【課題】裏面側からレーザ照射することにより分割起点を形成する場合に、予め、別途に分割予定ラインに沿って反射膜を除去しておく必要のないＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】 光透過性基板１の表面側１ａに複数のＬＥＤ素子本体２がパターン形成されるとともに、裏面側１ｂに反射膜３が分割予定ライン上も含めて形成されているマザー基板１に対し、分割予定ラインに沿ってレーザビームＬを照射することによってＬＥＤ素子本体２ごとに分割するための分割起点Ａを形成する工程を含むＬＥＤチップの製造方法であって、反射膜３としてＬＥＤ素子本体２が発する発光光および蛍光材料による蛍光の波長範囲を反射し、かつ、分割予定ラインに照射するレーザビームＬの波長光を透過する性質を有する反射膜３を裏面側１ｂに形成し、レーザビームＬを裏面側１ｂから反射膜３を透過させて基板裏面に直接照射するようにして基板１をレーザ加工する。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】溶接構造物の溶接止端部や成形加工部品の塑性変形領域に圧縮残留応力を効率的に導入し、繰り返し荷重が作用する環境で従来よりも疲労特性を向上させるためのレーザピーニング処理方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザビームを集光した後、レーザ媒質を介して被処理材の表面に照射し、該表面の照射スポット近傍に圧縮残留応力を形成するレーザピーニング処理方法において、前記照射スポットが、予め想定された繰り返し荷重の付加方向（Ｙ方向）に対して垂直な方向（Ｘ方向）において、隣り合う照射スポット同士の重畳率が面積％で９２〜9９％となるように、前記パルスレーザビームを走査させることを特徴とするレーザピーニング処理方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光により被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に低減して、生産効率よくかつ容易にレーザー加工を行うことが可能なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明のレーザー加工方法は、被加工物に対しレーザー光を照射して加工するレーザー加工方法であって、前記レーザー光の照射の際に発生する分解物を、照射部分の近傍で吸引除去しながら、前記レーザー加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ｍが、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ｍよりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿って改質領域７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、第１の列数の改質領域７ａを形成する。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、第１の列数よりも少ない第２の列数の改質領域７ｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａの両側に設定された２本の予備ライン５ｐのそれぞれに沿って、予備改質領域７ｐをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。このとき、切断の起点となる改質領域７ａに比べて予備改質領域７ｐからＳｉＣ基板１２に亀裂が発生し難くなるようにする。予備ライン５ｐに沿って予備改質領域７ｐを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】加工データを表示させる際の、加工ブロックの周囲の表示を変更可能としてより見やすくし、また複数の加工ブロックを設定する際の配置関係を容易に把握できるようにする。
【解決手段】所望の加工パターンに加工する加工条件を入力するための加工条件設定部と、加工条件設定部で設定された加工条件に従って、３次元的な加工対象面のレーザ加工データを生成する加工データ生成部と、加工データ生成部で生成されたレーザ加工データのイメージを２次元的及び／又は３次元的に表示可能な加工イメージ表示部とを備え、加工条件設定部が、３次元的な加工対象面として所定の基本図形を指定可能としており、さらに指定された基本図形に基づいて加工データ生成部で生成されたレーザ加工データを加工イメージ表示部で３次元状に表示する際に、該レーザ加工データの高さを、基本図形の高さと略一致させるよう構成している。 （もっと読む）

【課題】レーザー誘起背面式の透明基板微細加工方法において、裏面で加工が起こるのに必要なエネルギー値を低減するとともに、加工効率を上げながら未加工部分による加工精度低下を防止する。
【解決手段】透明材料を通過したレーザービームをその裏面で集光させ、該集光点で該透明材料の裏面に接触する流動性物質がレーザービームを吸収し、該透明材料の融点付近まで温度上昇させるとともに高い圧力を発生させることにより、該透明材料の該集光点でのエッチング加工を行うレーザー誘起背面式の透明基板微細加工に使用される流動性物質として、レーザービーム吸収物質、及び該物質を高濃度に溶解して流動性物質とする溶媒に加え、それ自体、レーザービームに対する吸収特性を有していないが、レーザービーム吸収物質の発熱に伴い分解して、加工精度、加工速度を向上させる加工促進物質を添加する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが５０μｍ〜２００μｍの基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域を含み且つ切断の起点となる改質領域７を基板１の内部にのみ形成し、基板１の表面３及び裏面２１には溝及びスクライブラインを形成することなく改質領域７から発生させた割れを表面３及び裏面２１に到達させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを当該割れによって切断する。 （もっと読む）

【課題】簡単に複数のレーザ光によるスポットを走査しながらほぼ同じ位置に時間差を設けて照射する。
【解決手段】レーザ光λａは、レンズ１２０ａにより結像位置Ｐ１ａにおいて結像した後、レンズ１２１ａによりコリメートされ、２波長性ミラー１２３に入射する。レーザ光λｂは、レンズ１２０ｂにより結像位置Ｐ１ｂにおいて結像した後、レンズ１２１ｂによりコリメートされ、全反射ミラー１２２により反射され、２波長性ミラー１２３に入射する。そして、レーザ光λａおよびレーザ光λｂは、２波長性ミラー１２３により光路が結合され、２波長性レンズ１２４により結像位置Ｐ２ａ，Ｐ２ｂにおいて結像する。全反射ミラー１１９とレンズ１２０ｂを格納するモジュール１３１は、シフト機構１３２により、レンズ１２０ｂの光軸と垂直な方向にシフトする。本発明は、例えば、薄膜太陽電池パネルを加工するレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザビームを使って、半導体基板の上又は内部の導電性のあるリンクを加工する。
【解決手段】２又は３以上のＮについて、スループットの利益を得るためにＮ組のレーザパルスを使う。前記リンクは、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列５１０、５２０をなして配置される。前記Ｎ組のレーザパルスは選択された構造の上に投射するまでＮ本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬する。得られたレーザビームスポットのパターンは、Ｎ本の別個の列内のリンクか、同一の列内の別個のリンクか、同一のリンクかの上に、部分的に重複するか完全に重複するかのいずれかである。得られたレーザスポットは、互いからの前記列の長手方向のオフセットと、前記列の長手方向と垂直な方向のオフセットとの一方又は両方を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒートモードレジスト層を有する被加工物に対して、深さ方向の加工性が良好であり、アスペクト比が高く、高精細な微細穴乃至溝を効率よく形成可能な被加工物の加工方法の提供。
【解決手段】基材上にヒートモードレジスト層を形成するヒートモードレジスト層形成工程と、前記ヒートモードレジ スト層に対してレーザ光を複数回照射して微細穴乃至溝の形状を形成する微細穴乃至溝形成工程とを含む被加工物の加工方法である。該レーザ光の照射回数が、２回以上１，０００回以下である態様、レーザの線速が、１００ｍ／ｓ以下である態様などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アブレーションの発生を抑制すると共に加工対象物を精度よく切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】複数列の改質領域７のうち最も表面３側の改質領域７ｂ以外の改質領域７ａを形成する場合には、集光点がベベル部４ｘに位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＦＦとする。そして、集光点がベベル部４ｘよりも内側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＮとし、改質領域７ａを形成する。一方、最も表面３側の改質領域７ｂを形成する場合、集光点がベベル部４ｘに位置するとき、及び、集光点がベベル部４ｘよりも内側であって積層部１６の外縁１６ｅよりも外側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＦＦとする。そして、集光点が積層部１６の外縁１６ｅよりも内側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＮとし、改質領域７ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームが被加工物に照射されるときのタイムラグを短縮し、被加工物の加工品質や加工精度を向上できるレーザ加工機を提供すること。
【解決手段】集光部２１におけるレーザビームの光路または保持装置３０の移動距離ΔＬが所定距離以上であるかを判断し、移動距離ΔＬが所定距離以上であると判断される場合にレーザビームを照射する。この処理は、相対移動速度を検出しレーザビームＢの出力を制御して被加工物Ｗに照射する処理に比べて簡易であり、処理時間を短縮できる。これにより、レーザビームＢが被加工物Ｗに照射されるときのタイムラグを小さくでき、被加工物Ｗの加工品質や加工精度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿った加工対象物の高精度な切断が可能となるレーザ加工方法の使用により得られるチップを提供する。
【解決手段】厚さ方向に略平行な側面２５ａを有するチップ２５であって、側面２５ａには、厚さ方向に並ぶ溶融処理領域１３_１，１３_２と、これら溶融処理領域１３_１，１３_２間に位置し厚さ方向の長さが溶融処理領域１３_１，１３_２より短い溶融処理領域１３_３と、が形成されている。また、側面２５ａには、少なくとも溶融処理領域１３_１，１３_２間に連続するように渡り、厚さ方向に対して同じ側に傾斜し延在する複数のウォルナーライン２４が形成されている。 （もっと読む）