半導体ウエハの貫通部に沿って、当該ダイボンドシートにレーザーを照射して切断する工程とを有する、接着剤付き半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化・複雑化を招くことなく、マイクロクラックやカレット等の発生を最小限に抑えながら、脆性材料基板を割断する方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板１の一方面の、割断予定線１１の割断開始端Ａｓにカッターホイール２で初期亀裂３１を形成する。次に、ガラス基板１の初期亀裂３１を形成した面と反対側面の、初期亀裂３１と対向する部分をブレークローラー４で押圧し、初期亀裂３１を基板厚み方向に進展させて、反対側面に至る初期貫通亀裂３２とする。そして、初期貫通亀裂３２から割断予定線１１に沿ってレーザビーム５１を相対移動させながら照射して、ガラス基板１を溶融温度未満で加熱し、これにより基板に生じた熱応力によって、初期貫通亀裂３２を割断予定線１１に沿って進展させて、ガラス基板１を割断予定線１１で割断する。 （もっと読む）

【課題】半導体に悪影響を及ぼしたり、半導体ウェーハの獲得が困難になるのを抑制し、製造装置を簡素化できる半導体ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】回転ステージ１１に半導体ウェーハ１を搭載してその隅の面取り部２を回転ステージ１１の回転軸１４に接近させ、Ｘ方向移動ステージ１５を移動させて集光レンズ２３の光軸２７を半導体ウェーハ１の表面周縁部側に位置させ、半導体ウェーハ内に集光点を形成できるようレーザ照射装置２０を調整し、集光点の線速度が一定になるよう回転ステージ１１を回転させるとともに、レーザ光線２１を照射し、Ｘ方向移動ステージ１５を移動させてレーザ光線２１を回転ステージ１１が所定の回転角で回転する度に半導体ウェーハ１の表面周縁部側から面取り部２方向に移動させる。その後、回転軸１４と集光レンズ２３の光軸２７が所定の距離に達した場合にレーザ照射を停止して中間品を形成する。 （もっと読む）

【課題】 所望の形状に加工領域を形成することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 シリンドリカルレンズ４は、レーザ光Ｌ１をＹ軸方向（ＹＺ平面内）において発散させ、Ｘ軸方向（ＺＸ平面内）において発散及び収束させない。そして、対物レンズ５は、シリンドリカルレンズ４から出射されたレーザ光Ｌ１をＹ軸方向において点Ｐ１に収束させ、Ｘ軸方向において点Ｐ２に収束させる。これにより、レーザ光Ｌ１の断面形状は、点Ｐ１でＸ軸方向に延びる長尺形状となり、点Ｐ２でＹ軸方向に延びる長尺形状となる。そのため、点Ｐ１，Ｐ２を加工対象物Ｓの内部に位置させることで、加工対象物Ｓの内部において点Ｐ１が位置させられた部分に、Ｘ軸方向に延びる長尺形状の加工領域を形成することができ、点Ｐ２が位置させられた部分に、Ｙ軸方向に延びる長尺形状の加工領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー光照射による改質現象を用いた電子部品の製造方法における加工精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、要切断部１２Ａに沿って高さ認識用マーカー１４を形成する第１の工程と、少なくとも高さ認識用マーカー１４形成部に光を照射し、高さ認識用マーカー１４形成部からの反射光の強度から高さ認識用マーカー１４形成部の高さ情報を算出し記憶する第２の工程と、記憶された高さ認識用マーカー１４形成部の高さ情報を用いてレーザー光の焦点距離を調整し、媒質１２の要切断部１２Ａにレーザー光を照射して要切断部１２Ａを改質させる第３の工程とを有し、レーザー可動ライン１１における高さ認識用マーカー非形成部１４Ｂにおいてはレーザー可動ラインにおいて高さ認識用マーカー非形成部１４Ｂの次に照射される高さ認識用マーカー形成部１４Ａの高さ情報を用いてレーザー光の焦点距離を事前調整しておくものである。 （もっと読む）

約１ｍｍ以下の厚さを有する脆性材料シートを分割する方法が開示される。一旦最初のひびすなわちクラックが生成されると、シートの表面近傍で略吸収されるレーザビームを用いて全厚クラックを脆性材料のある範囲に亘って伝播させ、分割シートを生成することができる。いくつかの実施形態では、シートを分割するためにレーザビームをシート表面上に１回のみ通過させることを必要とする。他の実施形態では、複数回の通過を用いてもよい。分割シートをさらに加工し、分割シート上に薄膜材料を堆積させて電子装置としてもよい。
（もっと読む）

【課題】開先加工を含まないＮＣ制御データをもとに、開先加工を含むＮＣ制御データを容易に作成できる数値制御データ作成装置を提供する。
【解決手段】数値制御データ作成装置１００は、レーザ加工用の数値制御データが入力されるデータ入力部１と、数値制御データによる加工経路を表示する表示部３と、表示部３に表示された加工経路において、開先加工箇所を選択し、その開先加工箇所における開先条件を入力するための操作入力部４と、加工条件を記憶している記憶部５と、操作入力部４により選択された開先加工箇所の形状を認識する形状認識部１２と、認識された開先加工箇所の形状および開先条件に対応する加工条件を記憶部５から選択し、その加工条件を用いて加工するように、数値制御データを変換するデータ変換部１３とを備えている。 （もっと読む）

脆弱材料を切断する方法が提供される。この方法は、脆弱材料を第１部分と第２部分に分離するよう、この脆弱材料を分離経路に沿って加熱するステップを含む。少なくとも第１部分は、分離経路に沿って延在する第１熱影響区域を含む。この方法は、分離経路から第１距離広がった第１分割経路に沿って、第１熱影響区域の少なくとも１部を第１部分の残部から自然発生的に分割するステップをさらに含む。この自然発生的な分割は、脆弱材料を加熱するステップの結果として起こる。
（もっと読む）

【課題】シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供する。
【解決手段】ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップＳ１と、極細同軸線の長手方向複数箇所において露出したシールド導体４の円周方向の一部を切断するステップＳ２と、端末から最も遠い端末処理箇所から端末側のジャケット５及びシールド導体４を引き抜き、内部絶縁体３を露出させるステップＳ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の反りを抑制することができるレーザ加工方法を提供する
【解決手段】加工対象物１の内部に集光点を合わせ、切断予定ライン５ａに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより改質領域７ａを形成する。その後、切断予定ライン５ａに沿ってレーザ光Ｌを再度照射することにより、加工対象物１において表面３と第１改質領域７ａとの間に改質領域７ｂを形成すると共に、改質領域７ｂから表面３に至る亀裂Ｃｂを発生させる。従って、加工対象物１において改質領域７ａを形成する際に生じる反る力Ｆ１を、亀裂Ｃｂによって解放して相殺することができる。 （もっと読む）

【課題】品質を低下させることなく、第１の半導体デバイスの裏面に第２の半導体デバイスを接合して構成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数の第１のデバイスが形成されたウエーハ２の裏面を研削する裏面研削工程と、ウエーハ２の裏面に第２の半導体デバイス２２０を接合し積層ウエーハ２２２を形成するデバイス接合工程と、ウエーハ２の複数のデバイスを区画するストリート２３に沿ってレーザー光線を照射する積層体除去工程と、ウエーハ２の表面２ａをフレームに装着されたダイシングテープＴに貼着するウエーハ支持工程と、ウエーハ２の基板の裏面側からストリート２３に沿って加工し、第１の半導体デバイスの裏面に第２の半導体デバイス２２０が接合された個々の半導体装置に分離するウエーハ分割工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）及び繊維強化金属（ＦＲＭ）の切断、穴あけ、溶接、曲げ加工、表面処理などのレーザ加工方法の提供。
【解決手段】材料の加熱・溶融・蒸発が可能かつ、材料内部への熱伝達はほとんどなく、熱歪みも生じにくい。１０ピコ秒から１００ナノ秒のパルス幅を持った超短パルスで、１ｍＪから５００Ｊのパルスエネルギーを持った固体レーザを用いて二重レーザ加工、カスケード加工を行うことで、さらに良好な加工面が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱間プレスされた鋼板に、溶接脚を備えた締結部材をばらつくこと無く直接固定できる締結部材の固定方法を提供する。
【解決手段】ワークＷの六角ナット（締結部材）が固定される被固定部１３ａを加熱処理し、被固定部１３ａの硬度を所定値に低下させる焼鈍工程と、被固定部１３ａに各溶接突起部（溶接脚）を載置し、六角ナットを被固定部１３ａに固定する抵抗溶接工程とを有する。したがって、被固定部１３ａの硬度を低下させて六角ナットの硬度に近付けた状態で抵抗溶接を行うことができる。六角ナットの各溶接突起部が潰れるのを抑えて抵抗溶接を安定して行うことができるので、各溶接突起部を備えた六角ナットをばらつくこと無く被固定部１３ａに直接固定できる。 （もっと読む）

【課題】薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供することにある。
【解決手段】集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体形成し、これをダイシングして、ＩＣチップに個片化する際に、少なくとも補強板のダイシングにレーザを用いる。 （もっと読む）

【課題】サファイアを切断予定ラインに沿って高精度かつ高速に切断することができるレーザ切断方法を提供すること。
【解決手段】集光位置におけるレーザ強度が０.５〜５００ＰＷ／ｃｍ^２の範囲内となるように、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射する。照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿ってサファイア内を光軸方向に伝播し、サファイア内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションの影響を受けないで半導体ウェハーを簡単に切断するレーザ切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェハー１の回路を形成した面にバックグラインドテープ２を接着する工程と、バックグラインドテープ２を接着していない面からレーザビーム６を照射して切断する工程と、ダイシングテープ７ａで保持した半導体ウェハー１からバックグラインドテープ２を剥離する工程を備えていて、これにより、コーティングと洗浄工程が省略でき、かつコンタミネーションから保護された半導体ウェハーの切断が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の厚み方向に深さを変えて複数回改質領域を形成するにあたり、形成される改質領域が切断予定線からずれるのを抑制することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】基板１０をチップに切断するレーザ加工方法であって、レーザ光が切断予定線２１ａに沿って基板１０のＸ方向に走査する第１走査（ａ）と、切断予定線２１ｂに沿ってＹ方向に走査する第２走査（ｂ）とで、レーザ光が入射する面から基板１０内の深い距離ｄ１に改質領域を形成する。再び、レーザ光が切断予定線２１ａに沿って基板１０をＸ方向に走査する第３走査（ｃ）と、切断予定線２１ｂに沿ってＹ方向に走査する第４走査（ｄ）とで、レーザ光が入射する面から基板１０内の浅い距離ｄ２（ｄ１＞ｄ２）に改質領域を形成する。なお、第３走査（ｃ）は、外周のＵ端部から中央部に向かう走査と、外周のＤ端部から中央部に向かう走査とで行う。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを用いた割断方法にて、十分にレーザ移動速度を維持しながら、安定した割断工程を実現することができる。
【解決手段】本発明の割断方法は、脆性材料からなる基板にレーザを照射して前記基板を割断する割断方法において、基板上にレーザを照射して基板を加熱する工程と、照射した領域を冷却する工程と、照射する領域と冷却する領域とを直線的に走査する工程と、照射および冷却した領域の一部に力を加圧する工程とを有し、照射する時間と、冷却する時間との差Ｔ（ｓ）が、レーザ出力Ｐ（Ｗ）、レーザビーム移動速度ｖ（ｍｍ／ｓ）、レーザビーム照射面積Ｓ（ｍｍ²）、基板厚ｔ（ｍｍ）、係数ｋ、係数ｈを用いて、Ｔ＝ｖＳ（０．１ｔ−ｈ）／ｋＰで表せることを特徴とする。 （もっと読む）