【課題】 高速で加工する。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射したレーザビームを少なくとも第１方向と第２方向に振り分けることのできる振り分け光学系と、振り分け光学系で第１方向、第２方向に振り分けられたレーザビームを偏向して出射することのできる第１偏向器を有し、第１偏向器は、振り分け光学系で第１方向に振り分けられたレーザビームの光路上に配置され、レーザビームを偏向して出射することのできる第１偏向素子と、振り分け光学系で第２方向に振り分けられたレーザビームの光路上に配置され、レーザビームを偏向して出射することのできる第２偏向素子と、第１偏向素子を経由したレーザビーム、及び、第２偏向素子を経由したレーザビームの光路上に配置され、入射するレーザビームを偏向して出射することのできる第３偏向素子とを含むレーザ加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】ユリア樹脂成形体に対して視認可能なマーキングをすることのできるレーザマーキング方法、および視認し易いレーザ印字がされたユリア樹脂成形体を提供する。
【解決手段】このユリア樹脂成形体ＹＰに対してマーキングをするレーザマーキング方法において、３．０質量％以上の二酸化チタンを含有するユリア樹脂成形体ＹＰに対し、１０６４ｎｍ以下の波長のレーザを照射してレーザマーキングする。 （もっと読む）

【課題】 表面を形成する第１層と、第１層の裏面側に存する第２層と、を含んでなる被加工物に、表面側からレーザビームを照射することで被加工物を加工するレーザ加工装置であって、被加工物を加工する軌跡（トラック）の形状に制限がなく、軌跡（トラック）として自由に種々の曲線を選択することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザビームを照射する照射手段と、照射手段に対して被加工物を被加工物の表面に沿って相対的に移動させる移動手段と、を備えてなり、照射手段は、第２層の加工に適した第２レーザビームを第１層の表面の第２領域に照射する第２照射手段と、第１層の加工に適した第１レーザビームを、第２領域を取り囲む第１領域に照射する第１照射手段と、を有してなる、レーザ加工装置である。 （もっと読む）

【課題】 高品質のレーザ加工を行う。
【解決手段】 加工対象物に照射されるレーザパルスを出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザパルスの、加工対象物上における照射位置を移動させる照射位置移動装置と、照射位置移動装置が加工対象物上の１つの照射位置から次の照射位置に、レーザパルスの照射位置を移動させる移動時間に応じたパルス幅と周波数でレーザパルスが出射されるように、レーザ光源からのレーザパルスの出射を制御する制御装置とを有し、制御装置は、所定範囲内のパルス幅のレーザパルスが加工対象物上に照射されるように、レーザ光源からのレーザパルスの出射を制御するレーザ加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物１２の表面に界面活性剤膜１１を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑１５が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜１１は、好ましくは後で、この界面活性剤膜１１上に被着した切削屑１５１といっしょに除去される。 （もっと読む）

【課題】高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産すること。
【解決手段】先ず、アブレーション作用を有するレーザにより、ダイシング領域に沿って積層膜２の部分のみに溝ＧＶを形成する。次いで、溝ＧＶが形成されている側の面に保護シート３を貼り付け、該保護シートが貼り付けられた当該ウエハの裏面を研削した後、ウエハＷ１の裏面側から半導体基板１Ａに対して透過性を有する波長のレーザ光を上記ダイシング領域に沿って照射し、該基板の内部に改質層ＭＬを形成する。さらに、ウエハＷ１の裏面にシート部材４を貼り付け、保護シート３を除去後、シート部材４を拡張することによって当該ウエハを個々のチップ１０Ｃに分割する。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って改質領域を形成し（ステップＳ１０）、ウェハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェハＷを裏面から研削する（ステップＳ１２）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】 金属膜が薄くなっても、金属膜が受けるダメージの増大を抑制し、樹脂層を加工することが可能なレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 第１の金属膜の上に樹脂層が形成された加工対象物の、第１の金属膜の上の樹脂層に、炭酸ガスレーザ発振器から出射された第１の原初レーザパルスから切り出された第１の分割レーザパルスを入射させて、樹脂層に、第１の凹部を形成する。炭酸ガスレーザ発振器から出射された第２の原初レーザパルスから、時間軸上で離散的に分布する複数の第２の分割レーザパルスを切り出し、複数の第２の分割レーザパルスを、第１の凹部に入射させて、第１の凹部の側面及び底面の樹脂層を除去することにより、第１の金属膜を露出させる。第２の分割レーザパルスの各々のパルスエネルギは、第１の金属膜を溶融させない大きさである。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って予備改質領域Ｐ１を形成し、その後予備改質領域から略２０μｍ〜略４０μｍだけウェハＷ裏面側の位置にレーザー光を照射して本改質領域Ｐ２を形成する（ステップＳ１０）。これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。基準面までウェハＷを裏面から研削され（ステップＳ１２）、加工変質層が除去されてウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】光デバイスを損傷することのない光デバイスユニットの加工方法を提供することである。
【解決手段】光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの温度と伸び率との関係を規定した相関データを取得するデータ取得工程と、光デバイスユニットの温度を計測する温度計測工程と、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程と、該温度計測工程で計測した光デバイスユニットの温度と該データ取得工程で取得した温度に対応する伸び率とに基づいて、分割予定ラインの間隔の伸び量を算出する伸び量算出工程と、該伸び量算出工程によって算出された伸び量に基づいて、レーザビームを照射すべき分割予定ラインの割り出し量を補正する分割予定ライン補正工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】クロック信号Ｓ１に同期したパルスレーザビームＰＬ４を出射し、ステージ２０をクロック信号Ｓ１に同期させて移動することにより、被加工基板ＷとパルスレーザビームＰＬ４とを相対的に移動させ、被加工基板ＷへのパルスレーザビームＰＬ４の照射と非照射を、クロック信号Ｓ１に同期して、パルスレーザビームＰＬ４の通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板Ｗに基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、被加工基板Ｗの位置とパルスピッカー１４の動作開始位置が同期し、パルスレーザビームＰＬ４の照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において略直線的に連続するよう形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンを高品質に形成する。
【解決手段】 パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、基板を保持するステージと、ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、塗布装置によって塗布されたレジスト材料上に集光して伝搬し、伝搬位置のレジスト材料を硬化させる第１の伝搬光学系と、レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、第１の伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによって硬化されたレジスト材料上に伝搬し、伝搬位置のレジスト材料を除去する第２の伝搬光学系と、レーザ光源を出射したパルスレーザビームを第１の伝搬光学系または第２の伝搬光学系に選択的に入射させる光路切り替え装置とを有するレーザ照射装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの薄膜の一部を除去加工するためにレーザー光を用いるドライエッチング方式により、ワークピースに短時間で微細パターンを形成できるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】薄膜となっている導電膜の一部をレーザー光１２により除去加工することでワークピース９に形成される加工パターンは、微細パターンである。レーザー発振器１とワークピース９との間に可変マスク５が配置され、マスク５は、レーザー光をワークピース９へ選択的に到達、不到達させるために作動する多数のセルを備え、これらのセルが制御装置１１で個別的制御されることで、レーザー光をワークピース９に到達させるセルパターンが形成され、制御装置１１で制御されるワークピース移動装置１０によるワークピース９の移動と、制御装置１１によるセルパターンの変更とにより、ワークピース９に微細パターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】 良質な加工を行う。
【解決手段】 レーザビームを加工対象物上に、複数の光強度分布のピークをもつビームプロファイルを形成させて入射させる。光強度分布のピークの値をＰ、光強度分布のピーク間の極小値をＡ、加工対象物の加工が可能な光強度の閾値をＳとするとき、
Ｓ＜Ａ≦（Ｐ＋Ｓ）／２
の関係を満たすように、レーザビームを前記加工対象物に入射させる。 （もっと読む）

【課題】レーザー発振器から発振されるレーザー光線を集光レンズによって集光することなく集光器に伝送することができる光伝送手段を備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線発振器６１が発振したパルスレーザー光線の波長域を拡張する波長域拡張手段６４と、波長域拡張手段によって波長域が拡張されたパルスレーザー光線のパルス時間幅を拡張するパルス時間幅拡張手段６５と、パルス時間幅拡張手段によってパルス時間幅が拡張されたパルスレーザー光線を集光する集光レンズ６６と、集光レンズによって集光されたパルスレーザー光線を入光して伝送する光ファイバー６７と、光ファイバーによって伝送されたパルスレーザー光線を平行光に修正する修正レンズ６８と、修正レンズによって平行光に修正されたパルスレーザー光線を元のパルス時間幅に圧縮して集光器に伝送するパルス時間幅圧縮手段６９とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドに穴を開けることなくウエーハの基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成することができるビアホールの加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、基板のボンディングパッドが形成された領域の厚みを計測する厚み計測工程と、ウエーハの基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射して基板にレーザー加工孔を形成するレーザー加工孔形成工程とを含み、レーザー加工孔形成工程は厚み計測工程によって計測された基板の厚みと、パルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギーに基づいて、パルスレーザー光線のショット数を決定する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がｐｓｅｃオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第１と第２の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第１の半パルス光に対し後者を進む第２の半パルス光が遅延するように第２の光路の光路長を設定し、第１の半パルス光と第２の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）