【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がｐｓｅｃオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第１と第２の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第１の半パルス光に対し後者を進む第２の半パルス光が単位パルス光の半値幅の１／３倍以上で１０ｎｓｅｃ以下の遅延時間だけ遅延するように第２の光路の光路長を設定し、第１の半パルス光と第２の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー溶断の熱量の適正化を図ることで、ガラス板と樹脂板とを積層一体化した積層体を正確に切断する。
【解決手段】樹脂板２の両面にガラス板４を積層一体化してなる積層体１に対して、上方からレーザーＬＢを照射してレーザー溶断する。この際、積層体１中にレーザーＬＢの焦点ＦＰを合わせ、且つ、その焦点ＦＰの位置を上面側から積層体１の総板厚の５０％超９０％以下の範囲内に設定する。 （もっと読む）

【課題】大型ウエーハの分割予定ラインにレーザ加工により分割溝が形成されても、レーザ加工装置からウエーハを搬出する際又は分割装置までウエーハを搬送する際にウエーハの割れを防止可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１１に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割溝が形成されたウエーハ１１に外力を付与して分割する分割工程とを具備し、分割溝形成工程は、複数のデバイスを区画する分割予定ライン１７を設定する分割予定ライン選定工程と、選定された分割予定ライン１７に対して比較的弱い第１のエネルギーのレーザビームを照射して第１の分割溝２１ａ，ｂを形成する第１分割溝形成工程と、選定された分割予定ライン以外の分割予定ラインに対して該第１のエネルギーより強い第２のエネルギーのレーザビームを照射して第２の分割溝２３を形成する第２分割溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一部に円形の外周端縁を有する半導体ウェハの分断不良を少なくする。
【解決手段】この半導体ウェハの加工方法は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。第１工程では、分断予定ラインに沿ってレーザ光を走査し、ウェハ表面にスクライブ溝を形成する。第２工程では、スクライブ溝の両側を押圧してスクライブ溝に沿ってウェハを分断する。そして、第１工程では、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が４５°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝に比較して深く形成される。 （もっと読む）

【課題】少ない実験数で最良の加工条件を探索することができるとともに、加工結果の良否評価に誤りがある場合でも、その誤りの影響を解消して、適正な加工条件を生成することができるようにする。
【解決手段】加工特性モデル生成部２５により生成された新たな加工特性モデルを用いて、次の実験加工条件を生成する実験加工条件計算部２１や、加工結果収集部１２により蓄積された実験加工データ毎に、当該実験加工データ内の加工結果に含まれている加工良否評価を１つずつ変更する加工結果評価一部変更部２７などを設ける。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００において、成長基板１０は、第１レーザー加工面１０C_１と、第１割断面１０C_２と、を含む第１側面１０Ｃを有する。第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第１レーザー加工面１０C_１の高さαは、垂直方向における成長基板１０の厚みβ_１と素子本体２０の厚みβ_２との和の２５％以上４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】短時間に大量の被加工物を加工することができるレーザー加工装置、及びこれを用いたレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】レーザー加工装置１は、一方向に沿った第一スライド部１５を有する基台１０、第一スライド部に沿ってそれぞれ独立して移動し第一スライド部と交差する方向に沿った第二スライド部３３を有する複数の第一移動部３０、被加工物の保持手段４３を有し第二スライド部に移動可能にそれぞれ取付けられる第二移動部４０、各保持手段に対応して設けられ被加工物にレーザー光線をそれぞれ照射するレーザー加工部、及び第一移動部及び第二移動部の移動を制御する制御部とを備える。複数の第一移動部は、同一方向且つ略同一速度で移動するよう制御されている。 （もっと読む）

【課題】割断時にレーザ照射による変質層及びダイシング溝の利用により、割断ラインが蛇行せず、意図する部位で精度よく割断でき、また、得られた発光素子のダイシング溝に起因する凹部を利用して、簡便かつ確実に発光素子の光出力を向上させることができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージ及び蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材を含む発光装置であって、前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置し、かつ前記サファイア基板の１つの曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、該凹部内に前記蛍光体が配置されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工溝を越えてチッピングが発生することを抑制し、デバイスを損傷させる恐れのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に低誘電率絶縁膜を含む積層体が積層され、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該積層体を分断するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、該レーザ加工溝形成ステップで形成されたレーザ加工溝に沿ってウエーハにレーザビームを照射して、該レーザ加工溝の底面に歪を形成する歪形成ステップと、該歪形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝に沿って切削ブレードでウエーハを切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工速度を上昇させて電極を量産するに好適な電極製造方法および電極製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の金属箔１２の少なくとも一方の面上に電極活物質４ｂ，６ｂを間欠的に塗布・乾燥された帯状電極材１１にレーザを照射して切断して、電極を製作する電極製造方法である。そして、レーザを照射するレーザヘッド２６を予め設定した切断面に沿って予め設定した移動速度により移動させて、レーザヘッド２６を移動開始した時点よりの経過時間に基づいて、レーザヘッド２６が臨む帯状電極材１１の切断面の変化に対応するエネルギ強度のレーザ光を記憶・設定する。そして、レーザを照射するレーザヘッド２６を予め設定した切断面に沿って予め設定した移動速度により移動させ、レーザヘッド２６を移動開始した時点よりの経過時間に応じて設定・記憶したエネルギ強度のレーザ光をレーザヘッド２６から照射するようにした。 （もっと読む）

【課題】通常はレーザーカットできない素材であっても、カットが可能になって量産性に優れるレーザー透過部材の切断方法及び切断装置並びに電極製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー切断可能部材に設けられたレーザー透過部材を切断する方法であって、レーザー透過部材が設けられた領域のレーザー切断可能部材にレーザーを照射する照射工程＃１０１と、照射工程＃１０１でレーザーが照射された軌跡を挟んで広がる２つの領域に力を加えて引き離す切断工程＃１０２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光を用いて樹脂フィルムにハーフカット部等の凹部を形成した際に、凹部が形成された領域の両面から容易に破断可能な樹脂フィルムを得ることができる樹脂フィルムの加工方法を提供すること、及び、該加工方法によって形成された樹脂フィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】 樹脂フィルムの他方の面に、樹脂フィルムよりも高い割合でレーザー光を吸収して発熱する発熱層を形成し、樹脂フィルムの一方の面における発熱層に対応した領域にレーザー光を照射することで、樹脂フィルムにおけるレーザー光が照射された領域の一方の面側を発熱させると共に、樹脂フィルムを透過したレーザー光を吸収して発熱した発熱層によって樹脂フィルムにおけるレーザー光が照射された領域の他方の面側を加熱し、樹脂フィルムの両面の対応する位置に一対の凹部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向するエッジ部分にビードを有するガラスリボンにおいて、少なくとも１つのエッジ部分をその中心部分から分離する。
【解決手段】一対の対向エッジ部分２０１，２０３と、この対向エッジ部分間に横方向に広がる中心部分２０５とを有するガラスリボン１０３の供給源１０５を提供し、ガラスリボンを供給源に対して下向き１２１に、下降ゾーン１２３に通過させる。このガラスリボンを、下降ゾーンの下流の曲げゾーン１２５において屈曲させ、このガラスリボンは曲げゾーンを通過している間、上方凹状表面を含んでいる。ガラスリボンを曲げゾーンの下流の切断ゾーン１４７へと通過させ、さらにガラスリボンを切断ゾーンにおいて屈曲させて、屈曲配置を有する屈曲ターゲットセグメント１５１を切断ゾーン内で提供する。切断ゾーン内において、エッジ部分の少なくとも一方を屈曲ターゲットセグメントの中心部分から分離させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動して、表面に形成されているパターンの認識、及びストリート位置の検出が困難になる。
【解決手段】 表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの表面に、ストリートに沿って溝を形成する。半導体ウエハの裏面から、半導体ウエハを通して溝の位置を検出する。溝が検出された位置に基づいて、半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、溝に対応する位置の半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する。溝及び改質領域の位置で、半導体ウエハを小片に分離する。 （もっと読む）

【課題】強化ガラスに対して、安定して所望のスクライブ溝を形成できるようにする。
【解決手段】このスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラ
スをスクライブする方法であり、第１工程と、第２工程と、を含む。第１工程は、強化ガ
ラスの表面に、強化層の厚みの1.14倍〜1.67倍の深さの初期亀裂を形成する。第２工程は、初期亀裂にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ドロスを極力低減させるとともに、スパッタについても効率的な集塵を行うことができる円筒状ワーク切断装置を提供する。
【解決手段】金属製の円筒状のワークを輪切り状に切断して金属リングを形成する円筒状ワーク切断装置において、回転されているワークＷにレーザ光を照射してワークを切断するとき、レーザ光の照射位置Ｐ２における切断方向ｖ２と、レーザ光の照射方向ｖ１とが所定の鋭角θをなすように、加工ヘッド２００の位置を制御するとともに、位置制御がなされた加工ヘッド２００からのレーザ光がワークに照射されることにより生じるスパッタについての集塵を行う集塵手段７００を設ける。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０に内部改質層１４を形成し、内部改質層１４は、基板１０の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層１４は、基板１０の深さ方向に非対称な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】環状溝に金属の微粒子が付着することを防止できる金属製薄板ドラムの切断装置を提供する。
【解決手段】金属製薄板ドラムの切断装置１は、ドラム保持手段１００と環状溝１７０とレーザ光照射手段２００とを備え、レーザ光照射手段２００によりドラムＷを切断して金属リングを形成する。環状溝１７０は、被覆材１７１が設けられている。被覆材１７１は、例えば、フッ素樹脂、窒化ホウ素被膜又は銅板からなる。 （もっと読む）

【課題】 高精度なチップへと切り出しが可能な水晶振動子の製造方法を提供することである。
【解決手段】 水晶振動子の製造方法であって、所定厚みの水晶板を準備する水晶板準備ステップと、準備した該水晶板の厚みと所望の周波数を発振するための水晶振動子チップの体積とに基づいて、切り出すべき水晶振動子チップの寸法を算出する寸法算出ステップと、該寸法算出ステップで算出した寸法に基づいて、該水晶板に対して透過性を有する波長のレーザビームをその集光点を該水晶板の内部に位置付けて照射して該水晶板内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、該水晶板に外力を付与して個々の水晶振動子チップへと分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）