傾けられた軌道(１５)及び軌道に沿って走行するキャリッジ(１４)を用いて、変動速度で移動しているガラスリボン(１３)のレーザスコーリングが実施される。キャリッジは、レーザ(４１)に結合されたフレキシブルレーザビーム送出システム(６１)からレーザ光を受け取る、遊動光学ヘッド(５１)を備えることができる。リボンの公称速度の±３％以下のリボンの速度の変動には、キャリッジの速度を変え、レーザ(４１)の出力パワーを調節することで、対応することができる。さらに大きな変動には軌道の傾角αの調節がさらに必要になり得る。傾角が変えられてもレーザビームの長軸をスコーリング線に沿ったままにしておくために、遊動光学ヘッド(５１)内の第１のレンズユニット(５３)の方位の調節を行うことができる。
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【課題】太陽電池基板として用いられる板厚５ｍｍ程度のガラスにＣＯ２レーザ光照射によって深さ２００μｍ程度の表面スクライブを発生させ、後続の機械ブレークによって割断を実現させる方法及び装置。
【解決手段】ＣＯ２レーザ光を回折格子光学素子によって断面形状をラインビームに変換し、ガラス表面に走査を伴って照射させ、走査レーザビームの背後を同速度にて追従走査する冷却ユニットを伴うガラスの表面スクライバー装置において、ガラス端部のスクライブ開始点から１０−２０ｍｍまでの領域の走査速度を低下させることによって同領域におけるスクライブ深さを３−４ｍｍの深さまで増大させ、同領域における後工程の機械ブレークを容易化し、いったん開始した同ブレークをスクライブ深さが２００μｍとより浅い他領域にわたって進展させ、板厚５ｍｍの厚板ガラスをレーザ出力７０Ｗを用いて速度５０ｍｍ／Ｓで割断することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】変形により平面度がレーザ光の焦点位置に対して許容範囲を超えた基材について、簡単な構造の装置により、効率的なスクライブ加工或いは分断加工を可能とするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】照射部２の下方の２ヶ所に突設された脚部７において、ローラＲ１、Ｒ２を回動可能に支持するようにした。このローラＲ１、Ｒ２間の中間位置は、レーザ光５の集光部６と一致するように配置されている。そして、照射部２の移動と共にローラＲ１、Ｒ２を転動させて、ローラＲ１、Ｒ２の間にある基材８を載置面９に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたデバイス層にダメージを与えることなく基板内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面にデバイス層が積層され複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたウエハ内部にストリートに沿って変質層を形成するウエハの加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を基板の裏面側から集光点を基板の内部に位置付けて照射し、ストリートに沿って第１の変質層を形成する工程と、レーザ光線を基板の裏面側から集光点を第１の変質層の上側に位置付けて照射し、ストリートに沿って第２の変質層を第１の変質層に積層して形成する第２の変質層形成工程とを含み、第１の変質層形成工程におけるレーザ光線のエネルギ密度は、第２の変質層形成工程におけるエネルギ密度より低く基板に変質層を加工することができる下限付近に設定されている。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光２２を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２に溝（３２ａ、３２ｂ）を形成する工程と、溝（３２ａ、３２ｂ）を基点に基板１０を剥離する工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】電極を精度よく且つ極力短い時間で形成する圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータを製造するには、まず、振動板４１の上面に複数の個別電極４３を形成し、続いて、振動板４１の上面に、複数の個別電極４３を覆うように圧電層４２を形成する（個別電極形成工程）。次に、圧電層４２の上面のほぼ全域に導電膜５１を形成し（導電膜形成工程）、続いて、レーザ加工により、導電膜５１から共通電極４４を切り出す（レーザ加工工程）。レーザ加工工程では、接続部４４ｂ及び連結部４４ｃを切り出す際に、複数の対向部４４ａを切り出す際よりも、レーザの出力エネルギーを大きくするとともに、レーザの走査速度を速くする。また、このとき、共通電極４４を切り出した導電膜５１の残りの部分が、共通電極４５となる。 （もっと読む）

【課題】基板を効果的かつ安定的に切断できる基板切断装置、及び基板切断方法を提供する。
【解決手段】基板切断装置１０１は、基板１０を支持するステージ２０、基板に向かう短パルスレーザビームＳＬＢを放出するレーザ発生部３０、及び前記短パルスレーザビームの光経路上に配置され、前記短パルスレーザビームを前記基板上に予め設定された光照射区間ＬＢＤ内でスイングさせる光スイング部５０を含む。前記光照射区間は、曲線区間及び直線区間のうちの一つ以上の区間を含む。 （もっと読む）

【課題】加工位置を適正に検出しながら被加工物に対して分割予定ラインに沿った高精度なレーザー加工を施すこと。
【解決手段】ある実施の形態における加工方法において、ズレ量算出工程は、加工対象の第１の分割予定ライン１１に沿って最も表面側の改質領域を形成する前に、被加工物１を透過させて内部を撮像する撮像ユニット２５５によって加工対象の第１の分割予定ライン１１に対して形成済みの改質領域１７ｂを撮像し、その加工位置を検出して加工対象の第１の分割予定ライン１１のＹ座標上の位置とのズレ量Ｌ２１を算出する。そして、位置付け工程は、レーザー照射ユニットをＹ座標方向に割り出し送りして次に加工対象とする第１の分割予定ライン１１に位置付ける際に、第１の分割予定ライン１１間の距離によって定まる割り出し送り位置をズレ量Ｌ２１分ずらして割り出し送りする。 （もっと読む）

【課題】最終製品の品質を確保する上で有利な複層ガラスパネルの製造方法およびグレージングガスケット成形装置を提供する。
【解決手段】治具板１８の他方の辺１８０４がレーザー切断装置２４によるレーザー光の照射位置に到達したならば、治具板１８上に塗布された第１の塗布部分Ｚ１を治具板１８の他方の辺１８０４上においてレーザー光を照射することにより切断し第１の切断面Ｓ１を形成する。治具板１８の一方の辺１８０２がレーザー切断装置２４によるレーザー光の照射位置に到達したならば、治具板１８上に塗布された第２の塗布部分Ｚ２を治具板１８の一方の辺１８０２上においてレーザー光を照射することにより切断し第２の切断面Ｓ２を形成する。第１、第２の切断面Ｓ１、Ｓ２の間にグレージングガスケット成形体１２０を挿入して接着剤により接着する。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工におけるタクトタイムの短縮化が可能なレーザ加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを反射型空間光変調器で変調し、変調したレーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して移動させる。このとき、加工対象物１においてレーザ光Ｌを移動させる方向Ｄに沿って離れた２箇所にレーザ光Ｌが集光されて改質スポットＳ，Ｓが形成されるように、レーザ光Ｌを空間光変調器で変調する。 （もっと読む）

【課題】接合ガラスを所定サイズ毎に切断することで、歩留まりを向上させることができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ接合体６０の吸収波長のレーザー光を輪郭線に沿って照射して、リッド用基板ウエハ５０にスクライブラインＭ’を形成するスクライブ工程と、スクライブラインＭ’に沿って切断刃により割断応力を加えることで、スクライブラインＭ’に沿ってウエハ接合体を切断するブレーキング工程とを有し、スクライブ工程では、スクライブラインＭ’の幅寸法Ｗに対する深さ寸法Ｄの倍率が０．８以上６．０以下となるスクライブラインＭ’を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】個片化された接合ガラス片を取り出し易くするとともに、製造効率の向上及び製造コストの低下を実現することができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ接合体の吸収波長のレーザー光を輪郭線Ｍに沿って照射して、リッド基板用ウエハにスクライブラインを形成するスクライブ工程と、スクライブラインに沿って割断応力を加えてウエハ接合体を切断することで、ウエハ接合体を複数の圧電振動子に個片化するブレーキング工程と、ＵＶテープ８０を延伸することで、隣接する圧電振動子１の間隔を広げるエクスパンド工程とを有し、ＵＶテープ８０は、厚さが１６０μｍ以上１８０μｍ以下に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光線による切断加工位置からの超音速流のアシストガスの剥離を抑制して厚板を良好に切断することのできるレーザ加工ヘッドを提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１におけるレーザ加工ヘッド３であって、集光レンズ９によって集光されたレーザビームを外部へ照射するレーザ加工ヘッド３におけるヘッド本体５の先端部に、アシストガスを超音速で噴出するインナーノズル１５を備え、当該インナーノズル１５の外側に、当該インナーノズル１５から噴出される超音速のアシストガスの周囲に亜音速でアシストガスを噴出するためのアウターノズル１７を備えており、前記インナーノズル１５の先端部よりも前記アウターノズル１７の先端部の方が突出してあり、前記インナーノズル１５に対してアウターノズル１７を相対的に調節可能かつ着脱交換可能に備え、前記インナーノズル１５及び前記アウターノズル１７は、前記ヘッド本体５の内部に連通してある。 （もっと読む）

【課題】個片化された際のチッピングの発生を防止し、かつ、裏面印字の際の発塵を抑え、信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１Ａ（１）は、チップ状をなし、一面側に回路素子が形成された半導体基板２と、前記半導体基板の他面２ｂの外周域に配され、かつ側面にわたって開口されている欠切部３Ａと、前記欠切部に設けられた保護部４Ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を吸着テーブルによる簡単な手段で保持させるものでありながら、基板の分断予定ラインを浮き上がらせてレーザビームを照射させることにより効果的に分断することのできる方法並びに装置を提供する。
【解決手段】 多数の小孔を有する支持テーブル１上に脆性材料基板Ｗを載置し、基板の分断予定ライン近傍を除く領域は、小孔３により吸引して基板Ｗを支持テーブル１に密着保持させ、基板Ｗの分断予定ライン近傍の領域は、小孔３により圧縮空気を噴出して基板を浮上させ、この浮上させた分断予定ラインに沿ってレーザビームを移動させながら照射することにより基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】基板に金属層が形成されている板状ワークを、基板にレーザ光を照射した後に拡張して分割することを可能とする。
【解決手段】ウェーハ（基板）１の裏面１ｂに半田層（金属層）５が形成された２層構造のワーク１０におけるウェーハ１の内部に、分割予定ライン２に沿って変質層７を形成した後、ワーク１０を分割予定ライン２に沿って折り曲げ、この段階でウェーハ１を変質層７を起点として分割するとともに、半田層５に弱部８を形成する。次いで、拡張用テープ１２を拡張して半田層５に外力を加え、弱部８を起点として半田層５を割断し、ワーク１０を完全に分割する。 （もっと読む）

【課題】厚板のレーザ切断において、送り速度に応じてビームの振動振幅と周波数を制御する際に、加速部でのえぐれ様の断面不良を解消することを目的とする。
【解決手段】レーザビームＬＢを被切断材上に集光照射し前記被切断材に対して前記レーザビームＬＢを走査して前記被切断材を切断するレーザ切断装置において、前記レーザビームＬＢを光軸を中心として振動させるレーザ切断装置であって、前記走査速度の値に応じて前記振動の周波数と振幅を制御するレーザ切断装置であって、前記走査速度の値が所定の初期値から別の所定の目的値に到達するまでの加速区間においては、初期値と目的値の中間の値を無視して、初期値に応じて決定した前記振動の周波数と振幅を保持し、目的値での静定を待って目的値に応じた前記振動の周波数と振幅に切り換える制御を行うレーザ切断装置。 （もっと読む）

【課題】鋳鉄をエキシマレーザによりアブレーション加工して表層部の黒鉛を分解除去し、その部分に陥没部を無数に形成させ摺動面を形成する方法は、装置価額が高価なエキシマレーザを使用しなければならず、汎用性が乏しい。また、黒鉛ブロック、窒化ケイ素部品などの難切削材の加工は切削工具による切削・除去加工が困難であり、その加工速度が非常に制限される。
【解決手段】本発明は、球状黒鉛鋳鉄や可鍛鋳鉄などの表面をより波長の長いレーザで加熱しつつ、反応ガスをノズルで供給し、表層部の黒鉛を炭素と酸素又は二酸化炭素（ＣＯ２）との反応させ、ガス化して除去し、陥没部を多数形成させる。この処理表面が摺動部品の摺動特性を改善できる。またカーボンブラックや窒化ケイ素などの難切削材料の切削・成形加工を反応ガスを用いて溝掘り加工、彫刻加工などの除去・成形加工をするレーザ反応加工を解決手段として提案している。 （もっと読む）

【課題】 切断対象となる加工対象物の材料に左右されず、その加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１２の主面が（１００）面となっているため、溶融処理領域１３を起点として発生した亀裂１７は、シリコン基板１２の劈開方向（シリコン基板１２の主面と直交する方向）に伸展する。このとき、加工対象物１Ａの裏面１ｂと分断用加工対象物１０Ａの表面１０ａとが陽極接合によって接合されているため、亀裂１７は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物１Ａの表面１ａに到達する。しかも、分断用加工対象物１０Ａに応力を生じさせる際には、亀裂１７が分断用加工対象物１０Ａの裏面１０ｂに到達しているため、亀裂１７は、加工対象物１Ａ側に容易に伸展する。 （もっと読む）