【課題】リチウムタンタレート(LiTaO₃)やリチウムナイオベート(LiNbO₃)等の非線形結晶基板であってもクラックが発生することなくレーザー加工溝を形成することができる非線形結晶基板のレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】非線形結晶基板の被加工面に分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、レーザー加工溝を形成する非線形結晶基板のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、パルス幅が２００ps以下に設定され、繰り返し周波数が５０kHz以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、繊維強化複合材料等の難加工材料のレーザ除去加工であって、工業的に満足できる加工速度を実現可能な効率のよいレーザ加工方法とそれに用いるレーザ加工装置とを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、繊維強化複合材料または機械切削が困難な無機材料よりなる被加工物表面にレーザを照射してレーザ照射部を除去するレーザ除去加工において、レーザ照射によって発生する分解生成物をレーザ照射と同時に除去する除去手段を用いることを特徴とする。除去手段は、流体をレーザ照射部へ０．３〜５．０ＭＰａで噴射するノズルである。 （もっと読む）

【課題】パンチやダイの寿命を延ばすことができるエレメント製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】バリ付きエレメント１０には、図（ａ）に示すように、切断面１６の一端にバリ１７が残る。しかし、このバリ１７は、溝２５の底から立ち上げるため、先端がバリ付きエレメント１０から突出する心配はなく、突出したとしても僅かである。この形態であれば、バリ付きエレメント１０を密にバケットなどに収納することができる。パンチやダイの摩耗が進むと、バリ１７の高さが徐々に大きくなる。（ｃ）に高さがｈのバリ１１３が残っている比較例を示すが、このバリ１１３と同じ高さまでバリ高さが許容されるとすると、（ｂ）に示すように高いバリ１７が許容される。（ａ）から（ｂ）までの時間が稼げるため、（ｃ）より（ａ）の方が、パンチやダイの寿命を大幅に延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができ、ゴミの発生が防止されたガラス基板のレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源から、波長が３００〜４００ｎｍのパルスレーザ光１０を出射し、レーザ光１０を矩形（正方形又は長方形）のビーム形状にしてガラス基板２に照射する。このレーザ光１０のガラス基板２に対する照射位置を切断予定線に沿って移動させることにより、レーザ光１０を間欠的に直線上に照射し、加工痕１２を直線上に形成する。光学系は、レーザ光１０の焦点位置を、ガラス基板２の厚さ方向の内部とし、焦点深度を前記ガラス基板の厚さよりも短く設定する。これにより、加工痕１２はガラス基板２の内部に形成される。 （もっと読む）

【課題】 加工時間を短くする。
【解決手段】 移動装置で加工対象物を移動させながら、偏向器でレーザパルスを偏向し、加工対象物の被加工位置に入射させて加工を行うレーザ加工の計画方法であって、（ａ）加工対象物上の第１の方向に沿って、複数の加工範囲Ａ_ｉを画定する工程と、（ｂ）複数の加工範囲Ａ_ｉの各々について、加工時間ｔ_ｉを見積もる工程と、（ｃ）少なくとも一つの加工範囲Ａ_ｉについて、０より大きいスラックタイムｓ_ｉを、加工時間ｔ_ｉに加え、加工範囲Ａ_ｉを単位として、移動装置によって加工対象物を第１の方向に移動させる移動速度を決定する工程とを有するレーザ加工計画方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、被加工物をステージに載置する載置工程と、ステージに載置された被加工物の被加工面の上に、被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成工程と、ステージと光源とを連続的に相対移動させながら、パルスレーザー光を、液層を透過させつつ、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する照射工程とを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣウェハへのレーザマーキングにおいて、刻印したパターンの高い視認性を確保しつつ、パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】ＳｉＣウェハ１００への識別子１０１のマーキングは、ＹＡＧレーザの４倍高調波を用いたパルスレーザの照射によって行われる。その際、パルスレーザのパルス毎のパルス照射痕１が、互いに重ならないように、レーザヘッドが移動する速度および軌道、照射するパルスレーザの出力パワーおよびＱスイッチ周波数等が設定される。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの出射端部の柔軟な取り回しを可能にする。
【解決手段】 被加工対象物を加工するための超短パルスレーザ加工装置において、超短パルス種光レーザと種光レーザからのレーザパルスを伸長させる伸長器とを有するレーザヘッドと、レーザヘッドからのレーザパルスを導光する光ファイバと、光ファイバによって導光されたレーザパルスを所定の高ピークパワーのレーザパルスに圧縮する圧縮器と、圧縮器によって圧縮されたレーザパルスを対象物に照射する出射端部と、伸長器によって伸長されたレーザパルスを増幅させる，光ファイバの入射側であるレーザヘッド側又は光ファイバの出射側である圧縮器側に配置されている増幅器と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージと光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部と光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】走査回数を増やすことなく、基板の表面と基板内部とに、短パルスレーザによる加工が行える基板加工装置を提供する。
【解決手段】短パルスレーザ光源３１と、短パルスレーザビームを第一光路側と第二光路側とに分岐する光路分岐部３５と、第二光路側が第一周波数よりも小さな第二周波数で繰り返し発振するように繰り返し発振周波数を変換するパルスピッカー部３９と、第二光路側の出力パワーが第一光路側の出力パワーよりも大きくなるように調整する出力調整部３６と、第一光路側および第二光路側を重ね合わせた合成レーザビームを形成する光路合成部４６と、対物レンズ４９を含み、基板に向けて合成レーザビームを照射する合成レーザビーム照射光学部４８と、合成レーザビームを相対的に走査させる走査機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射するレーザビームの本数を容易に変更可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザビーム照射手段は、レーザビーム６９を発生するレーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを集光して被加工物に照射する集光レンズと、該レーザビーム発生手段と該集光レンズとの間の光路に配設され、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを複数のレーザビームに分岐するレーザビーム分岐手段７４とを含み、該レーザビーム分岐手段は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子８２ａ〜８２ｇと、該複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置付ける位置付け手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ溶接によるマイクロクラックの欠陥発生を抑止し、二次電池の高品質及び高信頼性を実現する。
【解決手段】二次電池は、電解液を注液するための注液口を有し、その注液口から注液された電解液を電極体と共に収容する容器と、容器に固着され、注液口を塞ぐ封口蓋８とを備え、その封口蓋８は、封口蓋８及び容器の蓋体３ｂにわたる深さで環状に存在する溶接痕８ｅと、封口蓋８の厚さに相当する深さで封口蓋８における溶接痕８ｅの内周側でその溶接痕８ｅに重なって環状に存在する内周側溶融痕８ｆとを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いて、対象物の所定箇所をさらに正確にかつ能率よく加工し、修正を行う
【解決手段】基板を載置するステージと、基板を加工する加工部となる局所排気領域と、ステージに向けてガスを噴射することにより該ステージから浮上するためのガス供給部と、ステージに向けて噴射したガス及び局所排気領域から該ステージ側に供給されたガスを排気する排気部とを備えた局所排気装置を有する。
局所排気装置は、局所排気領域に繋がる流路を、薄膜形成用の原料ガスを供給する原料供給部と、エッチングにより局所排気領域内に発生したダストを排出する局所排気部とに切り換えて連通させる切換手段を備える。そして、基板に薄膜を形成する場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が原料供給部に連通され、基板をエッチングする場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が局所排気部に連通される。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０に内部改質層１４を形成し、内部改質層１４は、基板１０の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層１４は、基板１０の深さ方向に非対称な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】目視や画像認識装置により容易に識別できる位置合わせ基準マークとなる絶縁パターンを簡便に形成できる導電パターン形成基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】品質の向上したレーザ加工装置及び工作物を機械加工する方法の提供。
【解決手段】切れ刃（６２）及び逃げ面（６４）を有する回転バイトが工作物（１１）から製造される。レーザ加工装置（１０）は２つの異なる操作モードで機能する。第１の操作モードで、第１のレーザヘッド（１４）は、第１のレーザヘッド（１４）に対して工作物（１１）の速い前進速度にて工作物（１１）を機械加工するのに使用される。その際、工作物（１１）は所望の大まかな輪郭を示すようにレーザ溶融切削により切削される。第１の操作モードでは、レーザパルスの持続時間はナノ秒範囲である。その後、レーザ加工装置（１０）は第２の操作モードで操作される。その際、レーザパルスはピコ秒範囲のパルス持続時間で生成され、上記のレーザパルスは第１の操作モードのレーザパルスより小さい平均電力を示す。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハのレーザー加工時において、該ウェハの裏面に貼付されたフィルム越しにレーザー光を照射しても、ウェハの内部に安定した改質層が形成できるようにする。
【解決手段】金属膜の形成されたウェハ１３の表面に対向する該ウェハ１３の裏面に透明なエキスパンドテープ１５を貼付し、該ウェハ１３の表面を下向きにして液槽１２の所定の位置へ搬送する。その後、液槽１２に液体１１を充填し、ウェハ１３を液体１１の液面で支持する。さらに、レーザーヘッド４０及びコンデンスレンズ２４を含むレーザー照射部を、制御部５０の制御によってＸＹＺθ方向へ駆動させ、ウェハ１３に対してエキスパンドテープ１５越しにレーザー光Ｐを照射して、該ウェハ１３の内部又は表面の改質を行う。ウェハ１３の内部又は表面の改質後に液槽１２から液体１１を排出し、改質層の形成されたウェハ１３の領域で分割離間してチップを生成する。 （もっと読む）