【課題】高速加工が可能で、且つ、特別な装置を用いずに切断部周辺の熱影響幅を小さくするレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合材料部材２の切断・穴あけ加工方法は、許容する熱影響部７の幅を定義し、レーザ光３を照射した際に熱影響部の外周８における温度が所定値以下となるよう複合材料部材２の比熱及び密度を用いた熱伝導方程式に基づき、レーザ光３の加工速度及び前記レーザ光３の出力を設定する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明な透明部材を、ステージに載置された被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、透明部材を被加工面に隣り合わせて配置した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにステージを移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工と切削加工とを行うことができる加工装置において、レーザー加工を行う機構を効率よく稼動させて生産性を向上させる。
【解決手段】ワークを保持する保持手段２と保持手段２に保持されたワークを切削加工する切削加工手段３と保持手段２に保持されたワークにレーザー光線を照射して加工するレーザー加工手段４とを備える加工装置１において、保持手段２は第一の保持テーブル２ａと第二の保持テーブル２ｂとを備え、切削手段３は、第一の切削ブレード３０ａと第一の切削ブレード３０ａに切削水を供給する第一の切削水供給手段３２ｂとを備えた第一の切削加工部３ａと、第二の切削ブレード３０ｂと第二の切削ブレード３０ｂに切削水を供給する第二の切削水供給手段３２ｂとを備えた第二の切削加工部３ｂとを有し、レーザー加工手段４は、レーザー光線を発振する発振器と発振器から発振されたレーザー光線を集光する加工ヘッド４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射し、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板１１の基板表面１１ａに近い側から遠い側（基板裏面１１ｂに遠い側から近い側）に向けて順番に、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成される改質領域の位置ずれを抑制する
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、ｙ方向に向かう第３改質領域Ｌ３、ｘ方向に向かう第４改質領域Ｌ４を、第１改質領域Ｌ１〜第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、改質領域群を構成する第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】要求される品質に応じて分割力を高めることができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】半値幅と裾幅とが互いに等しいパルス波形を有するレーザ光Ｌを加工対象物に照射することで、切断予定ラインに沿って改質スポットを加工対象物内に複数形成し、複数の改質スポットによって改質領域を形成する。ここで、レーザ光源１０１は、レーザ光源制御部１０２によって駆動電源５１を制御し、レーザ光ＬのＰＥ値に応じてパルス波形を第１〜第３パルス波形の間で切り替える。低ＰＥ値の場合、その前半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第１パルス波形をパルス波形として設定すると共に、高ＰＥ値の場合、その後半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第２パルス波形をパルス波形として設定する。 （もっと読む）

【課題】極端な高低差を有する異形状部が形成されたワークにおいて、レーザー加工により適切な深さに改質層を形成することができる分割方法を提供すること。
【解決手段】孔部５３を有する半導体ウェーハＷに対して分割予定ライン５１上の孔部５３の形成範囲を検出し、検出光線を半導体ウェーハＷの分割予定ライン５１上に照射して、孔部５３の形成範囲を含む所定区間を除いて半導体ウェーハＷからの反射光強度に集光レンズ４６を追従させることで半導体ウェーハＷの分割予定ライン５１上の表面高さ位置を検出し、表面高さ位置に基づいてレーザー光線の焦点を移動させながら半導体ウェーハＷ内で集光させることによって分割予定ライン５１に沿って連続的に改質層を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームをその表面上に通過させることによりガラスに浅い切り目を付ける。
【解決手段】 レーザ30を作動させて第１のビーム32を形成する。第１のビーム32をレンズ34により変換して、ガラスに入射する場所で長軸と短軸を有する細長い楕円形ビームスポットを有する第２のビーム36を形成する。第２のビーム36の端部に対応する第２のビームの一部を物理的に遮断して、第２のビームのスポットの長軸を減少させ、かつ第３のビーム37を形成する。第３のビーム37をガラス10の表面に亘り移動させて、加熱されたガラスを形成する。移動している第３のビーム37の後縁から所定の距離で、加熱されたガラス上に冷却液24をノズル22から流して、ガラス10中に亀裂20を形成する。 （もっと読む）

【課題】 改質領域を形成したときに、改質領域から加工対象物の厚さ方向に亀裂をより伸展させることができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１の内部に改質領域７を形成するときには、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部に位置し、かつ直線偏光であるレーザ光Ｌの偏光方向が切断予定ライン５及び加工対象物１の厚さ方向と直交した状態で、切断予定ライン５に沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。このような状態でレーザ光Ｌを照射すると、加工対象物１に何ら外力を作用させなくても、例えば偏光方向が切断予定ライン５に沿った状態でレーザ光Ｌを照射する場合に比べ、改質領域７から加工対象物１の厚さ方向に亀裂１７をより伸展させることができる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第１主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第１主面とは逆側の第２主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。 （もっと読む）

【課題】目的の図形に対応させた経路の一部に被切断材と接続する接続部を形成する。
【解決手段】レーザ切断ノズルから被切断材１に対して該被切断材１を切断するのに適した切断速度、レーザの平均出力、アシストガス圧、レーザ光の焦点位置でレーザ切断ノズルを目的の図形２に対応させた経路３で移動させて切断する際に、一部の区間で、切断速度を前記被切断材を切断するのに適した切断速度よりも上昇させる条件、レーザの平均出力を前記被切断材を切断するのに適したレーザの平均出力よりも低下させる条件、アシストガス圧を前記被切断材を切断するのに適したアシストガス圧よりも低下させる条件、レーザ光の焦点位置を前記被切断材を切断するのに適した焦点位置よりも被切断材の板厚の内部方向に移動させる条件、を選択して被切断材に対する切断能力を低下させることで被切断材と目的の図形を接続する接続部を形成する。 （もっと読む）

【課題】作業性を損なうことなくハンドレーザによる切断精度を向上する板金部材の切断方法等を提供する。
【解決手段】作業者が手持ちして用いるハンドレーザ１によって板金部材１０を所定のトリムラインＴに沿って第１部分１２及び第２部分１３に切断する板金部材の切断方法を、板金部材の第１部分と第２部分との少なくとも一方にトリムラインから所定の間隔を隔てて延在するガイド部１４をプレス成型し、ハンドレーザのノズル部３に設けられた被ガイド部４をガイド部に当接させた状態で切断を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】耐火レンガ炉壁の整形切断時に、他の炉壁へ損傷を与えることを防止できるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、耐火レンガ炉壁表面にレーザ光を照射するレーザ照射部と、レーザ光照射点における発光強度を測定する発光強度測定部と、測定結果に基づいて、耐火レンガ炉壁のレーザ切断条件に応じてレーザ照射部を制御する制御部と、を備える。制御部は、耐火レンガの厚みに対するレーザ切断条件を記憶するレーザ情報記憶部と、破孔部の周囲を整形切断する前に、耐火レンガ炉壁の切断ライン上の任意の位置において耐火レンガ炉壁表面にレーザ光を予備照射して、耐火レンガの残存厚みを推定し、耐火レンガ炉壁の整形切断時におけるレーザ切断条件を決定する加工条件決定処理部と、決定されたレーザ切断条件に基づいて、レーザ照射部のレーザ光の出力強度およびレーザ照射部の移動速度を制御する駆動制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供する。
【解決手段】集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体形成し、これをダイシングして、ＩＣチップに個片化する際に、少なくとも補強板４及び接着層３のダイシングにレーザ６を用い、該接着層の該レーザ６に対する吸光度を０．６以上とするため、接着層３に着色剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子の溶断を安定して行え、かつ溝の位置がずれてもヒューズ素子が溝から露出することを抑制できるようにする。
【解決手段】ヒューズ素子４００は絶縁膜１００に覆われている。溝１０２は、絶縁膜１００に形成されており、平面視でヒューズ素子４００の隣に位置している。溝１０２は、底部がヒューズ素子４００の底部より下に位置している。そして平面視で、溝１０２のうちヒューズ素子４００に面する側の側面からヒューズ素子４００までの第１距離ｄ_１は、ヒューズ素子が延伸する第１方向Ｙに沿って変化している。 （もっと読む）

【課題】切断面に割れや欠けを生じさせること無く単結晶基板を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。
【解決手段】カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも外側領域まで、レーザ光源装置１２からレーザー光線ＬＲを照射する。このレーザー光線ＬＲの照射幅ｔ２は、カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも広くなるように設定する。即ち、レーザー光線ＬＲは、カッティングライン２５のエッジを越えて、半導体チップ２０の形成領域の端部まで細長く照射する。この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Ｓｎを形成し、そこをブレード１１で切断する。 （もっと読む）