【課題】レーザ加工付近の気流の流れを制御して加工時に発生する加工デブリを効率的に除去できるようにする。
【解決手段】レーザ加工装置は、ワークに対してレーザ光を相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施す。恒温室はこのレーザ加工装置の加工エリアを覆うように設けられる。恒温室には、上方から下方の加工エリアに向かうように恒温エアを供給するエア供給部と、加工エリア側から恒温室外に排気するエア排気部とを備えている。加工エリアを覆うように恒温室手段を設け、上方から下方に向けて恒温エアを流すことによって、恒温エアをワーク表面に接触させると共にワーク表面から横方向の流れによって、加工デブリを効率的にワーク表面から除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の裏面に光反射層が形成された発光素子を歩留まり良く製造することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子の製造方法は、III−V族化合物半導体層１７が表面２ａに形成されたサファイア基板２の内部に集光点Ｐ１を合わせて、基板２の裏面２ｂをレーザ光入射面として、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿って基板２の内部に改質領域７ａ，７ｂを形成する工程と、その後に、基板２の裏面２ｂに光反射層を形成する工程と、その後に、改質領域７ａ，７ｂを起点として発生した亀裂を基板２の厚さ方向に伸展させることにより、基板２、半導体層１７及び光反射層を切断予定ライン５ａ，５ｂに沿って切断し、発光素子を製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低融点ガラス等のロウ材に由来する揮発ガス及び接合層からの副次的なガス放散等の影響を受けない気密パッケージのベース本体とカバー蓋体の接合局部溶融手段を利用してコストパフォーマンスを改善し高真空度が維持できる気密パッケージを提供する。
【解決手段】光透過性の材料カバー蓋体１７とベース本体１１との接合封止において、両者の周辺部の所定接合面のみに短パルスレーザを照射し、この接合面の周辺部位を局部溶解させ、同時に気密封止する。また、互いに同一の透明材料からなるカバー蓋体およびベース本体の所定の接合面のみに短パルスレーザを照射し、該接合面の周辺部位を局部溶解させて気密的に封着する事により、カバー蓋体とベース本体を接合すると同時に気密封止も完了させ、製造工程数を少なくしてコストを軽減する。 （もっと読む）

【課題】透明材料をスクライビングないし溶接する方法を提供する。
【解決手段】透明材料をスクライブするため、材料を横切るレーザビームのシングルパスで多重スクライブ造作を創るために、超短レーザパルスを使用し、該スクライブ造作の少なくとも一つは材料の表面下に形成され、クリーンな割断を可能にする。透明材料を溶接するための方法は、局在化された加熱を通して接合を創り出すために、超短レーザパルスを使用する。超短パルス持続時間は、レーザ放射の非線形吸収を起こし、レーザの高繰り返し率は、材料内に熱のパルスからパルスへの蓄積を起こす。レーザは材料の界面近くに集光され、溶接されるための領域に高エネルギーフルーエンスを生成し、材料の残部への損傷を最小化し、きれいな溶接線を可能にする。 （もっと読む）

【課題】加工効率を向上させることができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１では、光源部１０から出力されるレーザ光は、そのビーム断面が光形状整形部２０により一方向に長い形状に整形された後、集光光学系３０により被加工物２に集光される。これにより、該被加工物２においてレーザ光集光位置から上記一方向および集光光学系の光軸の双方に垂直な方向にクラックが生じて被加工物２が加工される。また、移動ステージ４０により被加工物２が移動されて被加工物２が加工されることにより、また更には、移動ステージ４０による被加工物２の移動に応じて光形状整形部２０によるレーザ光のビーム断面形状の整形が制御されることにより、被加工物２に対して様々な形態の加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上に異種材料層が形成されてなる被加工物について、その分割がより確実に実現されるようにする。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、ステージを第１の方向に移動させつつ、第１の光源から出射させた予備加工用レーザー光を照射することにより、被照射領域において下地基板を露出させる予備加工工程と、第２の光源から出射させた、パルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である本加工用レーザー光の、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が、下地基板の露出部分において離散的に形成されるように、ステージを第２の方向に移動させつつ本加工用レーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で下地基板の劈開もしくは裂開を生じさせる本加工工程と、を備え、かつ、両光源からステージまでの光路が光路切替手段によって切替可能であり、光路切替手段からステージまでの光路を共通化するようにする。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、表面に金属膜が形成される被加工基板について、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜を備える被加工基板のレーザダイシング方法であって、被加工基板をステージに載置し、金属膜に対してデフォーカスされたパルスレーザビームを照射し、金属膜を剥離する金属膜剥離ステップと、被加工基板の金属膜が剥離された領域にパルスレーザビームを照射し、被加工基板にクラックを形成するクラック形成ステップを有
することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】切断された加工対象物の切断面において少なくとも可視光および近赤外光に対して不透明な領域の形成を低減でき、上記加工対象物の、切断のためのレーザ光の入射面において、該レーザ光に起因する熱源の発生を抑制することが可能なレーザによる割断方法、レーザ割断装置、およびレーザ光発生装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザによる割断方法は、加工対象物３４の内部に割断予定線に沿って、改質領域を形成し（ステップＳ４１）、加工対象物３４の内部において、フェムト秒レーザにより、光吸収率増加領域を形成し（ステップＳ４２）、光吸収散る増加領域が元に戻る前に、加工対象物３４に対して透明なナノ秒レーザを加工対象物３４に照射し、光吸収率増加領域にナノ秒レーザを吸収させて、割断予定線に沿って加工対象物３４を切断する（ステップＳ４３）。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にバファー層を介して積層された光デバイス層に移設基板を接合した後、光デバイス層を損傷させることなくバファー層を確実に破壊してサファイア基板を確実に剥離することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２０の表面にバファー層２２を介して光デバイス層２１が積層された光デバイスウエーハ２に移設基板３を接合する移設基板接合工程と、サファイア基板側からパルスレーザー光線を照射して前記バファー層を破壊するバファー層破壊工程と、バファー層が破壊された光デバイスウエーハのサファイア基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移し替えるサファイア基板剥離工程とを含み、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長く、バファー層の吸収端よりも短く、かつ熱拡散長が２００nm以下となるパルス幅のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】基本波の波長が赤外域の超短パルスレーザ光でレーザ加工を行う際に、被加工物上に堆積するデブリがより少ないレーザ加工を実現すること。
【解決手段】レーザ発振器１から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物１５に照射することでレーザ加工を行う際に、パルスレーザ光は、パルス幅が３０フェムト秒以上１００ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域のものとする。加工する際には、パルスレーザ光を透過する窓４ａを有するチャンバ４に被加工物１５を収納し、チャンバ４に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入する。次いで、チャンバ４に導入した反応性ガスの分圧を１０ｋＰａ以上５００ｋＰａ以下に保ちながら窓４ａを介して被加工物１５にパルスレーザ光を照射することでレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】製造ロットが相違したり製造メーカーが異なるサファイア基板であっても適正な改質層を形成することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線を照射し、サファイア基板の内部に改質層を形成する加工方法であって、サファイア基板の特性に対応して少なくとも２種類の加工条件を設定する加工条件設定工程と、加工条件が設定されたサファイア基板を判別するための判別条件設定工程と、設定された判別条件に基づいてサファイア基板を判別し、サファイア基板の該加工条件設定工程において設定された少なくとも２種類の加工条件から一つの加工条件を決定する加工条件決定工程と、加工条件決定工程において決定された加工条件に従ってレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がｐｓｅｃオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第１と第２の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第１の半パルス光に対し後者を進む第２の半パルス光が単位パルス光の半値幅の１／３倍以上で１０ｎｓｅｃ以下の遅延時間だけ遅延するように第２の光路の光路長を設定し、第１の半パルス光と第２の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工送り手段による加工送りによって発生する振動を吸収することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向（X軸方向）に相対的に加工送りする加工送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とをX軸方向と直交する割り出し送り方向（Y軸方向）に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段とを具備しているレーザー加工装置であって、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段と加工送り手段と割り出し送り手段は第１の基台に配設されており、第１の基台はX軸方向の移動を許容するX軸方向移動許容ガイド手段を介して第２の基台に配設されている。 （もっと読む）

【課題】基板の厚み方向に異なる距離に複数段にわたって脆弱領域を形成しても、半導体素子の特性の劣化を抑制できる半導体ウエーハのレーザ加工方法等を提供する。
【解決手段】第１のレーザ照射工程では、レーザ光４５−１が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ１の集光レンズ４４−１により裏面１１０ｂから距離ｄ１の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２３が繰り返して形成される（図７（ａ１））。第２のレーザ照射工程では、レーザ光４５−２が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ２が開口数ＮＡ１より大きい集光レンズ４４−２により裏面１１０ｂから距離ｄ２の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２４が繰り返して形成される（図７（ｂ１））。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成にすることなく改質層の厚みを可変して形成するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線の繰り返し周波数調整手段と、チャックテーブルに保持された被加工物に照射せしめる集光対物レンズとを具備するレーザー加工装置であって、該パルスレーザー光線発振器と集光対物レンズとの間に配設され高周波を生成するピエゾ素子を備えピエゾ素子によって生成される高周波の周期に対応して焦点距離が変化する可変焦点レンズと、ピエゾ素子に印加する高周波電流の周波数を調整する高周波電流周波数調整手段と、繰り返し周波数調整手段および高周波電流周波数調整手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数と該可変焦点レンズのピエゾ素子に印加する高周波電流の周波数との間に位相差が生じるように繰り返し周波数調整手段および高周波電流周波数調整手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】 使用されるレーザビームの波長に制約を受けることなく、被加工物に対して十分な光量を有しかつ任意の断面形状を有するレーザビームを投射することが可能なレーザビーム投射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ光源（１）の出射光をＤＭＤ（２）のミラーアレイに照射し、その反射回折光を集光レンズ（３）と対物レンズ（４）で被加工物（８）に結像させる。ミラーアレイを通過した光が２本に分離しないよう、ＤＭＤ（２）を適切な角度（β）に傾け、ミラーアレイを通過した光が２本に分離することなく、被加工物に効率的に伝送されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＨＣ膜に由来する基板の汚染を低減する。
【解決手段】基板の第１の主面を光熱変換膜を介して支持基板に張付ける工程と、支持基板上に露出した光熱変換膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。支持基板上に光熱変換膜を形成する工程と、半導体基板より外側に光熱変換膜が延在するように半導体基板を前記支持基板に張付ける工程と、光熱変換膜に汚染防止処理を行う工程と、支持基板と半導体基板とを分離させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザー溶断の熱量の適正化を図ることで、ガラス板と樹脂板とを積層一体化した積層体を正確に切断する。
【解決手段】樹脂板２の両面にガラス板４を積層一体化してなる積層体１に対して、上方からレーザーＬＢを照射してレーザー溶断する。この際、積層体１中にレーザーＬＢの焦点ＦＰを合わせ、且つ、その焦点ＦＰの位置を上面側から積層体１の総板厚の５０％超９０％以下の範囲内に設定する。 （もっと読む）

【課題】大型ウエーハの分割予定ラインにレーザ加工により分割溝が形成されても、レーザ加工装置からウエーハを搬出する際又は分割装置までウエーハを搬送する際にウエーハの割れを防止可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１１に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割溝が形成されたウエーハ１１に外力を付与して分割する分割工程とを具備し、分割溝形成工程は、複数のデバイスを区画する分割予定ライン１７を設定する分割予定ライン選定工程と、選定された分割予定ライン１７に対して比較的弱い第１のエネルギーのレーザビームを照射して第１の分割溝２１ａ，ｂを形成する第１分割溝形成工程と、選定された分割予定ライン以外の分割予定ラインに対して該第１のエネルギーより強い第２のエネルギーのレーザビームを照射して第２の分割溝２３を形成する第２分割溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向（ｘ方向）と直交するピッチ方向（ｙ方向）に一定のピッチ移動させ、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向（ｘ方向）とピッチ方向（ｙ方向）及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 （もっと読む）