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Fターム[4E068CE01]の内容

レーザ加工 (34,456) | レーザ光と加工物の相対移動 (3,368) | 2軸走査型 (2,156)

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【課題】レーザー光線の集光スポット形状を円形や長軸と短軸の比が異なる楕円形に容易に変更することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するためのチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段はレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光する集光器とを具備し、集光器は、チャックテーブルに保持された被加工物と対向する集光レンズと、集光レンズよりレーザー光線照射方向上流側に配設されたシリンドリカルレンズと、集光レンズとシリンドリカルレンズとの間隔を調整する間隔調整機構とを具備している。 (もっと読む)


本発明は、ガラスの切断装置及びこれを利用した切断方法に係り、特に、先にレーザービームによってガラスにクラックを形成し、次いでガラスを押し上げてガラスを切断する、ベンディング部を有するガラス切断装置及びこれを利用したガラス切断方法に関する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の照射部における溶接深さの制御を容易にする。
【解決手段】被溶接体Wに照射したレーザ光Lと、ガス供給ノズル3によってレーザ光Lの照射部Sに向けて斜めから噴射される活性ガス含有のアシストガスGとの協働により、被溶接体Wの溶接を行うレーザ溶接方法であって、レーザ光Lの光軸LSに対するガス供給ノズル3の傾き角度を小さくすることにより、照射部Sにおける溶接深さを深くし、光軸LSに対するガス供給ノズル3の傾き角度を大きくすることにより、照射部Sにおける溶接深さを浅くすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】円筒状のワークについても、平板と同様に、加工面展開図の切断軌跡座標入力により、容易に自動切断加工するレーザ加工機を提供する。
【解決手段】レーザ加工機100は、レーザ光照射用ノズル200を備えたレーザ発生手段と、ノズル200に対向する位置にワーク300を支持する支持手段400と、予め設定された2次元パターンに従い、Y方向に移動する第1の移動手段と、X方向に移動する第2の移動手段20とを備え、ノズル200は、第1の移動手段に固定されている。またワーク支持手段400と、第2の移動手段20との間に、第2の移動手段のX方向への移動量を円筒状ワークの周方向の移動量に変換する運動変換手段(ラックギヤ40、ピニオンギア30)を備えている。 (もっと読む)


【課題】コーナ部を含む切断経路に沿って切断する際に、切断不良の発生を防止しつつ切断加工時間の遅延を抑える。
【解決手段】第一切断経路(A1)と第二切断経路(A2)との間にコーナ部(B)が存在している被切断部材の切断経路をレーザによって切断加工するレーザ加工方法において、第一切断経路からコーナ部まで第一切断条件(X)に基づいて被切断部材を切断加工し、コーナ部から第二切断経路上の所定区間(A21)において、第一切断条件よりも切断能力の小さい第二切断条件に基づいて被切断部材を切断加工し、所定区間終了後の第二切断経路上において、第一切断条件に基づいて被切断部材を切断加工する。第一切断条件から第二切断条件への切換時および/または第二切断条件から第一切断条件への切換時に、これら切断条件を連続的に変化させる。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板やガラス基板等の光透過性を有する加工対象物の内部に、レーザ光を集光して、加工対象物の分割が容易に行えるレーザ内部スクライブ方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス基板1の内部に、開口数が少なくとも0.13以上の集光レンズLを透過したNd:YAGレーザ第3高調波からなるレーザ光LBの集光点50を合わせて、レーザ光LBを照射し、レーザ光LBに対して石英ガラス基板1を分割予定線に沿って相対移動し、石英ガラス基板1の内部に、多光子吸収による改質領域51が並設して形成される。 (もっと読む)


【課題】加工対象物の内部の所望の位置に、切断の起点となる改質領域を精度良く形成することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、加工用レーザ光と測距用レーザ光L2とをウェハ1に向けて集光させる集光用レンズ31と、レンズ31を動作させるアクチュエータと、測距用レーザ光の反射光L3に非点収差を付加する整形光学系49と、反射光L3を受光し、その光量に応じた電圧値を出力する4分割フォトダイオード42と、アクチュエータを制御する制御部とを備え、測距用レーザ光L2の集光点P2をレンズの焦点P0とレンズ31との間に位置させることで、表面3からより深い位置に改質領域を形成可能とし、反射光L3による悪影響を抑制する。また、電圧値の総和による除算が施された演算値に基づいて制御することで、演算値の反射光量による変化を防止する。 (もっと読む)


【課題】 加工負荷を減少させて、高精度の加工を可能とするとともに、切り屑の排出性を向上させること。
【解決手段】 円柱状の台金51の円周面に砥粒53が固定される砥石50において、台金51の砥粒固定面に砥粒53を螺旋状に配列することにより、砥粒数を減少させ、さらに砥粒53にレーザ光を照射して砥粒53の高さを揃える。また、レーザ光の照射により、ツルーイングを施して砥粒の高さを揃えるとともに、レーザ照射により、砥粒固定面に溝を形成する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの表面から深さ方向に複数層の改質領域を形成する際に、正常な改質領域を短時間で確実に形成可能で低コストなレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザヘッドHLa〜HLcはレーザ光源SLa〜SLcおよび集光レンズCVa〜CVcを備え、レーザ光La〜Lcを集光させた集光点Pa〜Pcの位置は、レーザ光源SLa〜SLcの波長と集光レンズCVa〜CVcの開口数とによって規定される。レーザ加工装置は、各レーザ光La〜Lcの波長または集光レンズCVa〜CVcの開口数の少なくともいずれか一方を調整することにより、ウェハ10の内部における各レーザ光La〜Lcの集光点Pa〜Pcの深さ位置を適宜設定し、ウェハ10の切断予定ラインKに沿うと共に、ウェハ10の表面10bから深さ方向に離間または隣接または重複して配置された3層1組の改質領域群Ga〜Gcを構成する各改質領域Rを同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板の基板面に反射防止膜の形成が不要で、半導体基板内部へのレーザ光の入射を抑制することなく、レーザ光の反射を抑制し、レーザ光の照射効率を向上させることができる半導体基板の分断装置を実現する。
【解決手段】 半導体基板21をステージ12に載置し、水10が貯留されている浸漬槽11の上方から浸漬する。次に、レーザヘッド31を分断予定ラインDLに沿って走査し、レーザ光Lを基板面21aから照射することにより、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路に、改質領域Kが適正に形成される。半導体基板21を水10に浸漬することにより、基板面21aにおけるレーザ光Lの屈折率の差を小さくできるので、基板面21aにおけるレーザ光Lの反射を抑制することができ、レーザ光Lの照射効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ウェハの表面から深さ方向に間隔をあけた複数層の改質領域を形成する際に、正常な改質領域を短時間で確実に形成可能で、小型かつ低コストなレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】2種類の波長λa,λbのレーザ光La,Lbを同時に発生させて出射する1個のレーザ光源SLaを用い、ウェハ10の内部における各レーザ光La,Lbの集光点Pa,Pbの深さ位置を段階的に変えることにより、ウェハ10の切断予定ラインKに沿うと共に、ウェハ10の表面10bから深さ方向に離間または隣接または重複して配置された3組6層の改質領域群Ga1〜Gb3を、2層1組ずつ順次形成する。すなわち、2種類の波長λa,λbのレーザ光La,Lbを同時にウェハ10に照射することにより、各レーザ光La,Lbにそれぞれ対応した深さの異なる2層の改質領域群(Ga1とGb1、Ga2とGb2、Ga3とGb3)を構成する各改質領域Rを同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】 微小孔6に流体を通す際の圧力損失を低減させた、微小構造を有した材料1を提供することである。
【解決手段】
直径0.5〜10μmの複数の開口部6aを有した微小孔6を有する材料1について、
当該開口部6a及びその周辺に渦状の加工領域7を有することを特徴とする、微小構造を有する材料1とその製造方法である。
これを用いることにより、当該開口部6aから流体を流入させる際に、当該渦状の加工領域7に沿って当該流体の流線を規定することが出来、よりスムーズに当該流体を当該微小孔6の内部に流入させることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】水晶基板の切断において、切断屑をほとんど排出しない水晶基板の切断方法を提
供する。
【解決手段】水晶基板1の切断方法は、レーザ加工装置20にセットされた水晶基板1の
厚みを測定する工程と、フェムト秒レーザであるレーザ光23の水晶基板1内の集光点4
5を調整する工程と、切断予定位置にそって改質領域50を形成するために、レーザ光2
3を走査する工程とを有する。レーザ光23を走査する工程は、水晶基板1の厚み方向に
集光点45を順に3回移動させて、厚み方向の全面に改質領域50を形成する。 (もっと読む)


【課題】被加工物に設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を正確に形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルと、パルスレーザー光線発振器および繰り返し周波数設定手段と集光器とを備えたレーザー光線照射手段と、チャックテーブルを加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工装置であって、被加工物に設定された加工領域における各始点位置と終点位置のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、レーザー光線照射手段および加工送り手段を制御する制御手段を具備しており、制御手段は集光スポットの加工送り方向長さを(d)mm、繰り返し周波数を(H)Hz、加工送り速度を(V)mm/秒、始点位置と終点位置間の長さを(L)mm、始点位置と終点位置間 (L)mmに照射するパルスレーザー光線のスポット数を(n)個とした場合、d+(V/H)n=Lを満足するように(V/H)を設定し、繰り返し周波数設定手段および加工送り手段を制御する。 (もっと読む)


【課題】被加工物に形成された所定のストリートに沿って複数の加工領域にレーザー加工溝を正確に形成することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物に形成された所定のストリートに沿って設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、被加工物のストリートに沿って設定された複数の加工領域における各始点位置と終点位置にそれぞれパルスレーザー光線を照射してレーザー加工穴を形成する加工穴形成工程と、加工穴形成工程において始点位置と終点位置に形成されたレーザー加工穴間にパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】加工対象物を加工する時間を短縮し、かつ形成される穴の側面形状の劣化を防ぐ。
【解決手段】レーザ光源1からパルスレーザビームが出射し、パルス切出手段2に入射する。パルス切出手段2が、入射したパルスレーザビームの1つの原レーザパルスから、時間軸上で分離された複数のレーザパルスを切り出す。制御装置12が加工対象物10a、10b上の複数の被加工点の位置を記憶し、第1の被加工点に、第1の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射し、少なくとも1つの他の被加工点に、第1の原レーザパルスよりも後に出射した第2の原レーザパルスから切り出された複数のレーザパルスが入射した後、第1の被加工点に、さらに第2の原レーザパルスよりも後に出射した第3の原レーザパルスから切り出されたレーザパルスが入射するようにレーザ光源1、パルス切出手段2、及び移動機構11a、11bを制御する。 (もっと読む)


【課題】 光学位置決め装置の光学的な位置ずれを補正する高精度な補正データが要求されているが、補正データを複数個作成し、その複数個の補正データを平均処理などを行って、最終的な補正データを作成する方法があるが、補正データ作成処理を複数回行うため、処理時間が長くなる。また、加工穴周辺の加工くず付着で生じる穴位置の誤測定がある場合、誤測定データの影響を受けて補正データの精度が低下する。
【解決手段】 複数個の位置検出データから不正データを除去して位置データを作成する不正データ除去部を備え、複数個の位置検出データから不正データを除去した位置データから光走査部の幾何学的または光学的なレーザ光の位置ずれに対する補正データを作成することとなる。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工を行う際に発生する加工粉塵の空気中への飛散を効果的に防止して、加工粉塵がレーザ加工に与える悪影響を最小限に抑えることができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】吸塵機構30において、加工粉塵は、整流部の複数の仕切り区画32aを通過し、次いで、受け皿部33に到達する。このとき、ポンプ(図示せず)による吸引によって生じる空気は、その流れ方向が整流部31の複数の仕切り区画32aの壁面(仕切り壁32)に対して平行となり、整流部31の仕切り壁32に付着する加工粉塵Dは最小限に抑えられる。その後、受け皿部33に到達した加工粉塵Dは、受け皿部33の底部に形成された吸引孔33aを通して吸引され、吸引ダクト36を介してポンプ(図示せず)まで送られる。なお、吸塵機構30の整流部31は、太陽電池基板の蒸着薄膜に対して所定の距離だけ離間した状態で配置されている。 (もっと読む)


【課題】
冗長な軸を持つ軌跡制御で、冗長性を最適に管理する方法を提供すること。
【解決手段】
第1のシステムの制御軸(X、Y)とこれと冗長な第2のシステムの制御軸(U、V)とを持つシステムで、総合システムの軌跡にフィルタリングを行い、第1のシステムの軌跡を生成する工程と、総合システムの軌跡と第1のシステムの軌跡との差分の軌跡である第2のシステムの第2の軌跡を計算する工程と、第1のシステムの駆動のために、第1のシステムの軌跡をサーボコントロールモジュールに入力する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】被加工基板の大きさにかかわらず、脆性材料からなる被加工基板の高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる、脆性材料の割断加工システム及びその方法を提供する。
【解決手段】被加工基板61上で割断予定線71に沿って加熱冷却ユニットによる処理が順次行われ、割断予定線71に沿って亀裂68が進展する。そして、制御装置による制御の下で、力制御ユニット54A,54Bの力センサ57A,57B及び移動量センサ60A,60Bによる検出結果に基づいて被加工基板61に所望の大きさの応力が付与されるように微動ステージ59A,59Bを制御することにより、加熱冷却ユニットの被加工基板61上での位置に応じて被加工基板61に印加される引張応力又は圧縮応力の大きさを制御する。 (もっと読む)


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